《运放秘籍》系列视频原创作者、畅销书《硬件设计指南 从器件认知到手机基带设计》原创作者

输入阻抗越大、输出阻抗越小，则越好。比如，C=1uF、R=160Ω与C=100nF与R=1600Ω这两种配置，其截止频率都是1kHz，从图4-89 可知，C=1uF、R=160Ω的配置下，其输入阻抗更低，该配置不利于信号在级间传播。比如运放输出的最大信号是100mV，最大输出电流为10mA，则RC滤波电路的输入阻抗应≥100/10=10Ω，前级运放的输出驱动电流能力越小，则RC的输入阻抗应该越大。电阻越大则噪声越大，不过RC滤波电路一般在电路的后级，其噪声贡献不大，但并不意味着可以随随便便用几MΩ的电阻。

2：高通滤波器的电阻偏差越大，则失调电流转换成的电压也越大。如，将图4-55 中的R3取误差1%，改为11MΩ，测输出波形见图4-56 ，深蓝色的输出波形失真更严重，输出直流偏差增加。图4-55 是某设计师设计的1000倍放大电路，第一级是仪放，放大倍数为100倍，第二级为同相放大，放大倍数为10倍，一共放大100*10=1000倍。仪放前端加了高通滤波器，为了抑制实际信号中的低频扰动，高通滤波器的截止频率大约是20mHz。1：高通滤波器的电阻越大，则偏置电流转换成的电压就越大。

假设信号传输延迟为2 ns，第0秒时，信号源产生一个1V信号向负载传输，经过两秒后到的接收端，接收端开路阻抗为无穷大，计算的反射系数R≈1，那么反射回来的信号电压也是1V，反射的1V和入射的1V叠加后，幅值变为2V，那么在第2ns，接收端测量时就会看到一个2V的信号，如下图实线所示。再过2ns后，-0.67V这个电压从A点传播到B点。到达B点后，发生全反射，反射的电压也是-0.67V，B点原来的电压是2V，入射电压是-0.67V，反射电压是-0.67V，三者叠加后：2-0.67-0.67=0.66V，

处理过EMC问题的同学可能比较有经验，对于散热金属或者屏蔽金属笼子，为避免不必要的耦合或者避免金属笼子形成天线（单极子天线），也为了将噪声旁路到更小的低阻抗环路中，散热片或屏蔽笼子一般要进行接地处理，一定要保证非常低的接地阻抗，对于一些传导骚扰的测试，这个接地点的位置很重要，为了有效旁路噪声，甚至要在靠近骚扰出入端进行单点低阻抗的接地处理。对于接插的模组比如相机和屏幕，静电容易在模组和整机的缝隙中串入手机，引起手机异常，可以在连接器引脚处增加TVS管，缓解静电问题。缩短走线，删除无用线头，避免天线效应。

但是在传输线的概念中，“参考路径”与是否接地无关，哪怕“参考路径”是浮空的金属导体，也可以构成传输线，有的PCB设计中是以电源平面作为参考平面而不是地平面。此外，在传输线的概念中，只要发射端刚产生信号，“参考路径”上就会同时产生伴随的返回电流，而不是传统观念中，信号经过负载后再通过地线回流，这一点后面会详细介绍。满足以上特点的一对导体就可以构成传输线，在PCB走线中，一般把一个完整的平面用于“参考路径”，我们习惯称之为参考平面，对信号要求高的场合下，信号会有上下两个参考平面，甚至左右也有伴随地孔。

我们以PMOS LDO为例来仿真下ESR对LDO输出的影响，LDO输出电压为3.2V，输出电容为2.2uF，ESR是R4我们选取为0.1Ω，负载为50Ω（负载电流为3.2/50=70mA），当开关S1闭合时，负载为R6和R5的并联，此时负载电流大约是700mA，我们仿真的方法就是改变ESR电阻R4，切换负载电流，观察输出电压的变化。下图是把ESR改为100Ω后的结果，刚开始输出是稳定的，切换负载电流时，输出也容易出现异常。：工程师看海，与我联系：chunhou0820。大家好，我是工程师看海。

电阻的噪声通常指的热噪声，哪怕电阻没有连接到电路中，没有电流流过电阻，电阻两端也会有电压变化，这就是电阻热噪声，在系统工作频率范围内，电阻的热噪声可以认为是白噪声。同样的，噪声也与温度有关，毕竟这个噪声叫做热噪声，只是这个噪声对温度并不敏感，因为公式中是热力学温度，当温度变化为十几或几十摄氏度时，对噪声的影响并不是很大。当温度是27℃（300开尔文）时，10KΩ的电阻，在100KHz放大电路中，电阻两端的开路热噪声电压有效值是4uV。比如上面例子中，17℃和27℃下，电阻两端的噪声基本差别不大。

