CC1310开发笔记-CY15B104Q

作者：LYB

CY15B104Q 存储器的驱动

1. 功能说明
   CY15B104Q 是使用了高级铁电工艺的 4 Mbit 非易失性存储器。 铁电性随机存取存储器 （即 F-RAM）是一种非易失性存储器， 其读和写操作方式与 RAM 一样。它提供 151 年的可靠数据保留 时间，并解决了由串行闪存、 EEPROM 和其他非易失性存储器 造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。 与串行闪存和 EEPROM 不同的是， CY15B104Q 以总线速度执 行写操作。并且它不会引起任何写操作延迟。在每个字节成功传 输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列。这时，可以开始执 行下一个总线周期而不需要轮询数据。此外，与其他非易失性存 储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。 CY15B104Q 能够支 持 1014 读 / 写周期，或支持比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。 由于具有这些特性，因此 CY15B104Q 适用于需要频繁或快速写 入的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写 周期数量是非常重要的）到满足工业级控制 （其中串行闪存或 EEPROM 的较长写时间会使数据丢失）。 作为硬件替代时， CY15B104Q 为串行 EEPROM 或闪存的用户 提供大量好处。 CY15B104Q 使用高速的 SPI 总线，从而可以改 进F-RAM技术的高速写入功能。 该设备包含一个只读的器件ID， 通过该 ID，主机可以确定制造商、产品容量和产品版本。在 –40 °C 到 +85 °C 的工业温度范围内，该器件规范得到保证。 要获取相关文档的完整列表，请点击此处

2. 引脚定义 

3. 存储器架构
   访问 CY15B104Q 时，用户可以寻址 512 K 地址的每 8 个数据 位。这些 8 数据位被连续移入或移出。通过使用 SPI 协议可以访 问这些地址，该协议包含一个芯片选择（用于支持总线上的多个 器件）、一个操作码和一个 3 字节地址。该地址范围的高 5 位都 是 ‘ 无需关注 ’ 的值。 19 位的完整地址独立指定每个字节的地址。 CY15B104Q 的大多数功能可以由 SPI 接口控制或通过板上电路 处理。存储器的访问时间几乎为零，但要考虑串行协议所需要的 时间。因此，该存储器以 SPI 总线的速度进行读 / 写操作。与串 行闪存或 EEPROM 不同的是，不需要轮询设备的就绪条件，这 是因为写操作是以总线速度进行的。新的总线数据操作移入器件 时，写操作已完成。更多详细信息，请参阅 ‘ 接口 ’ 部分介绍 的内容

4. 操作码指令

5. WREN — 设置写使能锁存
   每当给 CY15B104Q 上电时，会禁止写操作。在进行任何写操作 前，都必须发送 WREN 指令。发送 WREN 操作码后，用户可以 发送后续操作码，以用于写操作。包括写状态寄存器 （ WRSR） 和写存储器 （ WRITE） 。 发送 WREN 操作码后，将设置内部写使能锁存。状态寄存器中 的标志位 （名称为 WEL）表示锁存的状态。 WEL = ‘ 1’ 表示 可以进行写操作。尝试对状态寄存器中的 WEL 位进行写操作， 并不对它的状态产生任何影响 — 这是因为只有 WREN 操作码才 能设置该位。进行 WRDI、 WRSR 或 WRITE 写操作后， WEL 位 将在 CS 的上升沿上自动清除。这样可阻止对状态寄存器或 F-RAM 阵列进行其他写操作而不使用另一个 WREN 指令。 图 7 显示的是 WREN 指令总线配置
6. 状态寄存器和写保护
   CY15B104Q 的写保护特性是多层次的，并通过状态寄存器使能。状态寄存器的组织如下所示。 WEL、 BP0、 BP1、位 4–5、 WPEN 的默认出厂设置值为 ‘ 0’，位 6 的默认出厂设置值为 ‘ 1’。
7. 

代码

CY15B104Q.C

`#include <ti/sysbios/knl/Task.h>
 #include <ti/sysbios/knl/Semaphore.h>
 #include <ti/sysbios/BIOS.h>
 #include <ti/sysbios/knl/Clock.h>
 #