用于汽车应用的SiC MOSFET: AIMBG75R090M1H、AIMBG75R060M1H、AIMBG75R027M1H、AIMBG75R020M1H、AIMDQ75R020M1H碳化硅分立器件

摘要

英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。CoolSiC™ MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V电压等级，7 mΩ-1000 mΩ导通电阻范围的产品。CoolSiC™沟槽技术可实现灵活的参数设置，用于实施各自产品组合中的具体特性，譬如，栅源电压、雪崩技术参数、短路能力或适用于硬整流的内部体二极管等。

750 V和1200 V MOSFET系列适用于工业和汽车应用，例如车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）。

相关型号：
AIMBG75R090M1H
AIMBG75R060M1H
AIMBG75R027M1H
AIMBG75R020M1H
AIMDQ75R020M1H
AIMDQ75R027M1H

用于汽车应用的SiC MOSFET: AIMBG75R090M1H、AIMBG75R060M1H、AIMBG75R027M1H、AIMBG75R020M1H、AIMDQ75R020M1H —— 明佳达

规格

1、AIMBG75R090M1H

该器件是一款采用 TO263-7 封装的750 V、24A汽车类碳化硅MOSFET分立器件。此器件适用于电动汽车用高压DC-DC变换器和电动汽车车载电池充电器(OBC)。

FET 类型：N 通道

技术：SiC

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：83 毫欧 @ 7.4A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 2.6mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：542 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：128W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-7

2、AIMBG75R060M1H

该器件是一款采用 TO263-7 封装的750 V、34A汽车类碳化硅MOSFET分立器件。

FET 类型：N 通道

技术：SiC

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：34A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 11.1A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：779 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：167W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-7

3、AIMBG75R027M1H

该器件是一款采用 TO263-7 封装的750 V、64A汽车类碳化硅MOSFET分立器件。

FET 类型：N 通道

技术：SiC

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：64A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 24.5A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 8.8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：49 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1668 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：273W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-7

4、AIMBG75R020M1H

此器件是一款750 V、81A汽车类碳化硅MOSFET分立器件。

FET 类型：N 通道

技术：SiC

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：81A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 34.1A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 12.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：70 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2326 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：326W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-7

5、AIMDQ75R020M1H

此器件是一款750 V、81A汽车类碳化硅MOSFET分立器件。

FET 类型：N 通道

技术：SiC

漏源电压（Vdss）：750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：81A（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 32.5A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 11.7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：67 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2217 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：326W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-HDSOP-22

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