假如这个电源正常工作时电压应该是3.3V，跌落0.05V就变成了3.25V，再假如负载的电源输入范围是3.28V~3.35V，那么3.25V<3.28V，电源将不满足负载的要求，就很可能引起系统异常甚至死机重启。对于理想电压源而言电动势E是不变的，当输出电流Io增加时，内阻r上分担的电压Io*r也会增加，Vo就会减小，随后电源通过内部的调节网络，减小内阻r使得Vo又上升回来。反之，当Io减小时，内阻r上分担的电压Io*r也会减小，Vo就会减增加，随后电源通过内部的调节网络，增加内阻r使得Vo又上升回来。

信号每向前传播一步都会遇到特定的电容参数与电感参数，这里我们引入两个新的变量：“单位长度电容C”与“单位长度电感L”由上面介绍可以知道，特性阻抗的概念是基于两个及以上的导体，因此需要有良好且完整的参考平面作为回流路径，我们要避免参考平面被割裂出现跨分割，这可能会导致阻抗不连续，出现反射。信号在传输线中，是一步一步向前走的，电磁场的建立也是需要一个过程的，信号不是一下子从发射端传播到接收端。同理，如果一条传输线长度为Z，那么它的回路电感就是Z*L，单位长度电感一般为几nH。大家好，我是工程师看海。

另一个原因是有利于控制阻抗，FPC软排线非常薄，根据前文介绍，介质变薄会使得阻抗变小，如果要增加阻抗到50Ω，就需要把走线做的非常细，这对制作工艺要求非常高，为了既把阻抗控制到50Ω，又不减小走线宽度，可以使用网格铜。在SI9000软件中，我们输入走线参数就可以计算出阻抗了，然后根据结果调节线宽，就可以达到目标阻抗，比如如果填完参数发现计算的阻抗比目标阻抗50Ω大，那么我们就可以增加线宽，使得阻抗减小，多试几次就可以把阻抗修改为50Ω了。走线铜厚增加，电感减小，电容增加，阻抗就会跟跟着减小。

第三原因是，厂家的生产制作工艺影响，比如某型号的元器件，长期以来都是使用的旧产线，工艺落后，MOS等器件做的厚，耐压值就高。有的工程师提出反对意见，比如上面提到的电容，有的人会说，“虽然电容手册里标注的额定工作电压是2.5V，但是他们一直按照3V使用都正常，那就不用管降额了，也不用管datasheet了，以后就按照3V用。第二个原因是概率事件，性能参数的模型接近正态分布，就是大部分电容的性能参数都是很不错的，只有极少数电容性能参数不够，可能数量很少的电容额定值超过3.0V，小批量生产时没有暴露出来。

下图是某电源的PFM和PWM波形测试结果，第一行是输出电压纹波，可以看到PFM模式的纹波要大于PWM模式，第二行是电源开关节点SW位置的电压波形，可以看到PFM模式时开关导通下就停了，而PWM模式的SW节点是一直处于开关状态，这个可以作为区分PFM和PWM的标志。上面波形中PFM模式是间歇性的开关一次，有的情况是间歇性开关多次，比如下图，第一行是开关节点的波形，就是间歇性的产生开关脉冲序列，从第三行可以看到电感，在开关时电感反复充放电，开关停止则充放电也就停止了。大家好，我是工程师看海。

我们继续以同相放大电路为参考，开环增益是100dB，对应开环放大倍数A为100000（20log(100000)=100dB），R1 = 1KΩ，Rf = 999KΩ，根据以前的推导，这个电路的放大倍数G = 1+Rf/R1 = 1000倍。用万用表测试精度会更高一些，80Hz的输入信号，有效值是0.0707mV，放大后是69.99mV，实际放大倍数是990倍，与计算得到的1000倍相比差了10倍。有很多同学会说，如果设计放大倍数太大，电阻阻值就会跟大，电阻大了以后噪声也会大，因此放大倍数有限。

