s3c2440 Nand flash

最新推荐文章于 2021-08-01 21:13:25 发布
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分类专栏： Linux嵌入式
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本文是基于韦东山视频的学习笔记

汇总点这

总汇

YONG这里是引用
R/B - 状态引脚
CLE - （COMMAND LATCH ENABLE）高电平时传输命令
nCE - （CHIP ENABLE）片选
ALE - （ADDRESS LATCH ENABLE）高电平时传输地址
nWE - （WRITE ENABLE）
nRE - （READ ENABLE）
nWP - （WRITE PROTECT）
CLE & ALE - 都为高电平时，传输数据这里是引用
CLE/ALE 都拉高后，需要等待TACLS后，才能拉低WE。WE动作持续TWRPH0。WE动作完后，需要等待TWRPH1后，才能把WE拉高。

在这里插入图片描述
ALE/CLE 动作后(tCLS - tWP = 12-12=0=TACLS) 后，WE才能动作。WE动作持续tWP=12=TWRPH0。WE动作完，(tCLH/tALH=5=TWRPH1)后，ALE/CLE 才能动作。

寄存器

[NFCONF] NAND flash configuration register - 需要配置
[NFCONT] NAND flash control register - 需要配置
[NFCMMD] NAND flash command set register - 命令寄存器，写命令
[NFADDR] NAND flash address set register - 地址寄存器，写地址
[NFDATA] NAND flash data register - 数据寄存器，读写数据
[NFSTAT] NAND flash operation status register - 操作寄存器

NFCONF NAND flash configuration register 0x4E000000

  • [13:12] = 0 ： Duration = 0 = HCLK x TACLS =10ns x 0
  • [10:8] = 1 ：Duration = 12 ≤ 20 = HCLK x ( TWRPH0 + 1 ) = 10ns x (1+1)
  • [6:4] = 0 ：Duration = 5 ≤ 10 = HCLK x ( TWRPH1 + 1 ) = 10ns x (0+1)

NFCONT NAND flash control register 0x4E000004

  • [0] = 1 ：NAND flash controller enable
  • [1] = 1 ：Reg_nCE 片选信号（初始化先禁止片选，要用才片选）
  • [4] = 1 ：InitECC （Initialize ECC decoder/encoder(Write-only)）

NFCMMD 命令寄存器 0x4E000008
NFADDR 地址寄存器 0x4E00000C
NFDATA 数据寄存器 0x4E000010
NFSTAT 状态寄存器 0x4E000020

  • [0] 0: NAND Flash memory busy
  • [0] 1: NAND Flash memory ready to operate

读数据

这里是引用
col 是 0~2047
row 是 0~0x1F400 (128k)

在这里插入图片描述
片选CE拉低动作后，CLE命令引脚拉高……其实这一切都有nand控制器帮我们做这些时序。实际上我们输送0x00命令，然后传入地址（2col x 3row），然后输送0x30命令，等R/B引脚就绪后，就可以读数据了。

擦除

这里是引用

写操作

这里是引用

void nand_write(unsigned char addr, unsigned char *buf, unsigned int len)
{
	unsigned int i = 0;
	unsigned int col = addr & (2048 - 1);		//相等于addr % 2047
	unsigned int page = addr / 2048;
	
	nand_select();

	while(i < len)
	{

		nand_cmd(0x80); 	//set up write cmd
		
		nand_addr_byte((col) & 0xFF);			//col的低8位 
		nand_addr_byte((col>>8) & 0xFF);		//col的高8位 
		nand_addr_byte((page) & 0xFF);			//page的低8位
		nand_addr_byte((page>>8) & 0xFF);		//page的高8位
		nand_addr_byte((page>>16) & 0xFF);		//page的8-16位


		for (; (col < 2048) && (i < len); col++)
		{
			nand_w_data(buf[i++]);
		}
		col = 0;			//写完了一页重置col
		page++;				//读下一页
		
		nand_cmd(0x10);		//end write cmd
		wait_ready();
}	

	nand_deselect();
}

!!!

