SX126x-时钟模块介绍

目录

1 前言

2 内部RC振荡器

3 外部时钟源

3.1 Crystal方案

1）电路图设计

2）内部可编程电容

3.2 TCXO方案

1）电路图设计

2）内部可编程电容

3）DIO3作为TCXO电源

4 Crystal和TCXO方案比较

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1 前言

        选择合适的晶振对于射频芯片是十分重要的，本文主要介绍了SX126x芯片的时钟模块，主要包括2个内部的RC和一个外部的晶振，详细介绍了各自的作用，以及不同晶振方案的对比。

2 内部RC振荡器

        内部包含2个RC振荡器，直接由VBAT供电：64Khz RC 和13Mhz RC：

• RC64K 用于内部定时器功能，比如在RxDuty模式下，周期执行Rx-Sleep，或者用于发送/接收超时判定
• RC13M 用于SPI接口

3 外部时钟源

        射频收发器通常需要一个外部时钟参考，以便为射频和数字操作产生高频时钟。除了自身的RC，外部还需要一个晶振，它被用作锁相环频率合成的参考，并作为所有数字处理的时钟信号。

• 在设计上兼容Crystal和TCXO两种方案

3.1 Crystal方案

1）电路图设计

        外部采用32Mhz晶振，两端连接到引脚XTA和XTB上

2）内部可编程电容

        SX126x不需要用户在32 MHz时钟的XTAL上设置外部脚电容，该设备配备了内部可编程电容。可通过寄存器来调整匹配电容大小

• 每个电容大小可单独设置，步进值为0.47pF
• 上电，复位，或者从sleep cold star模式唤醒，这3种场景时，寄存器会被初始化为0x05即13.6pF
• 当设备被设置为STDBY_XOSC模式时，寄存器值会被值0x12覆盖，即19.7pF

3.2 TCXO方案

        TCXO是一种将温度补偿电路与晶体结合在一起的器件，具有更大的频率稳定性在广泛的温度范围，下图可以看出温度补偿对晶振漂移的影响。

1）电路图设计

• 内部配置DIO3作为TCXO的电源，电压可配置1.6V~3.3V，正常电流负载为1.5mA，最大可支持4mA
• TCXO通过220Ω电阻和10pF的电容连接到XTA引脚上，XTB引脚悬空。

2）内部可编程电容

        使用TCXO时，需要使用命令SetDIO3AsTCXOCtrl()配置DIO3作为电源。该命令还会使XTA内部电容配置为0x2F即33.4pF

3）DIO3作为TCXO电源

        命令SetDIO3AsTCXOCtrl()用于配置芯片的外部TCXO参考电压，由DIO3控制。

• tcxoVoltage

        设置输出电压1.6V~3.3V，需注意的是，受限于芯片的供电电压，实际可配置最大电压不能超过芯片电源电压-200mv

• delay

        TCXO供电后，需要一定时间起振，最终稳定到所需的频率。这个时间会依据不同TCXO厂家而不同，这个参数就是设置内部状态机等待TCXO稳定的时间。如果超时，会标记XOSC_START_ERR。

        PS：该命令发送后，并不是立即执行。而是在TCXO需要的时候（STDBY_XOSC,FS,TX,RX模式下），芯片才控制DIO3输出电压值，并且设定delay超时时间来等待TCXO起振。选择TCXO方案时，启动发射和接收需注意这里的时间开销。

4 Crystal和TCXO方案比较

• TCXO提高了频率稳定性，但成本较高，并且启动时间慢，功耗高。
• Crystal成本低，但容易受温度影响，需要在PCB上开槽进行热隔离

类型	Crystal	TCXO
型号	NX2016SA-32MHz-EXS00A-CS06465	NT2016SA-32MHz-END4263A
标称频率	32MHz	32MHz
供电电压	不需要	1.65V~3.65V
供电电流	不需要	2mA
输出类型	-	正弦波
输出电压	-	0.8Vpp
温漂	+/- 10 ppm for -20 to +70°C +/- 30 ppm for -40 to +85°C	+/- 2.5 ppm for -30 to 85°C
老化	+/- 3 ppm for 1st year +/- 5 ppm for 5 years +/- 10 ppm for 10 year +/- 15 ppm for 15 year	+/- 1 ppm 1 year +/- 3 ppm for 5 year +/- 5 ppm per 10 year
相噪	-	-86dBc/Hz @ 10Hz offset -114dBc/Hz @ 100Hz offset -137dBc/Hz @ 1kHz offset -149dBc/Hz @ 10kHz offset
负责阻抗	10kΩ||10pF	10kΩ||10pF
启振时间	150us	2ms S