本文详细介绍了MOS管的反接和冲击抑制原理，通过分析MOS管的寄生电容及体二极管，提出了防反接和防冲击电路设计方案，包括防反接电路和防冲击电流电路的工作机制，并提供了具体参数计算方法，以确保MOS管的安全稳定工作。
MOS管的反接和抑制冲击
一：原理分析
MOS管由于生产工艺等因素，会产生相应的寄生电容，体二极管等。Mos管的寄生电容如图1所示，可以看到其具有三个寄生电容：G和S的电容Cgs；G和D的电容：Cgd，也称为反向传输电容、米勒电容、Crss；D和S的电容Cds。D和S之间的体二极管D1.
图 1：MOS管等效模型
寄生电容的数值可以从元器件的datasheet中得到,如图2，图3：
Ciss(输入电容)=Cgs+Cgd…………………………………………………(1)
Coss(输出电容)=Cds+Cgd………………………………………………..(2)
Crss(反向传输阵容)=Cgd……………………….……………………….(3)
图 2：寄生电容值
图 3：寄生电容值的动态变化
Mos管的导通过程：以NMOS为例，其各极之间的寄生电容分别为Cds、Cgs、Cgd，如图4所示。NMOS的状态随Vgs逐渐增加而变化，如图5所示。MOS管的导通过程如图6，当VgsVds，Vgd>0，此时Vgs用于给Cgd进行反向充电，因此在MOS管开通的过程中，会有一个时间段，G极的驱动电荷用于中和Cgd中的电荷，并继续灌入电荷使其中电荷的极性反向。这个时间段就是米勒平台形成的时间段。故在
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