三星nandflash K9K8G08U0D升级K9K8G08U0E问题总结

三星的nandflash原来用的K9K8G08U0D版本，后面升为K9K8G08U0E版本的芯片出现了问题。（使用的系统平台是ucos-II）

测试程序中，是往flash中写0,1,2,3,4,5,6..读出来时非0的数值正常，写0的时候读出来的数据就不对。

时序上用示波器测过没发现问题，重新换上D版本的芯片也完全正常。

对比D版本和E版本的datasheet，两个芯片的最主要区别如下：

D版本：

E版本：

三星那边也对这两块芯片对比进行了描述：

 1. please check the below timing first.
K9F1G08U0E vs K9F1G08U0D Timing difference
　  tR   tPROG tBERS NOP
K9F1G08U0E Max. 40us   Max. 900us Max. 16ms 1
K9F1G08U0D Max. 40us Max. 750us Max. 10ms 4
 
2. if timing is OK, please kindly know the 21nm SLC NOP=1 , not 4
    it means every NAND page you can just  write one time,
     if you want to write the data in the same page again, you need to erase first
 
3. please note : 
   due to 21nm SLC NOP=1, it means you can not use "Partial Program"  for it
   if you use this function in our 42 nm SLC and want to change to 21nm SLC
    the way to solve it is modify host FTL algorithm    
   there is FTL (flash transfer layer) between file-system and raw NAND
 ( FTL : flash transfer layer ; such as bad blocks, page size write /read, ECC , wearleveling.....)
 in solution base such as eMMC or SSD, the inside controller handle FTL
 but for Raw NAND, it has NO controller inside and needs host to handle this algorithm 
 
4.   image-partition FAT table error
     please kindly check the physcial to logical table
     in logical, you can write the data in the same area
     but, in physical, when you want to write or update the new data to the same page
     you can not write directly in the same page due to NOP=1
     you need to write to another page 

依据官方的说明，每一个页加上它的spare区必须在1个NOP里写完，因此程序上主要的改动就是去掉写扩展区函数（ExSectorWrite），在写page函数(SectorWrite)改为每一次写2112bit的数据，然后将编程时间稍作延长，

但测试时出现了上述问题，当写入的十六进制数据中含有0时读出来的数据就不正确。开始怀疑是时序上不正确，又使用示波器仔细观察了波形，没发现与手册上的datasheet有出入的地方（理论上D版和E版的时序是完全一样的）。
问题帖链接：http://bbs.csdn.net/topics/390772550