高压栅极驱动器L6385ED013TR

一、器件概述

L6385ED013TR是高压栅极驱动器，该驱动器设计用于驱动高压侧和低压侧的IGBT或N沟道MOSFET，适用于半桥配置。它采用SOIC-8封装，具有紧凑的尺寸和高效的性能。

二、技术规格

1. 电源电压：最大为17V，支持宽范围的电源电压输入。
2. 输出电流：具有400mA的源电流和650mA的灌电流能力，满足多种驱动需求。
3. 开关速度：上升时间和下降时间分别为50ns和30ns，提供快速的开关性能。
4. 工作温度范围：从-40℃到+125℃（或某些资料中提到的-40℃至+150℃），确保在各种环境条件下都能稳定工作。
5. 封装形式：SOIC-8封装，便于表面贴装和节省空间。

三、功能特性

1. 自举二极管：内置自举二极管，简化了电路设计并提高了系统的可靠性。
2. 抗扰度：具有出色的dV/dt抗扰度性能，能够在高噪声环境中稳定工作。
3. 低电压锁定：内置低电压锁定功能，保护驱动器免受低电压条件下的损坏。
4. CMOS/TTL兼容输入：输入端与CMOS/TTL电平兼容，便于与各种逻辑电路接口。

四、应用场景

L6385ED013TR适用于多种需要高压栅极驱动的应用场景，如电机控制、电源转换、逆变器等。它特别适用于需要快速开关响应和高可靠性的场合

• 电机控制：在电机控制系统中，L6385ED013TR可用于驱动电机驱动器的IGBT或MOSFET，实现电机的精确控制。
• 电源转换：在开关电源、逆变器等电源转换设备中，该驱动器可用于控制功率开关管，实现电压和电流的高效转换。

希望对大家有帮助