实验题目_半导体存储器原理实验_______________________
1.实验目的与要求:
目的:
1.掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
2.掌握半导体随即存储器如何存储和读取数据
要求:
1.按练习完成相应的操作,并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。
2. 实验方案:
(1)看存储器实验原理图,并理解原理图
(2)先检查电源是否开。确认电源关后开始接线。
(3)接完线后,检查是否接错。
(4)检查完毕并确认没有错误后,开始操作。
(1)向存储器单元写入数据,按照书上P29页的步骤写入数据。
向存储器00000001地址单元写入数据00010001.
(2)做写内容操作(将数据写入指定的地址单元),把数据00010001存入00000001地址单元。
(3)读出存储器单元内容。
(5)进行结果测试,操作练习一以及练习二。
3.实验结果和数据处理:
表2.1
控制信号
写地址
写内容
读内容
SW-B
0
0
1
LDAR
1
0
0/1
CE
1
0->1
0
WE
0/1
1->0
0
4. 结论
1. 结合控制信号SW-B,LDAR,CE,WE能够完成向存储器写入数据和读出数据
2.在输入数据时,不能连续输完地址后再输入内容。即要先写完第一个地址,然后向第一个地址输入地址单元写内容。再写第二个地址。读操作是先写第一个地址,然后读出第一个地址单元的内容。再写第二个地址。
5.问题与讨论及实验总结
(1)存储器在写操作和读操作的过程中为什么都要先完成写地址操作。
答:在写操作中先完成写地址操作是为了能把数据写到指定的存储单元,从而能使数据不会杂乱。而读操作中写入地址是为了根据地址找内容并读出所要的内容。
(2)写地址的操作完成后,在做写内容操作时,为什么要关闭LDAR?
答:因为LDAR是地址寄存器AR存数控制信号。
(3)存储器读操作需要T3脉冲吗?
答:不需要。
(4)在完成上面练习题操作中,能否先连续输入所有的地址,再连续的输入所有的内容或连续读出所有的内容,为什么?
答:不行。如果先连续输入所有地址再连续输入所有内容,那么会在输入内容的时候出现数据不知道储存在哪个单元。从而使数据杂乱无章。连续读内容也一样,系统不知道该在哪个时候读出哪个数据。
总结:认识到半导体随机存储器的操作以及读取数据操作和原理。
6. 思考选择题:(单选题)
1、( A ) 2、( B
) 3、( A )
4、( B ) 5、( B ) 6 、(
B )