tomax1983的博客

原创 MRAM FRAM在医疗设备场景的应用

该日志记录诸如呼吸机停止和启动、确认的呼吸机和警报设置、警报和技术故障历史等信息，包括任何相关的音频暂停或警报暂停按键、警报重置和确认按键。呼吸机是一种通过将可呼吸的空气移入和移出肺部来提供机械通气的机器，用于向身体不能呼吸或呼吸不充分的患者输送呼吸。现代呼吸机是计算机化的微处理器或控制的机器，但是病人也可以用简单的手动操作的气囊面罩进行通气。通常使用配置存储器和图像/报告存储器两种类型的存储器。配置存储器存储来自外部硬件的标识和配置信息，图像/报告存储器存储图像和相应的报告数据。MRAM的主要优势如下。

原创 MRAM 具有耐高温和低功耗等技术优势

原创 MRAM 高速写的特性，无需备份电池和电容，掉电瞬间保存数据，保证数据的完整性

原创 MRAM 高擦写次数的优势

原创 NVSRAM FLASH MRAM DRAM RRAM FRAM技术特性比较

原创 FRAM应用场景

原创 嵌入式MRAM FRAM应用场景

原创 小容量MRAM和FRAM的细分市场信息

原创 嵌入式MRAM应用举例 – 未来高级处理器

根据IDC数据统计，2018年全球CPU市场容量约488亿美元，增长率为13.6%，其中PC CPU市场规模约322亿美元，同比增长10.1%，服务器CPU市场规模约166亿美元，同比增长21.0%。可以在与SRAM同样大小的空间塞入四五倍多的MRAM，片上大容量的MRAM高速缓存有望成为主流解决方案：在不影响功率曲线或裸片尺寸的情况下，提高集成图形性能，同时降低了功耗，而且防断电。

原创 MRAM FRAM 在车载领域 Airbag场景的应用

高速写入：事故发生时，需要快速准确记录加速度、座椅位置、座椅承重数据、气囊是否正确、完全地开启，进而协助判定事故法律责任的归属。

原创 MRAM FRAM 在车载领域 EDR 场景的应用

按照中汽协预估，2022 年中国乘用车销量将达 2300 万辆，按照增量 EDR 设备为 80%左右测算，2022年 EDR 市场容量约为 1840万套。记录数据包括 纵向加速度、防抱死制动系统状态、横向加速度、加速踏板位置、制动踏板位置、气囊状态等。Event Data Recorder System，“汽车事件数据记录系统”，简称EDR。

原创 MRAM FRAM 在电池管理系统 (BMS) 场景的应用

如下图所示，随着电池容量持续提高和充电效率的持续提升，BMS需要实时监测电池状态并进行动态管理。MRAM专为需要极高数据可靠性的应用而设计，具有万亿次擦写寿命，可支持连续20年毫秒级间隔的擦写操作，非常适合BMS应用场景。电池管理系统（Battery Management System，BMS）实时检测电池的电压、电流、温度、容量等信息，同时还进行漏电检测和电池均衡管理，通过CAN总线与车载总控制器通信。因此，BMS的主要作用是智能化管理及维护电池单元，防止电池出现过充电和过放电，进而延长电池寿命。

原创 MRAM FRAM 在胎压检测系统（TPMS）场景的应用

以1次/秒的时间间隔连续记录10年胎压数据计算，TPMS要求存储器具备3亿次擦写能力，远超传统非易失存储器的擦写寿命。此外，传统非易失存储器的擦写功耗较高，严重影响了胎压传感器的待机时长，造成了频繁更换电池的维护不便。MRAM专为需要极高数据可靠性的应用而设计，具有万亿次擦写寿命，可支持连续20年秒级间隔的擦写操作，非常适合TPMS的应用需求。胎压监测系统（Tire-Pressure Monitoring System，TPMS）是一种用来监测轮胎状态的电子系统，主要由胎压传感器、接收器和显示模块构成。

原创 MRAM FRAM 在智能车载终端（T-BOX）的应用

T-BOX（Telematics BOX）也称远程信息处理控制单元（Telematics Control Unit, TCU），内部集成了微控制器、存储器、北斗/GPS单元、移动通信单元、三轴加速度检测单元和车载诊断系统（On-Board Diagnostics，OBD）等功能模块。通过车载总线与接口模块，T-BOX连续记录汽车位置、汽车行驶的各种状态信息(包括刹车、发动机转速、油门等）和CAN总线信息。此外，T-BOX需要实时记录发动机转速、油门状态、加速度等行驶信息，以保障发生事故时数据的可追溯性。

