模电知识梳理

1. 1 常用半导体器件

1. 1.1 半导体基础知识

1. 1.1.1 本征半导体

1. 半导体

2. 本征半导体的晶体结构

3. 本征半导体的两种载流子

4. 本征半导体中载流子的浓度

1. 本征激发：热激发

2. 复合：浓度

2. 1.1.2 杂质半导体

控制掺杂浓度；多子；少子

1. N型半导体

掺杂P

2. P型半导体

掺杂B

3. 1.1.3 PN结

具有单向导电性

1. PN结的形成

1. 扩散运动：由于浓度差

2. 漂移运动：电场力作用下

3. 空间电荷区：耗尽层

2. PN结的单向导电性

1. PN结外加正向电压时处于导通状态

正向电压削弱内电场，使扩散运动加剧

2. PN结外加反向电压时处于截止状态

反向电压使空间电荷区变宽，使漂移运动加剧

3. PN结的电流方程

4. PN结的伏安特性

1. 死区

2. 正向导通：指数关系

3. 反向饱和电流 I_S

4. 反向击穿 U_BR

通过控制掺杂浓度进而控制击穿电压

5. 齐纳击穿

高掺杂，强电场，直接破坏共价键

6. 雪崩击穿

低掺杂，宽耗尽层，加快漂移速度； 温度敏感，温度↑，所需击穿电压↑，

5. PN 结的结电容效应

反向电压变化，其电荷量变化

1. 势垒电容 C_b

耗尽层宽度变化所等效的电容 外加反向电压越大，势垒电容越大

2. 扩散电容 C_d

正向偏置时，非平衡少子数量与外加电压的关系

3. 结电容 C_j

2. 1.2 半导体二极管

1. 1.2.1 半导体二极管的几种常见结构

2. 1.2.2 二极管的伏安特性

1. 二极管和PN结伏安特性的区别

1. 存在体电阻和引线电阻

2. 存在泄露电流

2. 温度对二极管伏安特性的影响

1. 正向特性左移，反向特性下移

2. 温度升高，热运动加剧，本征激发增多，相同的电压下，温度↑，电流↑

3. 温度升高，少子飘逸运动增加

3. 1.2.3 二极管的主要参数

1. 最大整流电流 I_F

长期运行时，最大正向平均电流

2. 最高反向工作电压 U_R

工作时，允许加的最大反向电压，是击穿电压的一半

3. 反向电流 I_R

反应单向导电性的能力，温度敏感

4. 最高工作频率 f_M

高频电路

4. 1.2.4 二极管的等效电路

1. 由伏安特性折线化得到的等效电路

直流电路 正向导通压降 U_on：硅管0.7V；锗管0.3V 在不知道二极管的工作状态时，可以用假设法

2. 二极管的微变等效电路

1. 二极管外加正向电压，求出直流状态 I_D

2. 对于小交流信号，求出动态电阻 r_d

3. 求出交流等效下的电流 i_d和交直流混合电流 i_D

5. 1.2.5 稳压二极管

1. 稳压管的伏安特性

2. 稳压管的主要参数

1. 稳定电压 U_Z

规定电流下稳压管的反向击穿电压

2. 稳定电流 I_Z

工作在稳压状态时的参考电流，低于此稳压效果变差甚至不稳压，也可记作 I_Zmin

3. 额定功耗 P_ZM

稳定电压与最大稳定电流 I_Zmax的乘积；超过会因结温升过高损坏；

4. 动态电阻 r_z

值越小，稳定效果越好； 同一只管子，电流越大，动态电阻越小

5. 温度系数 α

温度每变化一度，稳压值的变化量； 稳定电压小于4V（齐纳击穿），有负的温度系数，温度越高，击穿电压越小，越容易击穿； 稳定电压大于7V（雪崩击穿），有正的温度系数，温度越高，击穿电压越大，越难击穿；

