TQ2440开发板学习纪实（8）--- 从NAND Flash读取数据，把代码搬运到SDRAM运行

因为依赖于S3C2440的开机自动从Nandflash复制数据到片内SRAM执行，目前我们的可执行程序体积仍然不能大于4KB的限制。而我们的程序目前已经非常接近这个限制大小了，为了能够继续开发，必须突破这个限制。为此需要实现代码搬运功能，把程序从Nandflash搬运到SDRAM中去，并跳转到SDRAM执行。

本文为啥不实现NandFlash写？ 因为对于我们的实现目前尚未需求。更重要的是，写操作涉及到擦除，更涉及到NandFlash寿命。为了减少写次数，延长NandFlash寿命，一般会在软件层实现写缓存。这就涉及到大量的代码，会偏离我们实验的主题--代码搬运。等以后确实需要保存数据到NandFlash时，再实现写功能不迟。

1 NAND Flash基础知识

1.1 TQ2440板载Nandflash芯片基本情况

NAND Flash作为一种存储芯片，其读写操作需要特定的时序和规范。实际上也存在相关的工业标准，用来标准化Nandflash的读写等操作。
与RAM和ROM不同，NAND Flash的传送数据、地址、命令时共用同一组针脚，通过不同的时序加以区分。下图是TQ2440开发板上搭载的Nandflash接口图：

其接口非常简单，其中

• IO0-IO7，8个针脚用于传送数据、地址、命令。
• WP，写保护，直接接地。
• WE，写使能
• RE，读使能
• CE，片选
• ALE，地址锁存
• RDY/B，忙闲状态
• CLE，命令锁存
• VSS，接地
• VCC，电源

1.2 Nand flash基本术语

• 页（Page），NandFlash以页为单位进行读写，常见的页大小为512B，1KB，2KB等。
• 块(BLOCK)，NandFlash在写入数据之前必须先擦除（写入1），而擦除的最小单元就是块，常见的块大小为64页。
• 擦除。NandFlash写入之前必须先擦除，也就是全部写入1。因为写的时候只能写0，不能写1。
• 数据带宽，也就是每次传送数据的位数（I/O针脚数），常见的有8，16。
• 地址周期，传送一个完整的地址，需要发送几次数据。

1.3 S3C2440片内NandFlash控制器

（1）硬件读取
S3C2440片内集成了NandFlash控制器，启动时，通过外部针脚的电平高低的硬件配置来获得页大小，数据宽度，地址周期等要素，从而可以在启动时能够完成读取Nandflash到SRAM。
（2）软件读取
S3C2440的片内NandFlash控制器同样对用户开放，允许用于以软件操纵它来读写NandFlash。

2 利用S3C2440片内NandFlash控制器读取NandFlash数据