为了控制群组走线等时性的要求，比如手机MIPI信号、USB或DDR信号，通常的做法是对PCB走线进行绕等长处理，在初步调整走线后，选一根最长的走线为目标长度走线，其余走线通过绕线的方式增加走线长度，最终达到所有走线长度一致，俗称蛇行走线，如上图所示。同样的道理，PCB上走线与走线之间、走线与地之间会形成互感，其中一条走线有信号经过时，会产生变化多的磁场，这个磁场通过互感，作用于另一条走线，在受害线上产生噪声，进而产生串扰，这就是通常所说的磁场耦合产生感性耦合电流。而矮胖走线，相邻走线长度小，串扰也小。

我们可以简单点理解这个现象，如果传输线很短，而信号上升沿又很长，信号从A点出来后经传输线到的B点并发生正反射，反射回A的信号又发生负反射向B端传播，与此同时缓慢的上升沿也向B传播，B点的电压还没有来得及到达最大值，就被反射回B的负电压拉低了。比如一个信号的上升沿是100ps，那么临界长度是50ps，我们分别看看下图中走线长度小于临界长度、等于临界长度和大于临界长度三种长度的走线情况下负载开路状态下反射波形，一个最明显的特征是临界长度时，反射波形刚好达到最大值，走线小于临界长度时反射比较小，达不到最大值；

再看下100倍闭环放大，下图红色是5.8Khz输入信号，绿色是放大后的输出信号，可以看到信号并没有放大到100倍，通过万用表测量有效值计算，输入信号有效值是0.1mV，输出信号有效值是0.7048mV，实际放大倍数：0.7048/0.1=70.48倍。我们重新设置放大电路的电阻，得到一个新的增益Gc’，见上图，我们再取一个闭环增益Gc’，Gc’降低3dB与Go相交时的频率为Fc’，如果把纵坐增益换成放大倍数A，那么A(Gc)与Fc的乘积约等于A(Gc’)与Fc’的乘积，这个乘积就是常数GBW。

介绍信号完整性就必须说说S参数，在我们仿真和测试中经常会用的S参数，S参数的全称为Scatter 参数，即散射参数，是在传输线两端有终端的条件下定义出来的，一般是50Ω。通过S参数，我们能看到传输通道的几乎全部特性，例如信号的反射，串扰，损耗，都可以从S参数中找到有用的信息，我们。S21，S12，S34，S43表示插入损耗。S11的具体理解可以见下面示意图，S11等于反射回来的信号b1除以入射进去的信号a1，这两个信号的频率一样，幅度和相位有差异，S11这也就是我们前文提到的反射系数，只是表达不同而已。

双电池并联的特点是：总电压不变，容量升高。接下来到达时间T2-T3也是CC阶段，从T2开始，辅助充电IC开始介入充电过程，充电路径见上图红色曲线，此时的充电功率有了大幅变化，USB充电线上的电流可以达到8A，进入手机的电流是USB电流的一半，大约是4A，图里辅助充电IC是降压电荷泵充电架构，特点是电压减半，电流加倍，电池充电电流是4A，假如电池电压是4V，那么此时电池舜时充电功率就是4*4等于16W，USB提供的大约是8V2A也是16W，电荷泵的原理参考以前文章：《一文理解电荷泵电源原理》。

缓解的方法如下：减小地线的电阻，缩短模拟电路和数字电路共用地线，把模拟电路和数字电路通过磁珠隔离进一步压制干扰，假如数字电路电流波动不变，依然是1A，共用的地的电阻降低到2 mΩ，此时数字电路在共地部分引起的电压波动只有0.002*1=0.002V，比上面的20mV小了很多，同时，有磁珠的存在还会进一步压制这个噪声，提高模拟电路的信噪比或者是共模抑制比。正是基于上面的介绍，所以一般电路板都会进行大面积的铺铜（大面积铺地平面，减小阻抗，增加回流能力），减少地的电阻。大家好，我是工程师看海，原创文章欢迎。

饱和就是指水满了，如下图饱和时状态所示，此时水面高度IC已经满了（已经饱和）不受控于IB了，而受控于水杯的高度VCE，如果想要进一步增加IC，就需要增加水杯高度VCE，这样理解饱和这个概念就更形象易懂了。的特点是，不管VCE怎么变化，只要IB等于0或接近于0，IC也就约等于0，我们还是以水杯为模型来加深理解，下图中注入杯中的水龙头IB水流非常小，接近于0，所有不管水杯VCE多高，水杯中的水IC始终接近于0。还是以水杯模型来加深记忆，下图中放大状态的水杯中，不管水杯高度VCE是多高，IC的高度只受控于IB。