3. 工作时要串联一个电阻

当二极管两端电压有升高的趋势时，电流大大增加，电阻两端电压大大增加，从而维持二极管两端电压近乎不变

4. 稳压管不一定工作在稳定状态

在不知道二极管是否击穿时，用假设法

6. 1.2.6 其他类型二极管

1. 发光二极管

1. 开启电压大于普通二极管

2. 正向电流越大，发光越强

2. 光电二极管

1. 将接收到的光的变化转换成电流的变化

2. 无光照时，单向导电

3. 有光照时特性曲线下移

1. 暗电流

反压下，反向电流

2. 光电流

反压下，受到光照产生的电流

3. 照度一定时，光电二极管可以等效成恒流源，照度越大，光电流越大

4. 第四象限呈现光电池特性

3. 1.3 晶体三极管

1. 1.3.1 晶体管的结构与类型

1. 三个区域

发射区 基区 集电区

2. 三个极

发射极 基极 集电极

3. 两个PN结

发射结 集电结

2. 1.3.2 晶体管的电流放大作用

控制能量的转换 晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流

1. 基本共射放大电路

2. 晶体管内部载流子的运动

1. 发射结正偏

扩散运动形成发射极电流 I_E

2. 基区

扩散：基区的空穴扩散到发射区； 复合：扩散过来的自由电子和空穴复合形成基极电流 I_B； 产生

3. 集电结反偏

漂移：非平衡少子漂移运动形成集电极电流I_C

3. 放大系数

1. 共射放大系数 β

2. I_CEO

穿透电流，基极开路（I_B=0）时，在集电极电源作用下，集电极与发射极之间的电流

3. I_CBO

发射极开路时，集电结的反向饱和电流

4. 公基放大系数 α

3. 1.3.3 晶体管的共射特性曲线

1. 输入特性曲线

1. U_CE=0

发射结和集电结并联

2. U_CE ↑ 复合运动↓

相同的i_B，U_BE↑，使发射结注入更多的电子

3. U_CE ↑↑

集电结的电场已经足够强

2. 输出特性曲线

U_CE↑ 集电结收集电子的能力增强 当U_CE足够强，U_CE↑已经不能明显提高收集电子的能力，I_C几乎仅仅取决于I_B

1. 截止区（开关断开）

双结反偏 i_C ≤ I_CEO（穿透电流）

2. 放大区（放大功能）

发射结正偏，集电结反偏 I_C几乎仅仅取决于I_B

3. 饱和区（开关闭合）

双结正偏且u_CE＜u_BE 内电路角度：C、E间电位差很小，吸收功能几乎没有，电子自由扩散运动外电路角度：以U_CE↓ 换取i_C↑ ，U_CE=U_CES时，i_C达到最大值，跟不住I_B的增长了，i_C＜β*I_B

4. 1.3.4 晶体管的主要参数

1. 直流参数

1. 共射放大系数

2. 公基放大系数

3. 极间反向电流

1. I_CEO

基极开路时，集电极与发射极间的穿透电流I_CEO =（1+β）*I_CBO

2. I_CBO

发射极开路时，集电结反向饱和电流

3. 硅管的反向电流比硅管小，稳定性更好

2. 交流参数

1. 共射放大系数

太大温度稳定性不好

2. 公基放大系数

3. 特征频率 f_T

使电流放大系数数值下降到1的信号频率

3. 极限参数

1. 最大集电极耗散功率 P_CM

决定晶体管的温升

2. 最大集电极电流 I_CM

使β明显减小的 i_C

3. 极间反向击穿电压

某一极开路时，另外两极间所允许加的最高反向电压

1. U_(BR)CBO

2. U_(BR)CEO

3. U_(BR)EBO

5. 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响

对标温度对二极管伏安特性的影响

1. 温度对 I_CBO的影响

温度每升高10℃，I_CBO增加一倍

2. 温度对输入特性的影响

左移 温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV

3. 温度对输出特性的影响

β增大

6. 1.3.6 光电三极管

1. 暗电流 I_CEO

无光照时，集电极电流

2. 光电流

有光照时，集电极电流

4. 1.4 场效应管 (FET)

利用输入回路的电场效应控制输出电流，功耗小 仅靠多子导电，温度稳定性好

1. 1.4.1 结型场效应管

1. 结型场效应管的工作原理

2. 结型场效应管的特性曲线

1. 输出特性曲线

2. 转移特性

2. 1.4.2 绝缘栅型场效应管（MOSFET）

1. N沟道增强型MOS管

1. 结构

2. 工作原理

1. U_DS = 0，U_GS＞U_GS(th)＞0

U_GS↑ 反型层越厚，导电沟道电阻越小

2. U_DS＞ 0，U_GS＞U_GS(th)＞0

U_DS增大使 i_D线性增大，导电沟道沿漏-源方向变窄

3. U_DS = U_GS - U_GS(th) 预夹断

U_DS增大几乎全部用来克服夹断区对漏极电流的阻力 i_D几乎不因为U_DS的增大变化，进入恒流区，i_D几乎仅仅取决于U_GS U_GS控制的电流源