第六章:存储器体系结构
6.1 存储技术
6.1.1随机访问存储器
(Random Access Memory),RAM,分为静态和动态的。
- 静态的叫SRAM,每个位存储在一个双稳态的六路晶体管里,SRAM速度快,造价高,稳定;
- 动态的叫DRAM,每个位存储在一个极小的电容里,造假相对于SRAM低,但不稳定,容易受到光或者电压的干扰而改变值,所以需要使用纠错位或者重写刷新之类的技术手段维护数据正确性。
6.1.2传统的DRAM
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请求DRAM上的一个超单元
把i行复制到行缓冲区,再读取j个元素,超单元
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CPU请求地址A如何得到系统字是64位的一个字的数据?
CPU >>发送地址A >>内存控制器 >> 转化为超单元地址(i,j)>>确定超单元所在模块k>>广播(i,j)给8个DRAM>>DRAM返回自己的超单元(8bits).
6.1.3增强的DRAM
- 快页模式DRAM(Fast Page Mode DRAM),FPM DRAM:相比于DRAM读取一个结果后放弃缓冲区数据, FPM DRAM允许连续读取直接从缓冲区获得数据。
- 同步DRAM(Synchronous DRAM),SDRAM,内存控制器使用驱动它的外部时钟信号作为控制信号
- Double Data-Rate Synchronous DRAM,DDR SDRAM
- VRAM,Video RAM
6.1.4磁盘存储
磁盘由盘片(platter)构成,每个盘片有两面(surface),每个面有许多条磁道(track),每个磁道可以划分为许多组扇区(sector),扇区们都有相同大小的数据位(通常为512字节)。
扇区间有许多间隙(gap),用来标识扇区的格式化位。