STT-MRAM 和 TOGGLE MRAM 抗磁能力差异的分析

抗磁能力差异的主要原因是STT-MRAM的各项异性场（HK）比toggle MRAM高很多，toggle的Hk一般不到1000Oe，STT-MRAM的Hk在3000Oe左右。

各项异性场理解为MTJ（垂直磁化的CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结，通俗讲就是存储器的关键核心器件，就是存数据的地方）自身带有的磁场强度，显然自身的磁场越强，就越不容易受到外磁场的干扰。

各项异性场的差异主要是由于MTJ薄膜的材料、结构、尺寸的不同导致的。toggle MRAM的MTJ是基于形状各向异性的，MTJ是椭圆形，椭圆的长宽比越高，Hk越大，但相应的位元密度就小了，因此为了保证位元密度，Hk不会做的很大。而垂直磁化的STT-MRAM是基于磁性层界面的各项异性，通过调整界面即可将Hk也可以做的比较大，不需要做成椭圆，因而具有更好的可微缩性，在先进工艺节点、高密度存储需求中拥有巨大的应用潜力。