1、IAR环境会生产下面的map图
112 416 bytes of CODE memory 256falsh
35 bytes of DATA memory (+ 73 absolute )6 260 bytes of XDATA memory 8KRAM
194 bytes of IDATA memory
8 bits of BIT memory
487 bytes of CONST memory
2、falsh与ROM ,RAM的区别
8K的flash是有8*1024个字节,一条指令可能有1~4个机器码,即1~4个字节,其中1~2机器码的指令使用最为频繁,所以这样算,大约可以写4000~8000条指令。一般的应用是写不到这么多的指令的。但是用于存储其他数据,例如汉字,数字点阵代码可能会超出预算。对于真的不够用的情况,建议楼主直接买块大容量的片。扩充flash不是很可取,增加了系统的不稳定因素,又提升了板的面积,布线难度。假如真的要扩容,可以有很多办法。扩展EEPROM(现常用256K~1M),或扩展基于SPI总线的flash memory(主流32M~128M),此两个总线驱动程序简单,方便扩展。
单片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~1