[NAND Flash 3.2] 3D NAND 工艺与发展前沿

本文深入探讨3D NAND闪存技术,从3D NAND的起源、工艺到制作过程,揭示了3D NAND如何通过堆叠技术解决2D NAND的限制。文章详细介绍了三星的V-NAND与东芝的BiCS工艺,以及Hynix的浮栅极工艺,阐述了3D NAND制作中的刻蚀与沉积步骤。此外,文章还分析了3D NAND的成本计算、Scaling方式和未来发展趋势,以及面临的技术挑战。

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专栏 《深入理解NAND Flash

全文 6200 字,​2023.12.12 更新

1. 导论

1.1 何为 3D NAND?

3D NAND, 也叫做 Sumsung V-NAND, 是一种高密度闪存。
以前,把NAND闪存颗粒,直接平铺在SSD固态硬盘电路板上,叫2D技术。后来,厂家为节约成本,节省空间,像建高楼一样,一层又一层地平铺上去,就成为了3D堆叠闪存技术。

3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来,解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。相同颗粒数的96层堆叠闪存比32层堆叠闪存的容量大很多,所需要的技术难度也更大。
3D NAND相对2D NAND来说,是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术的平面闪存,3D存储器的关键技术是薄膜和刻蚀工艺,技术工艺差别较大。

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