本文详细介绍了单片机中的FLASH、EEPROM和RAM的区别。FLASH主要用于程序存储，不可在运行时修改；RAM作为运行时数据存储器；EEPROM则用于保存掉电后不丢失的数据，可随时更改。FLASH和EEPROM在操作方式、寻址和电路结构上有显著差异，且在成本和应用场景上有各自的优势。在某些MCU中，会结合使用两种非易失性存储器，或者用Flash模拟EEPROM以平衡成本和功能需求。
FLASH主要是程序存储器，在运行过程中不能改，使用的时候我们是把所编写的程序烧录到flash中去，RAM主要做运行时数据存储器，
EEPROM是用来保存掉电后用户不希望丢的数据，运行过程中可以改变，可以理解为数据存储器。比如一个时钟闹铃初始化设定为15：00,后来在运行中改为8：00，这是保存在EEPROM里，不怕掉电。
以下是详细介绍：
FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同
FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同
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