需要注意的是，Makefile的编译顺序，要把sdram的初始化放在nand前面，nand也要尽量放前，不然就不是在4k内存以内了。

!

执行读操作，发现是这样的… （数据应该是www.baidu.com）

77 00 00 00 77 00 00 00 77 00 00 00 2e 00 00 00 ; w…w…w…
62 00 00 00 61 00 00 00 69 00 00 00 64 00 00 00 ; b…a…i…d…
75 00 00 00 2e 00 00 00 63 00 00 00 6f 00 00 00 ; u…c…o…
6d 00 00 00 00 00 00 00 ff 00 00 00 ff 00 00 00 ; m…

找了半个小时bug，原来是nand_read函数的unsigned char buf，写成了unsigned int*buf*，导致每次读数据都读4字节，醉了。。

undefined reference to `memset’

在编译的时候说什么

nand_flash.o(.text+0x694): In function do_read_nand_flash': : undefined reference tomemset’
Makefile:2: recipe for target ‘all’ failed
make: *** [all] Error 1

这样的一大堆东东，但是我并没有使用memset函数啊。
查找后发现，原来是数组赋初值这里用到了。

unsigned char buf[64] = {0};

但是是库文件没有这个函数喔，那写一个呗。

void *memset(void *str, int c, unsigned int n)
{
	char *p = (char *)str;		

	if (str == NULL || n < 0)		//如果是空则退出
		return NULL;
	
	while (n--)
		{*p++ = c;}					//逐一赋值
	

	return p;

}

代码

/* NAND FLASH控制器 */
#define NFCONF (*((volatile unsigned long *)0x4E000000))
#define NFCONT (*((volatile unsigned long *)0x4E000004))
#define NFCMMD (*((volatile unsigned char *)0x4E000008))
#define NFADDR (*((volatile unsigned char *)0x4E00000C))
#define NFDATA (*((volatile unsigned char *)0x4E000010))
#define NFSTAT (*((volatile unsigned char *)0x4E000020))void nand_init()
{
	
/*
	**NFCONF** NAND flash configuration register 0x4E000000
	 - [13:12] = 0 ： Duration = 0 = HCLK x TACLS =10ns x 0
	 - [10:8] = 1 ：Duration = 12 ≤ 20 = HCLK x ( TWRPH0 + 1 ) = 10ns x (1+1) 
	 - [6:4] = 0 ：Duration = 5 ≤ 10 = HCLK x ( TWRPH1 + 1 ) = 10ns x (0+1) 
	**NFCONT** NAND flash control register 0x4E000004
	- [0] = 1 ：NAND flash controller enable
	- [1] = 1 ：Reg_nCE 片选信号（初始化先禁止片选，要用才片选）
	- [4] = 1 ：InitECC （Initialize ECC decoder/encoder(Write-only)
	 */

	NFCONF = ((0<<12) | (1<<8) | (0<<4));		//设置时序
	NFCONT = (( 1<<0) | (1<<1) | (1<<4));		//初始化
}

void wait_ready()
{
	/*
	**NFSTAT** 状态寄存器 0x4E000020
	- [0] 0: NAND Flash memory busy
	- [0] 1: NAND Flash memory ready to operate
	 */


	while(!(NFSTAT & 1));		//当[0]不等于1一直等待
}
void nand_select()
{
	
NFCONT &=  ~(1<<1);
}
void nand_deselect()
{
	
NFCONT |=   (1<<1);
}
unsigned char nand_data()
{
	return	NFDATA;
}
void nand_w_data(unsigned char val)
{
	NFDATA = val;
}

void nand_cmd(unsigned char cmd)	//8位的寄存器
{
	int i = 0;
	
NFCCMD = cmd;
	for(i=0; i<10; i++); 			//延时一会保证命令完成
}
void nand_addr_byte(unsigned char addr)			//8位的寄存器
{
	int i = 0;
	
