MRAM FRAM 在工控领域的应用机会

工业现场存在大量实时控制设备，这些设备需要实时快速的保存设备状态、系统日志等关键数据。工控设备还需要应对高温、震动等恶劣环境的考验。此外，为了避免异常掉电造成的数据丢失问题，工控设备通常还需使用备用电池。

MRAM具有纳秒级高速写入、万亿次擦写寿命和宽工作温区等高性能及高可靠特性，非常适合工控场景需求，并且可以替代现有的备用电池方案。

可编程逻辑控制器 (PLC)
PLC是工业自动化系统的核心组成部分，被称为工业“大脑”。PLC在工作过程中将实时产生过程和结果数据，需要存储器具有快速读写及百亿次擦写寿命等特性，该存储需求超出了常规非易失存储器的能力。因而，PLC通常使用SRAM和电池的组合方案。但是，该方案存在系统复杂、硬件成本高、因电池维护不及时导致数据丢失的风险等不足。MRAM的擦写寿命高达万亿次，可支持连续20年毫秒级间隔的擦写操作。此外，具有纳秒级高速写入特性的MRAM可以在异常掉电瞬间完整地保存PLC产生的过程和结果数据，而无需备份电池。

如下图所示，数字输入模块的采样频率高达500Hz，20年累计写入次数高达3千亿次，远超过传统非易失闪存的擦写寿命。此外，在异常掉电时，继电器、伺服电机等设备产生的现场数据无法及时保存到传统非易失闪存中。HIKSTOR MRAM专为需要极高数据可靠性的应用而设计，具有万亿次擦写寿命和纳秒级写入速度，可确保PLC设备长期稳定运行。