S3C2440中Nand flash的使用

Nand flash的使用

1、Nand flash的硬件连接



Nand flash芯片为K9F2G08U0A，大小为2048块=2048*64(128K)页=256MB=2Gb(1B=8bit)，具体信息如下图所示：

S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器，在复位期间，Nand flash控制器首先通过与Nand flash相连的4个配置引脚的状态，获取外接的Nand flash的配置信息，4个配置引脚如下：
NCON：页的大小为2K Bytes，需要用Advanced Nand flash，所以设置为1(通过上拉电阻与3.3V相连)；
GPG13：页的大小为2K Bytes，所以设置为1(通过上拉电阻与3.3V相连)；
GPG14：Nand flash芯片地址线只有8条，但是地址共有2048(块)*64(页)*2K，为了读出多个地址，需要分5个周期来实现地址的发送，所以设置为1(通过上拉电阻与3.3V相连)；
GPG15：总线宽度为8位，所以设置为0(通过下拉电阻与GND相连)；

2、Nand flash的初始化

#define		NFCONF		(*(volatile unsigned int *)(0x4E000000))              
#define		NFCONT		(*(volatile unsigned int *)(0x4E000004))   

#define 	TACLS	 	0
#define		TWRPH0 		1
#define 	TWRPH1 		0
void nand_init(void)
{
	NFCONF = ((TACLS << 12) | (TWRPH0 << 8) | (TWRPH1 << 4));
	NFCONT = ((1 << 0) | (1 << 1) | (1 << 4));
}

NFCONF寄存器(Nand flash配置寄存器)的地址为0x4E000000，初始化NFCONF寄存器只涉及到3个参数：TACLS、TWRPH0、TWRPH1；

以上3个参数的设置要根据Nand flash的时序图进行设置：

之前已经设置了系统时钟，HCLK=100MHz，所以T=10ns；
TACLS：发出CLE/ALE信号之后，经过多长时间后才能发出nWE信号，从Nand手册知道CLE/ALE和nWE信号可以同时发出，所以TACLS=0；
TWRPH0：nWE的脉冲宽度=T*(1+TWRPH0)，最小12ns，所以TWRPH0>=1；
TWRPH1：nWE变为高电平后多长时间CLE/ALE变为低电平，最小5ns，所以TWRPH1>=0；

NFCONT寄存器(Nand flash控制寄存器)的地址为0x4E000004，初始化NFCONT寄存器只需要设置第0位、第1位和第4位即可；

3、Nand flash 的读写操作

#define     NFCMMD     (*(volatile unsigned char *)(0x4E000008))  /*NAND flash 发送命令寄存器，命令只有8位*/ 
#define     NFADDR     (*(volatile unsigned char *)(0x4E00000C))  /*NAND flash 发送地址寄存器，地址只有8位*/ 
#define     NFDATA     (*(volatile unsigned char *)(0x4E000010))  /*NAND flash 读/写数据寄存器，数据只有8位*/
#define     NFSTAT     (*(volatile unsigned char *)(0x4E000020))  /*NAND flash 运行状态寄存器，用于判断RnB脚*/

void nand_select(void)
{
	int i;
	/*使能片选信号，bit1置0*/
	NFCONT &= ~(1 << 1);	
	/*延时，等待芯片使能成功*/
	for(i = 0; i < 10; i++);
}

void nand_deselect(void)
{
	int i;
	/*禁止片选信号，bit1置1*/
	NFCONT |= (1 << 1);	
	/*延时，等待芯片禁止成功*/
	for(i = 0; i < 10; i++);
}

void nand_command(unsigned char command)
{
	int i;
	NFCMMD = command;
	/*延时，等待写入命令成功*/
	for(i = 0; i < 10; i++);	
}

void nand_send_address(unsigned int address)
{
	volatile int i;
	unsigned int col = address % 2048;			/*某一页的第几列*/
	unsigned int page = address / 2048;			/*第几页，也就是第几行*/

	/*先发送2个列地址，再发送3个行地址*/
	NFADDR = (col >> 0) & 0xFF;					/*低8位，A7~A0，第一个周期*/
	for(i = 0; i < 10; i++);					/*延时，等待写入地址成功*/
	