NFADDR = addr;
	for(i=0; i<10; i++); 			//延时一会保证命令完成
}

void read_id()
{
	unsigned char buf[5] = {0};

	
nand_select();
	nand_cmd(0x90);				
	nand_addr_byte(0X00);		//读id的命令

	buf[0] = nand_data();
	buf[1] = nand_data();
	buf[2] = nand_data();
	buf[3] = nand_data();
	buf[4] = nand_data();

	puts("\n\r");
	puts("maker   id  =");print_hex(buf[0]);puts("\n\r");
	puts("device  id  =");print_hex(buf[1]);puts("\n\r");
 	puts("3th     id  =");print_hex(buf[2]);puts("\n\r");
 	puts("4th     id  =");print_hex(buf[3]);puts("\n\r");
	puts("Page Size   =");print_hex(1<<(buf[3] & 0x3));puts("\n\r");
	puts("Block Size  =");print_hex(64<<((buf[3]>>4) & 0x3));puts("\n\r");
	puts("5th     id  =");print_hex(buf[4]);

	nand_deselect();
	
}

void nand_read(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len)
{

	/* col 是0~0x2FF    (2047)	
	 * page是0~0x1F400 (128k)
	 */
	unsigned int i = 0;
	unsigned int col = addr & (2048 - 1);		//相等于addr % 2047
	unsigned int page = addr / 2048;



	nand_select();

	while(i < len)
	{
		nand_cmd(0x00);

		nand_addr_byte((col) & 0xFF);			//col的低8位	
		nand_addr_byte((col>>8) & 0xFF);		//col的高8位	
		nand_addr_byte((page) & 0xFF);			//page的低8位
		nand_addr_byte((page>>8) & 0xFF);		//page的高8位
		nand_addr_byte((page>>16) & 0xFF);		//page的8-16位
		
		nand_cmd(0x30);							//读命令

		wait_ready();
		for (; (col < 2048) && (i < len); col++)
		{
			buf[i++] = nand_data();			
		}



		col = 0;			//读完了一页重置col
		page++;				//读下一页
	}
	
nand_deselect();
}

int nand_erase(unsigned int addr)
{
	unsigned int page = addr / 2048;

	nand_select();

	nand_cmd(0x60);		//set up cmd
	
	/* 块擦除，只输入行地址 */
	nand_addr_byte((page) & 0xFF);			//page的低8位
	nand_addr_byte((page>>8) & 0xFF);		//page的高8位
	nand_addr_byte((page>>16) & 0xFF);		//page的8-16位

	nand_cmd(0xD0);		//erase cmd
	wait_ready();

	nand_cmd(0x70);		//获取擦除状态
	if ((nand_data() & 0x01))	//0: success, 1: error
	{
		nand_deselect();
		return -1;
	}
	
	nand_deselect();
	return 0;
}
void nand_write(unsigned char addr, unsigned char *buf, unsigned int len)
{
	unsigned int i = 0;
	unsigned int col = addr & (2048 - 1);		//相等于addr % 2047
	unsigned int page = addr / 2048;
	
	nand_select();

	while(i < len)
	{

		nand_cmd(0x80); 	//set up write cmd
		
		nand_addr_byte((col) & 0xFF);			//col的低8位 
		nand_addr_byte((col>>8) & 0xFF);		//col的高8位 
		nand_addr_byte((page) & 0xFF);			//page的低8位
		nand_addr_byte((page>>8) & 0xFF);		//page的高8位
		nand_addr_byte((page>>16) & 0xFF);		//page的8-16位


		for (; (col < 2048) && (i < len); col++)
		{
			nand_w_data(buf[i++]);
		}
		col = 0;			//写完了一页重置col
		page++;				//读下一页
		
		nand_cmd(0x10);		//end write cmd
		wait_ready();
}	

	nand_deselect();
}
void do_read_nand_flash()
{


	unsigned int i = 0, j = 0;
	unsigned char addr, c;
	unsigned char str[16];
	unsigned char buf[64];
	volatile unsigned char *p;

	puts("Input addr: ");
	addr = get_uint();
	
	nand_read(addr, buf, 64);
	p = (volatile unsigned char *)buf;
	for (i=0; i<4; i++)								//打印四行
	{
		for (j=0; j<16; j++)						//每行16个数据
		{
			c = *p++;
			str[j] = c;
			printf("%02x ", c);
			