原创 MRAM FRAM 在汽车电子场景的应用

随着汽车智能化水平的提升，车载电子设备需要更高性能和可靠性的非易失存储器。MRAM具有纳秒级高速写入和万亿次擦写耐久度，可满足汽车电子应用场景的频繁实时记录数据的要求。车载电子设备实时收集汽车行驶状态、驾车者和乘客的状况、以及周边环境等信息，并自动判断汽车自身及其乘员状态，及时提醒驾乘人员采取相应措施。

原创 MRAM FRAM在智能表计领域的应用

如下图所示，智能电表和集中器需要实时保存计量数据（总、各费率电能值、需量值）和负荷曲线数据（电能值、电压值、电流值）。以1次/秒的数据保存频率计算，16年内需要保存5亿次计量数据和负荷曲线数据。HIKSTOR MRAM具有万亿次擦写寿命和纳秒级写入速度，无需通过软件来规避传统非易失存储器读写次数不够的问题，非常适合智能电表和集中器的应用需求。工业现场广泛分布着检测温度、湿度、压力、流量等参数的传感器。与传感器相对应，工业场景中还配置了大量智能仪表，以便实时处理和记录传感器采集的数据，进而实时监控现场设备。

原创 MRAM FRAM 在工控领域的应用机会

PLC在工作过程中将实时产生过程和结果数据，需要存储器具有快速读写及百亿次擦写寿命等特性，该存储需求超出了常规非易失存储器的能力。此外，具有纳秒级高速写入特性的MRAM可以在异常掉电瞬间完整地保存PLC产生的过程和结果数据，而无需备份电池。如下图所示，数字输入模块的采样频率高达500Hz，20年累计写入次数高达3千亿次，远超过传统非易失闪存的擦写寿命。MRAM具有纳秒级高速写入、万亿次擦写寿命和宽工作温区等高性能及高可靠特性，非常适合工控场景需求，并且可以替代现有的备用电池方案。

原创 MRAM技术简介

利用电流STT作用，可以制作全电流写入的MRAM，即STT-MRAM。20世纪80年代，法国Albert Fert与德国Peter Grünberg两位科学家在研究磁/非磁纳米多层膜的层间耦合时发现了巨磁阻（Giant Magneto Resistance，GMR）效应，揭示了磁性纳米薄膜结构中电子自旋与电子输运过程的关联及调控方法，孕育了迄今为止容量最大、应用最广泛的现代电脑硬盘，对信息存储领域起到了划时代的推动作用，两位科学家因此获得2007年度诺贝尔物理学奖。

原创 智能穿戴场景下新型存储器的应用机会

方案问题：由于上传和下载语音数据的时间受到网络质量影响，会存在不确定的网络时延。解决办法：由于新型存储器具有高速写入和非易失特性，当麦克风侦测到语音信号是，快速将语音数据写入新型存储器中并进行比较，因而解决了待机功耗高的问题。目前方案：睡眠状态下，麦克风需要保持监听状态，当监测到语音信息时，需要实时和SRAM中的特征语音信息比较（例如“小度，小度”），以便唤醒系统。目前方案：通过网络将语音上传到大数据云平台，云平台通过算法和语音数据分析并翻译语音数据，最后通过网络下发到终端设备。智能穿戴场景语音识别。

原创 打印耗材场景下的新型存储器的应用机会

部分原装墨盒通常内置一颗FRAM芯片，用于存储和打印机互认的ID信息。打印机通用耗材商破译墨盒与打印机握手机制，生产基于FRAM的通用墨盒。但由于成本原因，2016年以后使用电池、SRAM方案取代FRAM。但是，拥有跟原厂一样的技术方案具有很重要的战略意义。

原创 新型存储器在智能表计场景的应用机会

3、篡改监测：当监测到黑客的篡改事件时，瞬间消去新型存储器中重要数据，从而确保电力用户的信息安全。2、高速写入：掉电瞬间，快速将电力重要数据保存至新型存储器中，保证了数据的完整性；随着电力物联网的建设，国内智能电表每年装机量为1亿台左右，对存储器的需求量巨大。1、高耐久度：可以高频率将电力重要数据保存到新型存储器中；

