读nandflash---根据数据手册K9GAG08U0D

本文介绍了如何根据K9GAG08U0D NAND Flash的数据手册进行读操作,详细解析了读取流程,包括发送命令、地址序列、等待R/B信号和读取数据等步骤,并提供了按页读取的代码实现。同时,还涵盖了NAND Flash的初始化过程,包括设置时序参数和复位操作。
摘要由CSDN通过智能技术生成
nandflash的操作单位:
nandflash的操作包括读、写和擦除。其寻址单位是页,读写时是以页为单位,擦除时则以块为单位。                                

                           图1:芯片(页)读操作时序图                                                         图2:命令字



按照芯片手册上的时序图得出芯片工作流程;由I/Ox读操作时序(图1)以及命令字(图2)得知

1、发送命令0x00
2、发送五个时序周期的地址:即两个列地址、三个行地址(先发低位、再发高位)
   图3   nandflash地址序列


3、发送命令0x30
4、等待R/B(就绪/忙输出信号线)变成高电平。
5、读取数据
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