存储器是计算机中的记忆设备,主要用来存储程序和数据。
1.存储器分类
按存储介质分类:半导体存储器, 磁表面存储器,磁芯存储器,光盘存储器
按存取方式分类:随机存储器,只读存储器,串行访问存储器
按在计算机中的作用分类:
2.存储器层次结构
存储器主要性能指标:速度,容量,价格。
其层次结构如下所示:寄存器 缓存 主存 磁盘
主要有缓存-主存体系,用来解决cpu与主存速度不匹配问题
主存-辅存体系,用来解决存储系统存储容量问题
3.主存储器
主存储器的组成结构
主存与cpu联系
cpu来读写主存,如果执行读操作,cpu首先将内存单元地址送入MAR地址寄存器,然后由MAR将地址送到地址总线,然后cpu给出读命令,主存接受到读命令,根据地址总线地址取出相应内存单元数据放入数据总线,送至MDR数据寄存器,然后由cpu决定MDR中数据去向。
主存中存储单元分配
大端方式与小端方式 大端高位在低地址,小端高位在高地址
主存技术指标
存储容量 主存中存放二进制代码的总位数 存储容量=存储单元数*存储字长
存储速度 存取时间 存储器的访问时间 读出时间 写入时间
存取周期 连续两次独立的存储器操作所需的最小间隔时间
存储器带宽 位/秒
4.半导体存储芯片
半导体存储芯片基本结构
地址线单向 数据线双向 控制线由片选线和读写控制线
地址线决定了存储单元的个数 数据线决定每个存储单元的存储字长,两者共同决定存储容量。
译码驱动方式 输入地址,决定选择哪个存储单元
线选法
地址由A0-A3送入地址译码器,地址译码器某一位输出有效,则选择相应位的那一行
可以直接选择存储器的某一字,但是地址译码器输出线有限,适用于存储单元个数较少的存储器
重合法
地址分为两部分 X地址译码器选中某一行 Y地址译码器选中某一列 由XY共同决定选中哪一位
5.随机存取存储器RAM
静态RAM SRAM
静态RAM基本电路
静态RAM使用触发器来存储信息,读出后信息不丢失,但断电会丢失。
读操作
行地址选择,使得T5,T6打开
列地址选择,使得T7,T8打开
读选择有效 VA由T6,T8,读放输出到Dout
写操作
行地址选择,使得T5,T6打开
列地址选择,使得T7,T8打开
写选择有效,数据由DIn输入
原数据由T8,T6写入A 原数据非由T7,T5写入A非,完成写入操作
动态RAM DRAM
使用电容存储电荷来存储信息,有电荷1,无电荷0
基本单元电路有单体式和三管式
对于三管式,预充电信号使T4导通,读选择线有效则T2导通,此时如果Cg中有电荷,则T1导通,VDD,T2,T1,Cg,地开始放电,则读数据线此时为低电平;如果Cg没有电荷,则读数据线为高电平。因此Cg中有电荷输出为0,无电荷输出为1;写入时,T3导通,写数据线给Cg充电。对于单管式,根据数据线有无电流来决定01.输出时字线有效,则Cs如果有电荷则数据线显示高电平,如果无电荷则为低电平。
三管动态RAM Intel 1103读
给定行地址与列地址,选择指定的存储单元,然后由读写控制电路将数据输出到D。
三管动态RAM Intel 1103写
行地址,列地址 数据D 读写控制电路 列单元 数据写入
单管动态RAM 4116 结构
4116 读
给出行地址和列地址,某一指定单元电平由度放大器,读写线,IO缓冲 输出驱动输出到Dout.
4116 写
给出行列地址,导通某一存储单元,数据由Din,数据输入,IO缓冲,读写数据线,来决定对于指定单元的电容充放电。
动态RAM刷新问题
动态RAM使用电容存储电荷来存储信息,电容随着时间推移,电荷会慢慢流逝,因此需要定时刷新。
刷新实质:读出原信息,刷新放大器形成原信息,写入原信息
刷新周期,再生周期:在指定时间内,将动态RAM所有基本单元电路都刷新一次。
刷新方式:集中刷新 分散刷新 异步刷新
刷新是按行进行
集中刷新
在一个刷新周期内,对所有存储单元进行集中按行刷新,此时停止读写操作。
分散刷新
每行存储单元的刷新分散到某个存储周期,一个存储周期 前一段负责读写,后一段负责刷新
异步刷新
集中和分散相结合 2ms内完成对于128行的刷新,每15.6us完成一行的刷新,每刷新一行只停止一个存储周期。
SRAM和DRAM比较
静态RAM速度要快,集成度低,价格高,一般用作缓存;动态RAM一般用作主存
6.只读存储器ROM
MROM 只读
行列选择线交叉处有MOS管为1,无MOS管为0
PROM 一次性编程
EPROM
EEPROM 电可擦写
Flash Memory 闪速存储器