GE 服务器IS215UCVGM06A

W;①  ⑧  0   ③  0  ①  7    7 7 ⑤  9
IS215UCVGM06A IS215UCVGH1A VMIVME-7666-111000 IS215UCVFH2BB VMIVME-7650-83H 350-007650-83H C IS215VCMIH2CA IS200VCMIH2CAA IS230SNAOH2A IS230SRTDH1A IS230STAIH2A IS230STTCH2A关断IGBT，用U GE ≤ 0 V的电压关断 MOSFET，中断基极电流，关断双极晶体管，IGBT停止导通电流。 IGBT 单向传导电流。由于 MOSFET 栅极的容性特性，栅极电流只需对栅极电容充电即可开启器件。虽然栅极结构的电容特性限制了控制 IGBT 所需的功率量，但该器件的双极特性将其开关频率限制在最大约 30 kHz。然而，降低开关损耗的谐振拓扑可以使 IGBT 以更高的频率进行开关。 与功率 MOSFET 不同， IGBT 没有固有的本体或续流二极管。但是，需要一个二极管通过提供续流路径来防止反向电流来保护 IGBT。一些 IGBT 带有集成二极管;否则，必须在电路中添加一个二极管。 添加辅助发射极以减少栅极电路中杂散电感的影响可以提高 IGBT 开关性能( 图 2)。辅助发射极不承载负载电流;它减少了电感耦合产生的失真，清理了开关波形，并简化了电磁兼容设计。 IGBT 用于中高功率开关电源、可再生逆变器、牵引电机驱动、感应加热和类似应用，最高可达数百千瓦。大型 IGBT 通常由许多并联器件组成，其阻断电压高达 6,500 V，能够处理数百安培。虽然 IGBT 的开关速度比 IGCT 快，但它们的开关频率低于功率 MOSFET。对于需要 300V 和 600V 之间器件的电源转换器，可以使用 IGBT 和 MOSFET，具体取决于应用的具体需求; 低于 600V，MOSFET 占主导地位，高于 600V ， IGBT 占主导地位。与 IGBT 一样，IGCT 是用于自换向功率转换器的完全可控功率开关。 IGCT 基础知识 IGCT 是相当于 IGBT 的晶闸管。由于它们是一种晶闸管，因此 IGCT 以压装包装形式交付。这与 IGBT 形成鲜明对比，IGBT 可用于更广泛的应用，并提供更广泛的封装样式(图 3)。 IGCT 是 GTO 与集成栅极结构的组合。它通过简化的栅极驱​​ 动提供 GTO 的高功率密度和低传导损耗。  IGCT 将栅极驱动结构与栅极换向晶闸管 (GCT) 晶圆级器件集成在一起。IGCT 和 GTO(IGCT 的来源) 均由栅极信号控制，并且都可以承受高 di/dt 率，这意味着大多数应用不需要缓冲器。在 IGCT 中，关闭器件所需的栅极电流高于阳极电流。高栅极电流与高 di/dt 比率相结合意味着传统互连不能用于将 IGCT 连接到栅极驱动器。相反，栅极驱动 PCB 和 IGCT 作为一个单元交付。栅极驱动器用连接到 IGCT 边缘的大圆形导体围绕器件。大的接触面积和极短的连接距离降低了栅极连接的电感和电阻， 与大多数晶闸管一样，IGCT 被制造为单个晶圆(图 4)。这与作为一系列单元制造的 IGBT 形成对比，每个单元的构造类似于 n 沟道垂直功率 MOSFET，除了用 p+ 集电极层代替 n+ 漏极并形成垂直 PNP 双极结型晶体管。IGCT 的栅极结构和驱动拓扑支持比 GTO 快得多的关断时间。GTO 通常限于在 500 Hz 下运行，而 IGCT 可以在短时间内以高达几 kHz 的频率运行，长期最大开关频率为 500 Hz。IGCT 的额定关断电流为 520 至 5,000 A，典型阻断电压额定值为 4,500、 5,500 和 6,500 V。它们用于工业和牵引驱动、变频逆变器和交流隔离开关。多个 IGCT 可以串联或并联运行以用于更高功率的应用。IGBT 的原理图符号源自 MOSFET 的符号，而 IGCT 的原理图符号源自晶闸管的符号(图 5)。 IGCT 具有三种结构： IS230TNDSH2A IS230TNSV