【工艺】2_硅片制备

一、半导体物理回顾

1.半导体材料

• 第一代半导体材料：主要为硅、锗，集成电路、新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用；
• 第二代半导体材料：主要指化合物半导体材料，如砷化镓、磷化铟等，主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件以及发光器件的优良材料。还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域；
• 第三代半导体材料：主要为以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体（>2.3eV），具有宽的禁带宽度、高的击穿电厂、高的热导率、高的电子饱和速率以及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射以及大功率器件

2.为什么选择硅

  1947年12月贝尔实验室威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了第一个锗晶体管，但很快被硅取代，主要有4个理由：

• 硅的丰裕度：硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%；
• 更高的熔化温度允许更宽的工艺容限：硅1412℃的熔点远高于锗937℃的熔点，更高的熔点使得硅能承受高温工艺
• 更宽的工作温度范围：硅器件比锗器件更宽的工作温度范围，增加了应用范围和可靠性；
• 稳定的氧化物：氧化硅是一种高质量、稳定的电绝缘材料，能充当化学阻挡层和对掺杂杂质极好阻挡，锗的氧化物不具备较好的化学稳定性

二、单晶硅片制造

1.半导体级硅

  半导体级硅（Semiconductor-grade silicon, SGS），有时也叫做电子级硅，具有半导体制造要求的超高纯度，它包含少于2ppm的碳元素和少于1ppb的III、V族元素（主要的掺杂元素）

  集成电路通常以几个“9”表达纯度，如1ppm杂质即纯度99.9999%（6个9或6N），超大规模集成电路通常要求硅浓度在9个9（9N）以上。
  ppm：parts per million（百万分之一）
  ppb：parts per billion（十亿分之一）

  从天然硅中获得达到生产半导体器件所需纯度的SGS要分几步：

2.晶体相关概念

• 晶体：（crystal）其内部原子、离子、分子在空间作三维周期性的规则排列为其最基本的结构特征，晶体可分为单晶和多晶
  • 单晶：（Monocrystal/Single crystal）是一种在许多的原子长程范围内原子都在三维空间中保持有序且重复的固体材料（长程有序）
  • 多晶：（Polycrystal）是由大量微小的单晶随机堆砌成的整块材料，实际的晶体绝大部分是多晶（短程有序）
• 非晶：（Amorphous）没有重复的结构，也称无定形或玻璃态
• 单晶硅：（Monocrystalline silicon）生产集成电路必须使用单晶硅。因为器件的许多电学和机械性质都与它的原子级结构有关，这就要求原子具有重复性结构，从而使得芯片与芯片之间的性能具有重复性。
• 多晶硅：（Polycrystalline silicon）集成电路行业常简称Poly

3.单晶硅生长

  单晶硅生长是把半导体级的多晶硅块转换成一块大的单晶硅，现在生产用于集成电路的单晶硅锭最普遍的技术是CZ法和区熔法

• CZ法：（Czochralski）也称直拉法，由切克洛斯基1917年发明，是目前单晶硅的最主要生长方法
  • 把半导体级硅放入高纯石英坩埚，在硅单晶炉内融化；
  • 待温度合适后，用一个固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面，经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤，完成一根单晶硅锭的拉制

  籽晶：通常是一个细长的单晶硅棒，其尺寸和晶向经过精心选择和处理，以确保能够有效地从熔融硅中生长出高质量的单晶硅

• 区熔法：（Float-zone，FZ法）

  将半导体级的多晶硅棒用卡具卡住上端，下端对准籽晶，在惰性气体保护下，高频电流通过线圈与多晶硅棒耦合，产生涡流，使得多晶棒部分熔化，接好籽晶，自下而上使硅棒融化，依靠熔体表面张力，使熔区悬浮于多晶硅与下方长出的单晶之间进行单晶生长，用此法制得的硅单晶叫区熔单晶

  直拉法和区熔法的对比如下：

4.硅片制备

  硅片：（Silicon wafer）所有的硅片都是单晶硅片，也被称作单晶硅片、晶圆片、晶圆、晶片、衬底/基片，其制备的基本流程如下：

三、硅片参数

1.硅片物理尺寸规格及包装

2.晶向

  晶向：（Crystal orientation）晶体的一个基本特点是具有方向性，沿晶格的不同方向晶体性质（化学、电学和机械性能）不同
  用来描述硅晶体平面及其方向的参数称作密勒指数，其中（）用来表示晶面，而<>表示晶向

• 硅片的杂质类型及晶向

  硅片的晶向是指与硅片表面垂直的方向

MOS器件需要 <100> 晶向，(100)晶面栅氧界面态最少
BJT器件需要 <111> 晶向，(111)晶面迁移率高

  8吋以下的硅片采用定位边，8吋及以上硅片采用定位槽notch

• 硅的常用晶面上的原子分布

  解理：由自身结构的原因造成晶体沿一定结晶方向裂开成光滑平面的性质，一般都是平行和垂直于notch的方向为解理面

3.硅片中的晶体缺陷

  晶体缺陷：（Crystal defect）是指重复排列的晶胞结构中出现的任何中断，也被称作微缺陷，在硅片的制备过程中不产生一个缺陷是不可能的。晶体缺陷会产生于晶体生长、硅锭和硅片的各项工艺中。

