NAND和NOR flash的区别

今天和厂商的交流中学习了一些NAND和NOR的内容，之后又从网上看了些资料完善了相关的内容。
1、Flash的基本存储单元是浮动栅极场效应管（Floating Gate FET）。浮栅FET的基本原理就是在普通的FET中设置了一个浮动栅极，通过对浮动栅极电荷的注入可以控制DS之间通道的导通。当浮栅中注入电荷后，DS之间导通，该存储单元即为0，当移除电荷后，DS之间关断，存储单位为1.
2、一般Flash的存储技术有如下几种划分，分别是SLC、MLC和TLC。其中SLC（Single-Level Cell），是指单个存储单元可以储存1 bit的数据。MLC（Multi-Level Cell）可以储存2 bits，TLC（Trinary-Level Cell）可以储存3 bits。其中数据量的多少主要通过浮动栅极中的电荷量来调整的。从SLC到TLC，价格由高到低，容量有小到大，擦写次数由多到少。
3、NOR中的N是指not，含义是当浮栅中有电荷的时候，输出是0，没有电荷时，输出是1，这是一种“非"的逻辑；OR是指该类型的存储结构是阵列式的并行存储，可以视为一种“或”的逻辑。同理的，NAND中的N也是指not，AND是指“与”逻辑，这和NAND的结构是相关的。
4、浮栅场效应管的栅极中存有电荷的时候，会在衬底的表面感应出正电势，从而提高了阈值电压，但是该过程笔者还没有完全理解。按照笔者的理解，在提高了阈值电压之后，control gate的读取电平还是不变，那么阈值电压提高了，SD之间就应该更难以导通才对，那么从D中读到的应该是“1”才对，但是资料里都说明，当栅极有电荷的时候，SD之间导通，由于S端接地，从而在D端读到的是0。这一点将来有机会再请教一下别人。 看到了一句话，对这个点有了更清晰的认识，事实上对于0或1并非是按照电平的高低来定义的，而是根据电压阈值在定义的，即如果电压阈值小于设定的值那么就是1，如果大于设定的值那么就是0.可以用下面这个图来很好的说明！并且，对于MLC和TLC也可以很好的理解了，其实就是设置了很多个电压判定的阈值罢了。

5、NOR flash的结构是一堆FET组成了一个大的阵列，每一行的FET的控制栅极并联组成wordX信号，每一列的漏极并联组成bitY信号，其中X，Y是对应的行号和列号。这样的结构，使能word信号可以立刻读出对应行每一列所储存的数据，因此适用于有较高读要求的应用，例如存储bios的flash等。但是，由于阵列中需要走很多的信号线，因此其难以做成大容量。NOR flash使用的是热电子注入的方式给浮栅注入电荷，因此其写入时的速度很慢。
6、NAND flash结构是每一行的FET栅极并联，每一列的源极和漏极串联。其中每一行的FET组成一个page。NAND数据的读取都是按page读取的，其擦除则是按照block擦除的。当要读取某个page的时候，除了该page以外的所有page会使能control gate，从而通道导通。NAND不能实现位读取，因此不能用来运行程序。其特点是读取和写入的速度都很快，同时由于不需要布置太多的金属线，NAND的flash存储密度可以做的很高。容量可以很大。除此之外，NAND也存在bit之间干扰的风险。