第三章 存储器

3存储系统

这一章好乱，笔记不知道怎么整理，有空再来理一理，先考期中考

3.3半导体存储器

3.3.1半导体存储器RAM–易失性存储器

• 断电之后会丢失数据

1. 存储器芯片的基本结构
   –>地址寄存器MAR–>存储体<—>数据寄存器<–>
   (时序控制逻辑)
   一个存储体有多个存储单元，一个存储单元有多个存储元
   可以同时取出来的电信号叫做存储字，存储字的长度叫做存储字长
   n个地址对应2^n个存储单元
   总容量=存储单元的个数 * 存储字长/数据线的根数
   存储矩阵：由大量的位存储单元阵列构成
   译码驱动：将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号，该信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读/写操作
   读写电路：包括读出放大器和写入电路，用来完成读/写操作
   读/写控制线：决定芯片进行读/写操作
   片选线：确定哪个存储芯片被选中，可以用于容量的扩充
   地址线：是单向输入的，其位数与存储字的个数有关
   数据线：是双向的，其位数与读出或写入的数据位有关
   数据线数和地址线数共同反映存储芯片容量的大小，如地址线有10根，数据线有8根，那芯片容量=2^10*8=8k位
2. 寻址
   按字节寻址：一个字节为一组
   按字寻址：一个字为一组
   按半字寻址：半个字为一组
   按双字寻址：两个字为一组
3. 半导体随机存储器

	SRAM	DRAM
存储信息0，1	触发器(双稳态)	电容(充放电)	易失性存储器：断电就丢失信息
破坏性读出	非(读：查看触发器状态，写：改变触发器状态)	是(读：连接电容，检测电流变化，1有变化0无变化，读完之后需要恢复到原来状态)
需要刷新	不要	需要(电容上的电荷只能维持2ms)
送行列地址	同时送	分两次送(地址线复用，线数少一半)
运行速度	快	慢
集成度	低(6个逻辑元件)	高(1个或3个逻辑元件)
发热量	大	小
存储成本	高	低
用途	常用作Cache	常用作主存

3. DRAM的刷新
   多久刷新一次：刷新周期2ms
   每次刷新多少存储单元：以行为单位，每次刷新一行存储单元
   为什么要用行列地址：减少选通线的数量
   如何刷新：有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占1个读/写周期
   在什么时候刷新：
   假设DRAM内部结构排列成128 * 128的形式，读/写周期(存取周期)0.5us
   2ms/0.5us=4000个周期
   分散刷新：读写完一行刷新一行
   集中刷新：2ms内集中安排时间全部刷新
   异步刷新：2ms内每行刷新一次即可

3.3.2半导体存储器ROM–只读存储器

• 掉电后不丢失其中的内容，且可以和CPU直接通信
• 可以指出操作系统在主存种的哪个位置，并可以把这个系统通过IO接口调到随机存储器当中

3.3.3存储器的基本概念

1. 存储器的层次
   高速缓冲存储器–Cache
   主存储器–主存、内存
   辅助存储器–辅存、外存
2. 存储器的功能——存放二进制的信息
3. 存储器的性能指标
   存储容量=存储字数 * 字长
   单位成本：每位价格=单位价格/总容量
   存储速度：数据传输率=数据宽度/存储周期(存取时间+恢复时间)
   主存带宽：主存带宽又称数据传输率，表示每秒从主存进出信息的最大数量

3.4存储器与CPU的连接

3.4.1