	NFADDR = (col >> 8) & 0x0F;					/*高4位，A11~A8，第二个周期*/
	for(i = 0; i < 10; i++);				
	
	NFADDR = (page >> 0) & 0xFF;				/*低8位，A19~A12，第三个周期*/
	for(i = 0; i < 10; i++);
	
	NFADDR = (page >> 8) & 0xFF;				/*高8位，A27~A20，第四个周期*/
	for(i = 0; i < 10; i++);
	
	NFADDR = (page >> 16) & 0x01;				/*第17位，A28，第五个周期*/
	for(i = 0; i < 10; i++);
}

unsigned char nand_read_data(void)
{
	/*读取数据*/
	unsign char p = NFDATA;
	return p;
}

void nand_wait_idel(void)
{	
	/*NFSTAT寄存器中的bit1，表示RnB引脚的高低电平:
	为0:Nand flash中数据还没有准备好，一直循环;
	为1:Nand flash中数据准备好，退出循环;*/
	while(!(NFSTAT & 0x01));
}

void nand_read(unsigned int *src, unsigned char *dest, unsigned int len)
{
	/*src:源地址，为32位，所以用unsigned int表示*/
	/*dest:目的地址，由于Nand flash上每一个地址存放一个字节的内容，所以用unsigned char表示*/
	int i = 0;
	/*第一次读，可能不是某一页的0地址处，需要记录在当前页中的列位置*/
	int Col  = src % 2048;
	nand_select(); 						/*使能片选信号*/

	while (i < len)
	{
		nand_command(00);				/*发送读命令0x00H*/
		nand_send_address(src);			/*分5个周期发送源地址*/
		nand_command(0x30);				/*发送读命令0x30H*/
		nand_wait_idel();				/*等待数据准备就绪*/

		/*连续读取页内数据*/
		for (; (Col < 2048) && (i < len); Col++)
		{
			dest[i] = nand_read_data();
			i++;
			src++;
		}
		Col = 0;
	}
	nand_deselect(); 					/*读完数据后，禁止片选信号*/
}

一个设备(device) = 2048块(block)
一块(block) = 64页(page)
一页(page) = (2K + 64)B

一个地址，存放一个字节(8位)的内容，64B是ECC的OOB地址(ECC：存放判断位反转的校验码)。Nand flash有一个缺点，读数据时容易位反转，可以通过ECC编码器的值来判断读取的数据是否位反转，若反转则重新读取数据。
读取OOB的方法：
读整个Nand flash时，是读不出页里面的OOB地址，比如读第2048个地址的数据时，对应的是page1上的第一个地址的数据；
只有读某一页时，才能读出这个页里面的OOB地址，比如读page0的第2048个地址的数据时，对应的是page0的OOB的第一个地址。

Nand flash芯片只有8条地址线，但是地址共有2048(块)*64(页)*2K，为了读出多个地址，需要分5个周期来实现地址的发送。当我要访问某一个地址的数据，首先我要确定它在哪一行(Row)、哪一列(Col)上面，列的范围就是0-2047，如果大于2047，访问的就是OOB区。

A10–A0对应每一页的列，每一页有2048(2K)B，所以只需要A10~A0(2^11=2048)；
A28~A11对应所有的页(也就是行)，2048(块)*64页；
对于地址发送就是：先发出2个列地址(先发送低8位，再发送高4位)，再发出3个行地址(先发送低8位，再发送高8位，最后发送第17位)。

从时序图可以看出，Nand flash读数据分为以下几个步骤：
1)使能片选CE，将CLE置1，等待发送命令；
2)将WE置低，将IO置为0x00H然后拉高WE，触发一次上升沿，将0x00H写入flash中；
3)将CLE置0，表示发送地址(分5个周期发送)；
4)发送读命令0x30H；
5)等待RnB信号为高电平；
6)读取数据；
在同一页里数据可以连续读，读到下一页时，需要重新发送新的地址才可以读，例如地址1000到2050地址的数据时：
a、发出1000地址，到达第0页的1000地址处，然后连续读(2048-1000)次数据，直到到达第0页的2047地址处；
b、再发出2048地址，到达第1页的0地址处，然后连续读(2051-2048)次数据，直到读到2050地址处为止。
7)取消片选nCE。