IC设计-存储器分类汇总(区别RAM、ROM、SRAM、 DDR、EEPROM、FLASH)

1、存储器分类图

2、用分类对比的方法介绍不同的存储器特点

2.1 存储器按照用途分类

       可以分为主存储器(内部存储)和辅助存储器(外部存储)。主存储器是指CPU能直接访问的,有内存、一级/二级缓存等,一般采用半导体存储器;辅助存储器包括软盘、硬盘、磁带、光盘、磁盘阵列等,CPU不能像访问内存那样,直接访问外存,外存要与CPU或I/O设备进行数据传输,必须通过内存进行。

2.2 存储器按照存储介质分类

       将存储器分为半导体存储光学存储和磁性存储三大类。上面这张存储器分类图中,在半导体存储器大类中,按照存储器的实现技术原理来进行详细分类。

2.3 RAM和ROM :

       ROM和RAM都是一种存储技术,只是两者原理不同,RAM为随机存储,掉电不会保存数据,而ROM可以在掉电的情况下,依然保存原有的数据。ROM和RAM指的都是半导体存储器。本来的含义是:ROM是Read Only Memory的意思,也就是说这种存储器只能读,不能写。而RAM是Random Access Memory的缩写。这个词的由来是因为早期的计算机曾经使用磁鼓作为内存,而磁鼓和磁带都是典型的顺序读写设备,RAM则可以随机读写。

&     随机存取(有时亦称直接访问)代表同一时间访问一组序列中的一个随意组件。反之则称循序访问,即是需要更多时间去访问一个远程组件。随机存取存储器的基本结构可分为三个部分:存储矩阵,地址译码器,读写电路。直接存取,访问时读写不见先直接指向一个小区域,再在该区域内 顺序查找,访问时间与数据位置有关( 磁盘)

2.4 SRAM和DRAM:

       RAM可分为静态存储器(Static Random Access Memory,SRAM)和动态存储器(Dynamic Random Access Memory)。SRAM中的存储单元相当于一个锁存器,只有0,1两个稳态;DRAM则是利用电容存储电荷来保存0和1两种状态,因此需要定时对其进行刷新,否则随着时间的推移,电容其中存储的电荷将逐渐消失。

2.5 EEPROM和FLASH:

         ROM(只读存储器)按其内容写入方式,一般分为3种:固定内容ROM;可一次编程PROM;可擦除ROM,又分为EPROM(紫外线擦除电写入)和EEPROM(电擦除电写入)等类型。EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的ROM来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种,变成了一类存储器的统称。它具有ROM的非易失性,又具备类似RAM的功能,可以随时改写(可重复擦写1万次以上)。目前大多数EPROM芯片内部都备有升压电路。因此,只需提供单电源供电,便可进行读、擦除/写操作,这为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。

       FLASH属于广义的EEPROM全称是FLASH EEPROM因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM,我们都叫它FLASH。FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,EEPROM在运行中可以被修改,而FLASH在运行时不能修改,EEPROM可以存储一些修改的参数,Flash中存储程序代码和不需修改的数据。

 2.6  NOR FLASH和NAND FLASH:

          FLASH分为NOR FLASH和NAND FLASH 。NOR FLASH数据线和地址线分开,可以实现RAM一样的随机寻址功能,可以读取任何一个字节,但是擦除仍要按块来擦。NAND FLASH同样是按块擦除,但是数据线和地址线复用,不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。由于NAND FLASH 引脚上复用,因此读取速度比NOR FLASH慢一点,但是擦除和写入速度比NOR FLASH快很多。NAND FLASH内部电路更简单,因此数据密度大,体积小,成本也低。因此大容量的FLASH都是NAND型的,例如SSD、U盘、SD卡、EMMC存放数据。因此小容量的2~12M的FLASH多是NOR型的,NOR FLASH比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,手机就是使用NOR FLASH。

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    以上为本人存储器知识学习总结,如有侵权和错误之处请联系本人。

