这个电容器的电容是多少?

  关于老化及其对电容的影响的常见问题。

  问题1:什么是“老化”?

  老化通常被称为环评二级电容器的电容随时间的降低。这是一种自然的、不可避免的现象,发生在所有的铁电配方中作为介质材料。老化是可逆的,由于介电晶体结构随温度和时间的变化而发生。老化通常被报告为每十年的电容损失百分比。由于老化是对数性质的,在最初的10小时内电容的损失是最大的。

  电容老化特性图。


  图1:电容老化特性。

  注意:损耗因子也老化,比电容的衰减速度快几倍。此外,EIA III和IV也表现出老化特征。工业“官方”的老化定义可以在EIA-521和IEC-384-9中找到。


  问题2:I级电容和二级电容的区别是什么?

  类我capacitor1(C0G、C0H C0K,等等)是由陶瓷材料对温度变化不敏感,因此电容器的电容值测量低温(-25°C)例子不会显著改变从同一电容器在更高的温度测量(前75°C)。EIA称这些为“温度补偿”,并以ppm /°C。这些电容器通常具有较低的电容值,因为用于制造它们的陶瓷材料,但无论其温度如何,它们都表现出近乎完美的电容稳定性,这使它们成为需要频率控制的应用程序的极佳选择,例如在收音机或电视调谐器中。下面是一个例子:

  C0G =±30 PPM / -55°C的温度范围+ 85°C

  第二类电容(X5R, X6S, X7R)是由陶瓷材料制成的,它来源于钛酸钡基,它是温度敏感的。因此,各种温度分类说明在给定温度范围内的灵敏度范围。这些电容器允许在小的表面安装包中有更大的电容值。

  II类温度特性的例子如下:

  X5R =±15%的温度范围-55°C + 85°C

  x6英寸=±22%的温度范围-55°C + 105°C

  X7R =±15%的温度范围-55°C + 125°C

  此外,钛酸钡基(II类、III类和IV类)的电容器是铁电的,因此易受“老化”的影响,如果在未加热或未充电的状态下,电容器的电容容量将随着时间的推移而减少。第一类电容不是铁电的,因此不老化。


  问题3:钛酸钡的电容器为什么和怎样?

  随着时间的推移,内部分子结构发生了变化,从而形成了电偶极子的排列。这种排列导致的分子结构可以比在完全随机状态下的电荷更少,比如在印刷电路板上加热或安装(焊接)时。

  电偶极排列图。


  图2:电偶极排列。

  问题4:什么是去老化?

  去老化是一种用于重置老化现象的热处理。简单地说,它重新启动了老化过程,但它并没有阻止它。在其居里温度之上加热电容器使晶体结构回到最佳的未对齐配置,从而产生最大的电容。TDK建议150°C / 1小时回春。注意:记录最后一次热(TOLH)或去老化时间对于未来的电容测量是很重要的。


  问题5:“老化”只是TDK现象吗?

  不。所观察到的“老化”是所有II类、III型和IV型陶瓷电容器的制造商所共有的。由于老化是由配方决定的,所以老化率会因制造商而异。


  问题6:电容器制造商如何补偿老化?

  由于batio3型电容器的电容随时间的变化而变化,老化对元件制造商来说是一个独特的问题,即“这个电容器的电容是多少?”

  就像电压和频率测试条件一样,该行业早就认识到老化问题,并已经确定了所有电容都应该测量的标准:IEC-384-9。简单地说,电容必须在规定的公差为1000小时(或TOLH)。

  电容器制造商使用该材料已知的老化率,并从数学上确定在去老化后的任何时间点的电容公差限制(见图3和图4)。这些组件在老化速率和TOLH方面都有100%的电排。例如,如果介质材料的老化率为3%,a +/-10%的耐受性部分可能被排在+13/-7%。利用这一技术,制造商可以保证所有的电容器在1000小时内以TOLH为基础。

  第一类材料的例子排序限制的图像。


  图3:类I材料的排序限制,K公差。

  第二类材料的样本排序极限图。


  图4:类II材料的排序限制,K公差。

  注意:由于老化导致电容随时间的降低,电容在距离TOLH不到1000小时的时间内,可能高于上容限,小于从TOLH超过1000小时的低公差限制。


  问题7:电容用户如何补偿老化?

  电容器用户应该期望第II类、III级和IV级电容器能够在cap公差范围内达到6周(1000小时),从制造商到用户的大多数组件的大致的交货时间。电容器用户不应期望在焊料、胶水固化或任何其他高温过程(电容器将因此而老化)后立即在cap耐受范围内的II、III或IV级组件。

  在预测老化/去老化行为时,在电路测试系统中可能需要加宽以允许电容器老化。

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