		
}
		puts("   ; ");
		for (j=0; j<16; j++)
		{
			if (str[j] < 0x20 || str[j] > 0x7e)		//不可视字符
			{
				puts(".");
			}
			else									//打印字符
			{
				putchar(str[j]);

			}
		
}
		puts("\n\r");								//每行换行
	}

}

void do_erase_nand_flash()
{
	unsigned char addr=0;

	puts("Input addr: ");
	addr = get_uint();	
	
	if (nand_erase(addr) == 0)
	{
		puts("Erase successful.\n\r");
	
}
	else
		puts("Erase error.\n\r");
}

void do_write_nand_flash()
{
	unsigned char addr=0;
	unsigned char str[100];

	puts("Input addr: ");
	addr = get_uint();	
	
	
puts("Input string: ");
	gets(str);

	puts("Write...\n\r");
	nand_write(addr, str, strlen(str)+1);
}


void nand_flash_test(void)
{
	char c;

	while (1)
	{
		/* 打印菜单, 供我们选择测试内容 */
		puts("\n\r");
		puts("[s] Scan nand flash\n\r");
		puts("[e] Erase nand flash\n\r");
		puts("[w] Write nand flash\n\r");
		puts("[r] Read nand flash\n\r");
		puts("[q] quit\n\r");
		puts("Enter selection: ");

		c = getchar();
		putchar(c);
		puts("\n\r");
		/* 测试内容:
		 * 1. 识别nor flash
		 * 2. 擦除nor flash某个扇区
		 * 3. 编写某个地址
		 * 4. 读某个地址
		 */
		switch (c)		 
		{
			case 'q':
			case 'Q':
				return;
				break;
				
			case 's':
			case 'S':
				read_id();
				break;

			case 'e':
			case 'E':
				do_erase_nand_flash();
				break;

			case 'w':
			case 'W':
				do_write_nand_flash();
				break;

			case 'r':
			case 'R':
				do_read_nand_flash();
				break;
			
