前言:写读写操作flash时,通常都是通过操作地址来完成对相关寄存器的读写操作。同时在根据相关的地址映射表来完成对地址的映射关系。
1、遇到的问题
拿到同事写的一个内部flash来进行数据保存信息的操作的文件中,设计到一个多页保存同一类型数据类型来用两页做区分保存时,在对相关页进行操作时,遇到了,操作的地址越界的问题。
如下图所示,内部flash共128K字节,为了不影响到前头的BOOT部分和OTA固件升级的代码块,将相关信息的内容存储到flash比较靠后的几页中,本次是拟了10页也就是20k的字节来存储数据。
结果最后一页超过了flash的范围,到了0x08020000的区域
2、操作Reserverd区造成的影响
还能有什么情况就直接越界了呗,太坑了呀