海力士内存命名_2019年内存市场回顾和展望

最新推荐文章于 2022-07-03 16:08:39 发布

炉石不传说

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文章标签：海力士内存命名

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本文将从内存产业整体宏观行情和智能手机存储市场两部分进行解读。

文︱Aaron

图︱网络

由集邦咨询举办的2020存储产业趋势峰会昨日在深圳举行，详细解读全球半导体存储产业宏观经济环境、产业细分市场以及技术演变动态，深度分析未来的驱动因素和应用商机。本文将从内存产业整体宏观行情和智能手机存储市场两部分进行解读。

2020年全球内存产业趋势分析

整体来看，全球2020年内存市场成长预估仅为12.2%，相较于2019年的19.0%有很大的下降。尽管如此，服务器内存市场的增长依旧可观，预测该部分在2020年的同比增长达到20.1%。占整个内存市场的比例从2019年的32.6%增长到2020年的34.9%。（如下图）

DRAMeXchange研究副总经理郭祚荣表示，服务器内存市场成长最高，有望在未来三到五年内超过行动式内存市场。

PC内存市场一直保持跌势，从现实状况来看，人们对笔记本产品的换机时间越来越久，导致市场动力不足。

从全球内存厂晶圆投片量预估来看，2020年Q4与2019年Q4相比总体成长只有约为5%。在该季度，三星明年约成长为30K。郭祚荣称：“以我经验来看，投片并不多，几乎没有新的产能开出。”此外，郭祚荣还表示，从三星角度来看，它并不想做价格竞争，而把利润下降，希望一直稳住自己30点的毛利。（如下图）

据他预测，三星的旧工厂Line 13在2021或者2022年投片可能归零，做CMOS Sensor的生意。

2019年Q4到2020年Q4，SK海力士的产能不增反减，其中主要是M10工厂在减产，转而做CMOS Sensor生意。郭祚荣表示，SK海力士无锡C2厂最大容量能做到280K，目前只用了一半产能。可能因为中美关系的复杂化，担心芯片销售到海外没有价格竞争力。此外，SK海力士新工厂M16预计明年Q4完工，实现大部分量产预计到2021年。

美光在今明两年的Q4都没有太多变化，其在中国台湾设有新工厂，完工时间与SK海力士M16相差无几。南亚科今年还有转折点，思考要不要用导入美光制程，所以产能只是预估。

从全球内存厂2020年产出量年成长预估来看，2019年三星和SK海力士同比增长都超过20%，明年只剩10来个点，背后因为资本支出的减少。SK海力士由于今年转向1x nm制程，所以明年增长幅度最大。（如下图）

从全球内存厂工艺演进来看，从2018年到2020年1X/1Y nm逐渐成为主流。三星方面，工艺主要集中1x nm。由于1Z nm制程成本太高，三星要维持利润，保持收入，所以在1Z nm的投入并不积极。美光方面，虽说也有1Z nm制程，毛利却没法和三星抗衡。（如下图）

郭祚荣表示，从制程先进程度来比较，三星排第一，随后是SK海力士和美光，目前来看，同样的命名方式，美光其实三星一个世代。不过现在美光的1Z nm颇为先进，能与三星一较高下。

不管怎样，明年1Xnm依旧是主流产品。

从需求侧分析，与上面所说一样，整体出现微幅缩减，而服务器还在持续增长。智能手机端今年下降了4%，郭祚荣称用户都在期待5G手机，明年智能手机端内存市场将大概与今年持平。（如下图）

到2020年，全球内存需求将增长17.5%，其中基于智能手机与服务器的领域占比最大。从下图可见，两者相加几乎占到7成市场。（如下图）

再看产业营收预估，2019年，内存厂高库存水位难以纾解，第三季度日韩问题带动拉货力道，第四季度服务器需求提成，让库存逐步下降。到了2020年，内存厂产出保守，获利是他们的主要目标，将带动市场的供需平衡。（如下图）

2020年全球内存产业营收成长与供需预估

下面这张具体价格图就更能表现问题，拿PC DRAM DDR4 8GB内存来举例，年初一月份价格50块，下半年只剩一半。明年涨幅不高基本持平，由于英特尔CPU缺货影响，导致笔记本市场出货不顺，内存产品也会有所影响。

下图则是个内存产品价格的预估，手机部分的价格增长最为平缓，整体而言，供应商为了为了维持活力，从而选择保护诗词，明年价格会起涨，最快第二季度可以显现。

2020年智能手机发展与存储市场趋势分析

从DRAMeXchange分析师叶茂盛的报告中可以看出，目前智能手机发展已经达到饱和阶段，硬件更新减慢，到2020年整体智能手机生产量将达到14亿台。整体格局维持大者恒大状态，其中由于国际形势复杂，华为的海外市场开拓可能会受限，但其国内增长不断上涨。如果美国政策利好，华为一年产量达到2.7亿台也有可能。

2020年智能手机发展趋势来看，摄像头方面，将会有更多镜头、更高像素、ToF和屏下相机模组出现；屏幕方面，窄边框和高帧率将提升用户体验；存储方面，仍然是追求大容量和更快的传输速度；此外，生物识别和屏下指纹将会更多的渗透。

5G手机将在未来两年加速增长，下图的红色部分。

存储端，UFS将会更加适合用于5G时代的智能手机，叶茂盛表示，eMMC将在5G时代中逐渐淘汰。

从智能手机存储的传输介面与元件架构趋势来看，当前uMCP与eMCP已几乎没有价差，考虑到传输速度的提升以及规格竞逐的需求，预计能够在2020年起加速渗透入智能手机市场。

智能手机存储的传输介面与元件架构趋势，1Q17-4Q20F

此外，随着NAND Flash技术发展到3D NAND阶段，每颗die的传输速度也有小幅提升，在UFS3.0或以上的产品内，高层数3D NAND会是更匹配的组件。因此，叶茂盛表示，3D 92/96层NAND Flash产品渗透率预计将在2020年大幅提升。

从近几年智能手机内存消耗量与搭载容量趋势来看，不论总量增长或衰退，平均搭载容量增长在后续几年仍能保持在30% YoY以上。在2020年，不论是以UFS 2.1为主的uMCP或分离式的UFS 3.0，128GB都仍会是主流或占相当比重。供货商目前致力于推出256GB水平的uMCP，有助于下半年起提升出货比重。