新品，碳化硅 (SiC) FET: 750V UJ4SC075006K4S、UJ4SC075009K4S、UJ4SC075011K4S 和 UF3C065030B3 650V 高性能SiC FET

一、UJ4SC 750V Gen 4 SiC FET

UJ4SC075011K4S——750 V, 11 mohm SiC FET TO-247-4L

UJ4SC075009K4S——750 V, 9 mohm SiC FET TO-247-4L

UJ4SC075006K4S——750 V, 5.9 mohm SiC FET TO-247-4L

UJ4SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列产品，提供业界最佳的性能品质因数，可在更高速度的情况下降低导通损耗和增加效率，同时提高整体成本效益。Gen 4系列有5.4mΩ 至60mΩ 可选，基于独特的共源共栅配置，其中高性能SiC JFET与共源共栅极优化的Si-MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。UJ4C/SC 750V FET的标准栅极驱动特性可实现“插入式更换”功能。设计人员可以使用UnitedSiC/UJ4C/SC FET替代现有的 Si IGBT、 Si FET、 SiC FET 或 Si 超级结器件，从而显著提高系统性能，而无需更改栅极驱动电压。

特征
额定VDS ：750V
低RDS(on) ：5.4mΩ至60mΩ
关键的优异性能使下一代高性能电源设计成为可能
同类最佳的RDS(on) x 面积
提高给定RDS(on) 时的Qrr 和Eon/Eoff 损耗
降低Coss(er)/Eoss 和Coss(tr)
6mΩ时短路耐受时间为5µs
可用标准的0V至12V或15V栅极驱动电压安全驱动
真正的5V阈值电压可保持出色的阈值噪声容限
适用于所有Si IGBT、Si FET和SiC FET驱动电压
优秀的反向恢复
出色的体二极管性能（Vf<2V）
低栅极电荷
ESD保护，HBM 2级
TO247-3L、TO247-4L（Kelvin）和MO-229封装
符合AEC-Q101标准

应用
牵引逆变器
DC-DC转换器
光伏逆变器
Ev电池充电
开关模式电源
功率因数校正模块
电机驱动器
感应加热
IT基础设施
固态继电器和断路器（仅限-L8S型号）
AC/DC前端中的线路整流和有源桥式整流电路（仅限-L8S型号）

碳化硅 (SiC) FET: 750V UJ4SC075006K4S、UJ4SC075009K4S、UJ4SC075011K4S 和 UF3C065030B3 650V 高性能SiC FET —— 明佳达

二、UF3C 650V SiC FET

UF3C065030B3——650 V, 27 mohm SiC FET D2PAK-3L

规格

技术：SiC

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Id-连续漏极电流：65 A

Rds On-漏源导通电阻：27 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4 V

Qg-栅极电荷：51 nC

最小工作温度：- 25°C

最大工作温度：+ 175°C

Pd-功率耗散：242 W

通道模式：Enhancement

资格：AEC-Q101

商标名：SiC FET

系列：UF3C

配置：Single

下降时间：15 ns

产品类型：MOSFET

上升时间：16 ns

典型关闭延迟时间：57 ns

典型接通延迟时间：32 ns

单位重量：3 g

概述

采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC UF3C SiC FET基于独特的共源共栅电路配置，具有出色的反向恢复功能。在共源共栅电路配置中，一个常开SiC JFET与一个Si MOSFET封装在一起，形成一个常闭SiC FET器件。这些SiC FET具有低体二极管、低栅极电荷和4.8V阈值电压，允许0V至15V的驱动。

特征
D2PAK-3L@ 650V 30mΩ、40mΩ和80mΩ
D2PAK-7L@ 650V 80mΩ、1200V 80mΩ和150mΩ
85mΩ典型导通电阻RDS(on)
175°C最高工作温度
140nC卓越的反向恢复能力（Qrr）
1.5VFSD（正向电压）低体二极管
23nC低栅极电荷
4.8VG（th）阈值电压
>6.1mm的封装爬电和间隙距离
用于优化开关性能的开尔文源极引脚
ESD防护

应用
电信和服务器电源
工业电源
功率因数校正模块
电机驱动器
感应加热

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