本文探讨了UGSQ（栅源电压）对共源放大电路电压放大倍数的影响。通过仿真分析1和2，发现UGSQ的变化会直接影响漏极电流IDQ，从而改变电压放大倍数。理论计算与实验结果一致，表明调整偏置电阻可以优化电压放大能力，同时保持恒流区工作状态，避免失真。
U G S Q U_{GSQ} UGSQ对共源放大电路电压放大倍数的影响
电路搭建（采用增强型MOSFET）恒流区 i D = I D O ( U G S U G S ( t h ) − 1 ) 2 i_D=I_{DO}(\frac{U_{GS}}{U_{GS(th)}}-1)^2 iD=IDO(UGS(th)UGS−1)2
仿真分析1
采用参数扫描分析方法，设置直流电源V1为被扫描电源，节点1为输出，又源极电阻为1 Ω \Omega Ω，因此节点1的输出可视为漏（源）极电流。
发现，该增强型MOSFET的开启电压 U G S ( t h ) U_{GS(th)} UGS(th)=2V， I D O ≈ 200 m A I_{DO}\approx200mA IDO≈200mA （ I D O I_{DO} IDO是当 U G S U_{GS} UGS=2 U G S ( t h ) U_{GS(th)} UGS(th)时的漏极电流）
仿真分析2
在 R g 2 R_{g2} Rg2分别为6M Ω \Omega Ω和6.1M
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