dram sram利用 利用_美光DRAM路线图深度解读|半导体行业观察

美光在业绩会议上表达对内存市场的信心,详细介绍了其DRAM技术路线图,包括10nm级节点(1Z, 1α, 1β, 1γ)及潜在的EUV光刻应用。目前,1Y nm工艺已用于16GB DDR4和LPDDR4X,1Z nm技术获客户验证,计划用于16GB LPDDR5和DDR5。美光正评估EUV技术,但强调成本和均匀性挑战,暂无立即采用的计划。" 122760692,9863761,VSCode PlatformIO开发STC15W408AS软串口,"['单片机', 'VSCode', '软串口输出', 'STC单片机', '嵌入式开发']
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来源:本文由公众号半导体行业观察(ID:icbank)翻译自「anandtech」,谢谢。

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美光在本周早些时候与投资者和金融分析师召开的业绩电话会议上,表达了对其长期前景的信心,并表示随着未来几年各领域新应用的涌现,对其产品的需求强劲。该公司还概述了扩大产能和迅速转向更先进工艺技术的计划。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示:“我们相信,受人工智能、自动驾驶汽车、5G和物联网等广泛长期趋势的推动,内存和存储的长期需求前景是不可抗拒的。”“新美光凭借创新的产品、反应性供应链以及与全球客户建立的良好关系,很好地利用了这些趋势。”

由于供过于求,近几个季度DRAM价格大幅下跌。为了降低成本,并为内存所需要的新应用程序做好准备,DRAM制造商正在积极转向更新的工艺技术。尽管他们承认需要平衡DRAM的供需,但实际上他们为扩大生产能力制定了积极的计划,因为他们需要为即将到来的制造技术提供更干净的空间。

在制造过程中,美光有一个积极的路线图,包括四个以上的10个nm级节点。该公司正在研究最终过渡到极端紫外光刻(EUVL)。尽管如此,该公司也在扩大其生产能力,为下一代应用程序生产下一代内存。该公司目前正在利用其最新工艺技术的成果,为客户端系统准备32 GB内存模块,为服务器准备64 GB调光器。

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32 GB和64 GB内存模块

本月早些时候,我们讨论了美光的16gb DDR4内存芯片,该芯片使用该公司第二代10 nm级制造工艺(也称为1Y nm)生产。这些DRAM设备已经在用于ADATA和Crucial的客户端系统的32 GB DDR4无缓冲DIMM原

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