### 回答1: ROMRAM是计算机中常见的存储器类型。ROM是只读存储器,它的内容在制造时被写入,无法被修改。RAM是随机存储器,它可以被读取和写入,但是在断电后会丢失数据。 Flash是一种非易失性存储器,它可以被多次写入和擦除,但是它的写入速度比RAM慢,而且每个存储单元只能被擦除和写入有限次数。 SRAM是一种静态随机存储器,它的速度比DRAM快,但是它的密度比DRAM低,价格也更高。SRAM通常用于高速缓存和其他需要快速访问的应用程序。 ### 回答2: ROMRAM存储器的两个基本分类,而FlashSRAM分别属于它们的子类。ROM是只读存储器,用于存储系统代码和数据,不能被修改或擦除。RAM则是随机存储器,可以读写,用于临时存储数据和程序。Flash存储器可以被擦除和重新编程,可以用于存储系统代码和数据,但擦写次数有限。SRAM是静态随机存储器,主要用于高速缓存和高速存储器ROM存储器属于只读存储器,数据只能被读取,无法被修改或擦除,它的存储内容通常是一些系统代码和数据,比如BIOS程序、引导程序等。ROM存储器通常比较稳定和可靠,而且存储内容不需要保持电源供电,可以在断电后继续保存数据,但缺点是存储容量比较小,对于一些大型应用来说不够使用,而且不方便升级和修改。 RAM存储器是随机存取的存储器,可以读写,它的存储内容可以被修改和删除,通常用于临时存储数据和程序。RAM存储器的缺点是数据需要保持电源供电,如果断电数据将会丢失,而且存储容量通常比较小。RAM包括DRAM动态随机存储器SRAM静态随机存储器SRAM是一种速度很快的存储器,用于高速缓存和高速存储器,但成本较高。 Flash存储器是一种可擦写的存储器,象一个类似于EEPROM存储器。它采用的是闪光特效存储技术,能够把数据以块的形式分别擦除和编程,比EEPROM的单字节擦写更加方便。Flash存储器的存储容量通常比较大,并且可以反复擦写和编程,成本较低,但擦写次数有限。 SRAM是静态随机存储器,通常用于高速存储器和cache存储器中。SRAM存储器速度很快,但相应的成本也高,和RAM存储器不同的是,SRAM不需要定期进行刷新来保持数据的有效性,这使得它不仅速度快,而且稳定性高。但是,由于SRAM需要更多的晶体管和面积,所以存储容量比DRAM小。 ### 回答3: ROM(只读存储器)和RAM(随机存储器)是计算机内存的两种形式,而flashSRAMRAM的两种类型。 ROM是一种用于永久存储数据的存储器。与RAM相比,ROM是只读的,这意味着数据一旦编写到ROM中,就不能更改。ROM通常包含计算机系统的基本操作系统和其他代码,因此它是系统关键部分。ROM常用于计算机的系统启动过程中。 RAM是一种临时存储器,它用于存储正在处理的数据和程序。RAM是一种易失性存储器,这意味着当计算机关闭或断电时,RAM存储的数据会丢失。RAM分为静态RAMSRAM)和动态RAM(DRAM)两种类型。SRAM比DRAM更快,但也更昂贵。 Flash存储器是一种可擦除可编程存储器EEPROM),它是RAM的一种类型。与SRAM不同,Flash存储器可以被重复擦写并更改其内容。Flash存储器的特点是速度相对较慢,但存储密度较高。它是在大量便携式设备中使用的一种存储器,如MP3播放器和智能手机。 SRAM是一种用于实现带宽较高和时序较紧的存储器SRAM有双口RAM(DP-RAM)和四口RAM(Q-RAM)之分,DP-RAM使用两个端口,一个用于读,另一个用于写;Q-RAM使用四个端口,其中两个用于读,两个用于写。SRAM常用于高性能应用,如高速缓存和运算器。 总之,ROMRAM是计算机内存的两种不同形式。ROM用于永久存储数据,而RAM用于存储正在处理的数据和程序。而flashSRAMRAM的两种类型,Flash存储器是一种可重复擦写的存储器,而SRAM则用于实现带宽较高和时序较紧的存储器
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