第六章：存储器体系结构

第六章：存储器体系结构

6.1 存储技术

6.1.1随机访问存储器

（Random Access Memory），RAM，分为静态和动态的。

• 静态的叫SRAM，每个位存储在一个双稳态的六路晶体管里，SRAM速度快，造价高，稳定；
• 动态的叫DRAM，每个位存储在一个极小的电容里，造假相对于SRAM低，但不稳定，容易受到光或者电压的干扰而改变值，所以需要使用纠错位或者重写刷新之类的技术手段维护数据正确性。

6.1.2传统的DRAM

1. 请求DRAM上的一个超单元

   把i行复制到行缓冲区，再读取j个元素，超单元

2. CPU请求地址A如何得到系统字是64位的一个字的数据？

   CPU >>发送地址A >>内存控制器 >> 转化为超单元地址(i,j)>>确定超单元所在模块k>>广播(i,j)给8个DRAM>>DRAM返回自己的超单元（8bits).

6.1.3增强的DRAM

• 快页模式DRAM（Fast Page Mode DRAM),FPM DRAM：相比于DRAM读取一个结果后放弃缓冲区数据， FPM DRAM允许连续读取直接从缓冲区获得数据。
• 同步DRAM（Synchronous DRAM）,SDRAM，内存控制器使用驱动它的外部时钟信号作为控制信号
• Double Data-Rate Synchronous DRAM,DDR SDRAM
• VRAM，Video RAM

6.1.4磁盘存储

磁盘由盘片（platter）构成，每个盘片有两面（surface），每个面有许多条磁道（track），每个磁道可以划分为许多组扇区（sector），扇区们都有相同大小的数据位（通常为512字节）。
扇区间有许多间隙（gap），用来标识扇区的格式化位。

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