			default:
				break;
		}


	}
}
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s3c2440_Nand Flash Controller
2621593260的专栏
03-16 1272
Nand Flash简介：Nand Flash是由日本的东芝公司（Toshiba）于1989年发明。它具有掉电后仍能保存数据的特点，类似于PC上的硬盘，可以用来存放操作系统、应用程序、各个进程产生的各类数据。【Nor Flash是在1988年时由美国的Intel公司发明，比较贵，写入速度较慢，寿命较短，不易发生位反转等特点】 Nand Flash的接口是I/O接口，不能随机访问任意地址上的数据，
s3c2440 nand flash
zhuzhiqi11的专栏
06-25 557
nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来，以便以后不再使用该坏块。nandflash没有地址或数据总线，如果是8位nandflash，那么它只有8个IO口，这8个IO口用于传输命令、地址和数据。nandflash主要以page（页）为单位进行
S3C2440中Nand flash的使用
u014288396的博客
06-18 692
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S3C2440 FLASH 介绍
移动开发记录
06-07 264
S3C2440 有27 根地址线ADDR[26:0]，8 根片选信号ngcs0-ngcs7,对应bank0-bank7. 当访问BankN(N=0,1,2,...7) 的地址空间，ngcsN(N=0,1,2,...7) 引脚为低电平，选中外设。 每一个Bank容量：2^27=2^7 * 2^10 * 2^10 = 128Mbyte 总共有8个Bank，所以总寻址大小是：8*128Mbyt...
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1.Nandflash操作原理 下图是原理图中NandFlash和S3C2440的连接图， 问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线， 怎么传输地址？ 答1．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址 当ALE为高电平时传输的是地址， 问2. 从NAND FLASH芯片手册可知，要操作NAND FLASH需要先发出命令 怎么传入命令？ 答2．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址，也传输命令 当ALE为高电平时传输的...
S3C2440 NAND Flash的使用
01-20
基本知识　NAND flash： 速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；接口为IO接口　NOR flash： 速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K...
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09-24
标题"FMD.rar_FMD WinCE_NAND_fmd_s3c2440 nand_s3c2440 nand flash"所涉及的核心知识点主要集中在WinCE操作系统、NAND Flash存储器以及S3C2440微处理器上。描述中提到了在WinCE 5.0环境下，如何为S3C2440芯片添加一...
nand.rar_flash_s3c2440 nand flash
09-14
标题中的“nand.rar_flash_s3c2440 nand flash”暗示了这是一个关于使用S3C2440微处理器与K9F1208 NAND Flash交互的编程资源。S3C2440是三星公司推出的一款基于ARM920T内核的嵌入式微处理器，广泛应用于嵌入式系统...
S3C2440 nandflash
11-03
### S3C2440 NAND Flash 知识点详解 #### 一、S3C2440 NAND Flash 概述 S3C2440 是一款高性能的 ARM920T 处理器核心的应用处理器，广泛应用于嵌入式系统中。其支持多种外部存储器接口，包括 NAND Flash 接口。NAND...
s3c2440 nandflash存储器
jack.A!!en
10-04 2080
本文以K9F1208为例：一：nandflash 原理以及介绍NAND FLASH以页（page）为单位进行读写，以块(block)为单位进行擦除。1.nand flash的引脚I/O0~I/O7：数据输入输出，主要用于输入命令，地址，数据和读操作时候输出数据CLE:命令锁存使能，当高电平有效和WE在上升沿时，命令将被锁存在命令寄存器中。ALE:地址锁存使能，当ALE为高且we
JZ2440：nandflash
老鹏
04-18 4533
本篇文章链接：http://blog.csdn.net/qqliyunpeng/article/details/51180276 芯片的型号：K9F2G08U0C   1. 硬件部分： 1.1 简介： 芯片大小：256M Byte 记忆单元阵列：(256M + 8,192K)bit x 8bit 擦写次数比较少：10 万次  数据保留时间：10 年 8个IO 口进行数据和地址的复...
s3c2440的nandflash启动
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赵春江的专栏
08-11 1万+
本文介绍了如何使s3c2440进行nandflash的自启动方法。
S3C2440 NAND FLASH启动
m0_37458552的博客
04-02 541
在s3c2410的datasheet的述（OVERVIEW）中，讲到需要注意的几点：一、nandflash是没有办法直接映射到cpu内存空间的。nandflash要通到控制方式（在这里是nandflash controller）与cpu交换数据。二、既然没有办法映射到内存空间，就没有办法从nandflash直接启动。（原因：系统启动或复位时cpu中没有任何代码，系统会从内存空间0x00000000...
S3C2440裸机------NandFlash编程_数据读取
cumtchw
08-01 386
1. 一个page是由2028的page data和64字节的OOB组成的，
【S3C2440】第16课、Nandflash之学习笔记
荆楚长铗
07-13 572
说明：以下所有结论均经过在JZ2440开发板验证，并一致通过。 **1、Nandflash是如何被控制工作的？它是由2440的Nandflash控制器控制的； 它的内部寄存器组合是如何协调工作的？** 答：根据Nandflash具体操作（读内存/编程内存/擦除）的时序图，辅助以指令集。 2.当开发板从Norflash启动时，可以读取Nandflash？反之？ 答：当开发板从Norflas...
五、2440裸机开发 nand flash 操作
Never too old to learn.
04-22 2812
五、nand flash 操作 于nor flash相比，nand flash的容量要大许多，nand 不同于nor ，其采用i/o接口只能采取顺序访问，s3c2440不仅具有nandflash的接口，而且还可以利用某些机制实现直接从nandflash启动并运行程序。相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现
使用H-JTAG烧写S3C2440 NAND FLASH教程
"S3C2440 NAND FLASH烧写文档" 这篇文档主要讲述了如何使用H-JTAG工具来对S3C2440处理器上的NAND FLASH进行烧写操作。S3C2440是一款由Samsung生产的广泛应用在嵌入式系统的微处理器，它集成了NAND FLASH接口，使得...
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