MOSFET规格书中三个关键电容参数详解：Ciss、Coss与Crss

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已于 2025-02-28 21:12:06 修改

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文章标签：硬件工程

于 2025-02-28 21:06:55 首次发布

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在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的规格书中，通常会提到三个与电容相关的参数：输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）。这些电容参数是MOSFET在开关应用中非常关键的特性，直接影响其动态性能、开关速度和效率。以下是对这三个电容的详细说明：

定义: 输入电容是栅极（Gate）对源极（Source）和漏极（Drain）之间等效电容的总和。具体来说，它是栅极-源极电容（Cgs）和栅极-漏极电容（Cgd）的并联组合

$C_{i s s}=C_{g s}+C_{g d}$

物理意义:
- Ciss表示在驱动MOSFET时，栅极驱动电路需要充电或放电的电容大小。
- 它直接影响开关的上升时间和下降时间，因为栅极电压的变化需要通过外部驱动电路对Ciss充电。
测量条件: 通常在规格书中，Ciss是在特定的漏源电压（Vds）和栅源电压（Vgs）下测得的（例如Vgs = 0V，Vds = 25V，f = 1MHz）。
应用影响:
- 较大的Ciss意味着需要更大的栅极驱动电流或更长的充电时间，从而可能降低开关速度。
- 在高频应用中，Ciss较小的MOSFET更受欢迎。

$C_{o s s}=C_{d s}+C_{g d}$

物理意义:
- Coss反映了MOSFET在关断状态下，漏极和源极之间的寄生电容。
- 在开关过程中，Coss需要被充电或放电，特别是在漏源电压（Vds）变化时。
测量条件: 与Ciss类似，通常在Vgs = 0V（关断状态）下测量。
应用影响:
- Coss会影响MOSFET的开关损耗，尤其是在高电压应用中，因为它与Vds的平方成正比地存储能量（ $E=\frac{1}{2} C_{o s s} V_{d s}^2$ ）。
- 在谐振电路或软开关设计中，Coss的大小直接影响电路的频率特性和效率。

$C_{r s s}=C_{g d}$

物理意义:
- Crss是栅极和漏极之间的反馈电容，直接影响MOSFET的开关动态特性。
- 在开关过程中，由于米勒效应（Miller Effect），Crss会被放大，导致栅极电压出现“平台期”（Miller Plateau），延长开关时间。
测量条件: 通常在Vgs = 0V、Vds变化的条件下测量。
应用影响:
- Crss较小通常意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗。
- 在高频或高dV/dt（电压变化率）的应用中，Crss的大小尤为重要，因为它会影响栅极驱动的稳定性，甚至可能引发寄生导通（即误触发）。