u011774634的博客

读直接输入io，后面加寄存器地址即可，但是，默认是按1字节来读的，由于芯片每个寄存器都是32位(即4个字节)，为了方便查阅，我们经常一次读4个字节，如：有时候也会一次性读多个字节，比如一次性读32个字节，每4个字节显示为一组：写写寄存器的操作相对读只是后面多了个寄存器的值，一般经常是一次写4个字节，如：

命令：getprop | grep rksdk。

原因：单串电池在发生欠压保护后，需要电池端给一个高电压脉冲，高电压的大小应大于（电池电压+0.6V），这样电池才能解除CUV恢复对外放电。正常情况下电池的欠压保护点在3V，机器的充电电压设置为4.4V，所以可以解除保护。但低温下，当电池电量还较高的时候（50%以上），此时电池电压较高，比如此时电池电压为3.9V，发生CUV后就需要电池端正极给一个大于4.5V的脉冲才能解除保护，因系统充电电压为4.4V，始终无法达到4.5V，所以电池就无法解除保护。因0x447c属于data flash中的寄存器。

报错信息：解决：修改kernel/script/Makefile，在HOSTLDLIBES_extract-cert这个宏后面指定链接路径：

linux拆分压缩包