内存对齐(memory align)

0. 内存结构

我们平时所称的内存也叫随机访问存储器（random-access memory）也叫RAM。而RAM分为两类：

• 一类是静态RAM（SRAM），这类SRAM用于前边介绍的CPU高速缓存L1Cache，L2Cache，L3Cache。其特点是访问速度快，访问速度为1 - 30个时钟周期，但是容量小，造价高。
• 另一类则是动态RAM(DRAM)，这类DRAM用于我们常说的主存上，其特点的是访问速度慢（相对高速缓存），访问速度为50 - 200个时钟周期，但是容量大，造价便宜些（相对高速缓存）。

内存由一个一个的存储器模块（memory module）组成，它们插在主板的扩展槽上。常见的存储器模块通常以64位为单位（8个字节）传输数据到存储控制器上或者从存储控制器传出数据。

如图所示内存条上黑色的元器件就是存储器模块（memory module）。多个存储器模块连接到存储控制器上，就聚合成了主存。

而前边介绍到的DRAM芯片就包装在存储器模块中，每个存储器模块中包含8个DRAM芯片，依次编号为0 - 7。

而每一个DRAM芯片的存储结构是一个二维矩阵，二维矩阵中存储的元素我们称为超单元（supercell），每个supercell大小为一个字节（8 bit）。每个supercell都由一个坐标地址（i，j）。

i表示二维矩阵中的行地址，在计算机中行地址称为RAS(row access strobe，行访问选通脉冲)。
j表示二维矩阵中的列地址，在计算机中列地址称为CAS(column access strobe,列访问选通脉冲)。

下图中的supercell的RAS = 2，CAS = 2。

DRAM芯片中的信息通过引脚流入