计算机组成原理4----主存储器

存储器是计算机中的记忆设备，主要用来存储程序和数据。

1.存储器分类

按存储介质分类：半导体存储器，  磁表面存储器，磁芯存储器，光盘存储器

按存取方式分类：随机存储器，只读存储器，串行访问存储器

按在计算机中的作用分类：

                                               

2.存储器层次结构

存储器主要性能指标：速度，容量，价格。

其层次结构如下所示：寄存器  缓存  主存  磁盘

                                           

主要有缓存-主存体系，用来解决cpu与主存速度不匹配问题

主存-辅存体系，用来解决存储系统存储容量问题

                                                       

3.主存储器

主存储器的组成结构

                                                           

主存与cpu联系

cpu来读写主存，如果执行读操作，cpu首先将内存单元地址送入MAR地址寄存器，然后由MAR将地址送到地址总线，然后cpu给出读命令，主存接受到读命令，根据地址总线地址取出相应内存单元数据放入数据总线，送至MDR数据寄存器，然后由cpu决定MDR中数据去向。

                                                          

主存中存储单元分配

大端方式与小端方式   大端高位在低地址，小端高位在高地址

                                     

主存技术指标

存储容量  主存中存放二进制代码的总位数   存储容量=存储单元数*存储字长

存储速度  存取时间 存储器的访问时间 读出时间  写入时间

存取周期  连续两次独立的存储器操作所需的最小间隔时间

存储器带宽  位/秒

4.半导体存储芯片

半导体存储芯片基本结构

                                   

地址线单向  数据线双向  控制线由片选线和读写控制线

地址线决定了存储单元的个数  数据线决定每个存储单元的存储字长，两者共同决定存储容量。

译码驱动方式  输入地址，决定选择哪个存储单元

线选法

地址由A0-A3送入地址译码器，地址译码器某一位输出有效，则选择相应位的那一行

可以直接选择存储器的某一字，但是地址译码器输出线有限，适用于存储单元个数较少的存储器

                                           

重合法

地址分为两部分  X地址译码器选中某一行  Y地址译码器选中某一列  由XY共同决定选中哪一位

                                    

5.随机存取存储器RAM

静态RAM  SRAM

静态RAM基本电路

                                   

静态RAM使用触发器来存储信息，读出后信息不丢失，但断电会丢失。

读操作

行地址选择，使得T5,T6打开

列地址选择，使得T7,T8打开

读选择有效  VA由T6,T8,读放输出到Dout

                                     

写操作

行地址选择，使得T5,T6打开

列地址选择，使得T7,T8打开

写选择有效，数据由DIn输入

原数据由T8,T6写入A  原数据非由T7,T5写入A非，完成写入操作

                                           

动态RAM  DRAM

使用电容存储电荷来存储信息，有电荷1，无电荷0

基本单元电路有单体式和三管式

                                      

         对于三管式，预充电信号使T4导通，读选择线有效则T2导通，此时如果Cg中有电荷，则T1导通，VDD,T2,T1,Cg,地开始放电，则读数据线此时为低电平；如果Cg没有电荷，则读数据线为高电平。因此Cg中有电荷输出为0，无电荷输出为1；写入时，T3导通，写数据线给Cg充电。对于单管式，根据数据线有无电流来决定01.输出时字线有效，则Cs如果有电荷则数据线显示高电平，如果无电荷则为低电平。

三管动态RAM Intel 1103读

                                   

给定行地址与列地址，选择指定的存储单元，然后由读写控制电路将数据输出到D。

三管动态RAM Intel 1103写

                                       

行地址，列地址    数据D  读写控制电路   列单元  数据写入

单管动态RAM 4116  结构

                                     

4116 读

给出行地址和列地址，某一指定单元电平由度放大器，读写线，IO缓冲  输出驱动输出到Dout.

                                       

4116 写

给出行列地址，导通某一存储单元，数据由Din,数据输入，IO缓冲，读写数据线，来决定对于指定单元的电容充放电。

                                      

动态RAM刷新问题

动态RAM使用电容存储电荷来存储信息，电容随着时间推移，电荷会慢慢流逝，因此需要定时刷新。

刷新实质：读出原信息，刷新放大器形成原信息，写入原信息

刷新周期，再生周期：在指定时间内，将动态RAM所有基本单元电路都刷新一次。

刷新方式：集中刷新  分散刷新  异步刷新

刷新是按行进行

集中刷新

在一个刷新周期内，对所有存储单元进行集中按行刷新，此时停止读写操作。

                                  

分散刷新

每行存储单元的刷新分散到某个存储周期，一个存储周期 前一段负责读写，后一段负责刷新

                                 

异步刷新

集中和分散相结合   2ms内完成对于128行的刷新，每15.6us完成一行的刷新，每刷新一行只停止一个存储周期。

                                       

SRAM和DRAM比较

静态RAM速度要快，集成度低，价格高，一般用作缓存；动态RAM一般用作主存

                                     

6.只读存储器ROM

MROM  只读

行列选择线交叉处有MOS管为1，无MOS管为0

PROM  一次性编程

                                     

EPROM  

                                  

EEPROM   电可擦写

Flash Memory   闪速存储器