晶体缺陷的影响

• 生长出不均匀的二氧化硅膜；
• 沉积的外延膜质量差；
• 掺杂层不均匀；
• 在完成的器件中引起有害的泄漏电流，导致器件不能正常工作

缺陷形式

• 点缺陷：原子层面的局部缺陷，晶体生长中影响点缺陷产生的因素是生长速率、晶体熔体间的温度梯度
  • 间隙原子：它存在于晶体结构的空隙中；
  • 替位原子：其他化学元素杂质引入格点位置，非有意掺杂导致
  • 晶格空位：当一个原子离开其格点位置，并移动到其他格点位置时，原格点位置出现空位
  • Frenkel缺陷：当一个原子离开其格点位置，并移动到晶体结构的空隙中，就会产生间隙原子-空位对。

• 位错（线缺陷）：晶体中某一列或若干原子发生有规律的错排

  • 原生位错：晶体生长中产生的位错；
  • 诱生位错：在芯片加工过程中由于作用在硅片上的机械应力引入的位错，其数量远远大于原生位错，产生的原因大致可分为三个方面：
    • 高温工艺过程引入的位错
    • 掺杂工艺过程中引入的位错
    • 薄膜制备过程中引入的位错
        位错可以通过X射线分析或表面腐蚀检测到，特殊的热处理（比如退火）能使得晶体结构中位错减少，硅锭生长过程中放肩前缩颈可减少位错

• 层错（面缺陷）：即在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。

  孪晶，就是在一个平面上，晶体沿着两个不同的方向生长，这种孪生平面是因为在生长过程中的热影响或机械振动而产生，每一遍的晶体都可能很完美。

4.集成电路用硅片要求

平整度：（Flatness）是指通过硅片或硅片某一位置的直线上的厚度变化。主要因为光刻工艺对局部位置的平整度非常敏感
平整度参数：

• TTV：（total thickness variation）wafer厚度的最大值与最小值之差
• TIR：（total indicator reading）wafer表面最高处与参考面之间的距离和最低处与参考面之间的距离之和，即正偏差和负偏差之和
• FPD：（focal plane deviation）wafer表面一点距离参考面的最大距离
  

5.单晶硅生产现状

四、衬底工程

1.外延

  外延：（epitaxial）是指在单晶衬底上生长单晶膜的一类技术。

• 外延层：
    以硅基片作为籽晶在硅片上面生长一薄层硅，并称此为外延层，长了外延层的硅片称为外延片。
    外延层会复制硅片的晶体结构，但外延层的掺杂浓度和掺杂类型并不依赖于衬底本身。并且外延层通常是没有沾污的（比如没有氧颗粒），掺杂浓度更均匀，因此外延片可以提高集成电路的整体性能。

• 异质外延：（Heteroepitaxy）
    衬底选择需要考虑：

  • 外延层和衬底材料之间的相容性，包括晶体结构、熔点、蒸气压、热膨胀系数等；
  • 考虑衬底对外延层的沾污问题

    目前最合适硅外延的异质衬底是蓝宝石和尖宝石（$MgO\cdot A{l}_2{O}_3$），工业生产上广泛使用蓝宝石，蓝宝石上硅，$\alpha -A{l}_2{O}_3$（Silicon on Sapphire，SOS）

  • 优点：蓝宝石是良好的绝缘体，SOS衬底做的集成电路具备抗辐照、低功耗等优势
  • 缺点：成本高，存在晶格失配问题和自掺杂效应

2.绝缘体上硅

  绝缘体上硅：（Silicon on Insulator，SOI）指在半导体的绝缘层（如二氧化硅）上附着非常薄的一层单晶硅的衬底制备技术。
  基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。

  制备SOI的技术主要有以下三种：

• 注氧隔离技术：（Separation by Implanted Oxygen, SIMOX）利用离子注入技术把氧离子注入到硅中形成氧化隔离层，通过氧化隔离埋层来隔离衬底与顶层硅薄膜层的技术
  • 把高能量、高剂量的氧离子注入到硅晶圆中，注入的氧离子会分布在硅晶圆表面下方
  • 通过3~6小时的高温（1350℃）退火，硅晶圆里的氧原子和硅发生化学反应，在硅晶圆表面的下方形成一层厚度小于240nm的二氧化硅绝缘层，而在此二氧化硅绝缘层上方则形成了一层单晶硅薄层。

• 键合回刻技术：（Bond and Etch Back SOI, BESOI）是通过键合技术把两片晶圆紧密键合在一起，将晶圆与晶圆之间形成的二氧化硅层作为氧化物埋层，再利用回刻技术把一侧晶圆的厚度按要求削薄后形成SOI晶圆的技术
  • 准备两片硅片裸片A和裸片B
  • 利用热氧化在晶圆B上生成一层二氧化硅绝缘层
  • 把晶圆A和晶圆B进行低温键合，利用硅熔融键合技术把另外一片未氧化的晶圆键合到氧化层上
  • 最后去除多余的晶圆形成顶层硅薄膜，并利用退火和CMP形成平滑清洁的SOI晶圆表面

• 智能剪切技术：（Smart-cut）是从BESOI技术衍生而来的制造技术
  • 准备两片硅片裸片A和裸片B
  • 利用热氧化在晶圆B上生成一层二氧化硅绝缘层，再将氢离子注入该硅晶圆衬底
  • 再次把晶圆A和晶圆B进行低温键合，利用400~600℃热反应，使晶圆B再氢离子注入层位置产生断裂，并在断裂面和氧化层键形成一层硅薄膜，利用高温热退火驱赶氢离子并加固Si-O-Si键合
  • 最后进行CMP处理

  三种技术的对比如下：