原创 新型存储器在车路协同领域的应用机会

据高工智能汽车研究院测算1-3月自主及合资品牌前装搭载4G T-Box共计127.94万台，随着5G商用，5G T-Box的渗透率正逐步提升。T-Box系统以1次/0.15秒的速度记录CAN通信、汽车位置和汽车行驶的当前(刹车，发动机转速，油门等)数据，NOR Flash无法达到应用要求，MRAM的高速写入和高读写耐久度可以满足类似应用场景。为提高路测终端的数据处理效率和可靠性，传感器的数据在输送到处理器之前，需要用高速和高耐久性的非易失memory进行缓存，MRAM是理想的存储选择。

原创 新型存储器的特性对比

原创 新型存储器的特性对比

原创 企业级SSD中异常掉电问题及其解决方法

异常掉电时，利用MRAM高速写特性，瞬时将FTL Changes和Write Buffer保存到MRAM中，彻底解决了企业级SSD异常掉电引起的数据丢失问题。现有产品存在启动慢甚至不识盘的致命缺陷，部分原因是异常掉电致使文件系统损坏，启动时耗费较长时间重建文件系统。此外，MRAM作为控制器SRAM缓存的片外扩展，可优化掉大部分片内SRAM，并且增加了控制器的使用灵活度。

原创 RAID卡中MRAM的应用机会

如图1所示，在RAID更新写过程中，假如出现异常（如系统掉电），导致某些列未写成功（如D1’写成功而P’未写成功时系统掉电），那么磁盘上数据为D0、D1’、D2、D3、P，此时为分条不一致状态，此现象被称为写洞。当需要修改RAID中的数据时，要同时修改RAID的多个数据，以确保RAID分条始终一致。分条一致指一个条带的多个数据块满足RAID的算法关系，例如，RAID1的多个副本数据完全一致，RAID5的P为其对应的所有数据的异或结果，RAID5需要同时更新修改的数据列和对应的校验列数据，如图10所示。

原创 企业级SSD存在的异常掉电导致数据丢失等问题

重新上电后，SSD只需把掉电前保存的相关信息（比如映射数据，闪存块信息等）重新加载，又能接着掉电前的状态继续工作。如果闪存中保持的映射表不是最新的，旧的物理地址对应着老的数据，SSD就会错误地把老数据返回给主机，将导致严重问题。然而考虑到电容容量和SSD外形尺寸限制，随着SSD容量的增长，不能100%保证把所有数据刷入闪存，将限制SSD容量的进一步提升。把SSD其他信息（例如当前写的是哪个闪存块，以及写到该闪存块的哪个位置，哪些闪存块已经写过，哪些闪存块是无效的）写入闪存。

原创 新型存储器市场概述

现有新型存储器技术中，PCM、FRAM和MRAM技术的产业化程度较高，其中独立式FRAM市场的代表厂家包括Fujitsu、Cypress，产品主要聚焦中小容量NVRAM市场。独立式MRAM市场的代表厂家主要包括Everspin、Avalanche和Netsol。

原创 STT-MRAM 和 TOGGLE MRAM 抗磁能力差异的分析

各项异性场的差异主要是由于MTJ薄膜的材料、结构、尺寸的不同导致的。toggle MRAM的MTJ是基于形状各向异性的，MTJ是椭圆形，椭圆的长宽比越高，Hk越大，但相应的位元密度就小了，因此为了保证位元密度，Hk不会做的很大。各项异性场理解为MTJ（垂直磁化的CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结，通俗讲就是存储器的关键核心器件，就是存数据的地方）自身带有的磁场强度，显然自身的磁场越强，就越不容易受到外磁场的干扰。

原创 新型存储器特点比较

FRAM和MRAM 是一种可按字节寻址的非易失性存储器，其高速写入、高读写次数以及超低功耗等特性，可应用于需要频繁、快速记录数据，且对功耗敏感的应用场景。

原创 新型非易失存储器简介

新型非易失存储器包括FRAM、MRAM、PCM和RRAM等，由于工作原因，对FRAM和MRAM的特性和市场应用机会接触的多一些，后续详细讨论这两类新型存储芯片。