想你所想，做你所做

原创 显卡分类及特性详解

关于显卡的非公版和公版，NVIDIA和AMD自家显卡称之为公版，公版指的是NVIDIA或AMD在新品发布之初，原厂设计(或者授权设计)的PCB版型，包括电路、接口、用料、散热都方面都是有统一标准的，而且显卡的核心频率也都一致，并指定OEM厂商生产的显卡。显卡的核心频率是指显示核心的工作频率，其工作频率在一定程度上可以反映出显示核心的性能，核心频率越高，那么显卡的性能就越强，当然就会造成显卡功耗越高。A卡的型号主要是前缀+数字组成，目前的A卡型号前缀目前都是以RX开头，其后面的数字型号则是越高性能越强！

原创 工控主板分类详解

但CPCI主板上没有金手指，采用更为可靠的CPCI连接器和背板连接，CPCI连接器采用压接的方式与PCB连接，免焊的设计具有更高的可靠性。element U，2019年下半年，intel重磅推出的“计算模块”，该计算模块更像是一张名片，拥有intel全新定义的300PIN金手指接口，模块尺寸为：95X65X6mm，统一取名为Intel NUC Element。COM口，1路PCIEX16扩展槽，并支持VGA，DVI，LVDS高清显示接口，多应用于银行自助终端、轨道交通、智慧政务服务中心等场景使用。

原创 Cortex系列详解

R 系列实时处理器为要求可靠性、高可用性、容错功能、可维护性和实时响应的嵌入式系统提供高性能计算解决方案。X计划的目标是为高端移动平台、云服务场景、边缘计算和高性能计算设备提供更快、更强大的处理器核心。A 系列处理器适用于具有高计算要求、运行丰富操作系统以及提供交互媒体和图形体验的应用领域。X系列处理器采用了激进的架构设计，大幅度提升移动处理器的性能（俗称超级大核）；“A”系列面向尖端的基于虚拟内存的操作系统和用户应用。实时嵌入式系统中用于自动驾驶、工控系统和医疗设备等。“R”系列针对实时系统。

原创 国产处理器-兆芯 开先系列

兆芯处理器主要包含开先系列和开胜系列。开先系列是PC、嵌入式处理器；开胜系列是服务器处理器。

原创 电容可靠性及常见电容概述

内部发热会明显增加热应力，所以纹波电流越高，电容的等效串联电阻产生的内部功耗就越大。便宜的MLCC在温度变化时电容值的变化也很大，在整个温度范围内的变化可以从+22%到-82%。如果电路设计的工作温度是25°C，那么在较低或者较高的环境温度下，电容的表现大不相同，可靠性不高。因此相比低电压的电容，一个高电压的电容的可靠性不一定也较高。一个在6.3V时额定为10µF的0806型MLCC电容，对上升的电压会出现明显的电容下降。工作寿命和电容的容量没有关系，所以在设计中使用大容量的电容不会改变其可靠性。

原创 DC-DC输入输出滤波专题

比如对于一个输出被完全整流的转换器，它的输出电容是22µF，电流是1A，操作频率是100kHz，那么在没有外部电容的情况下它的输出纹波是226mVp-p。如果所要求的纹波是这个值的一半，56mVp-p，那么需要90µF的总电容，换句话说68µF的外部电容。开关尖峰所造成的电流干扰也会叠加在这两个分量的组合上，这个电流干扰的幅值小的多，同时频率也高的多。所有的DC-DC转换器都有输出纹波和噪声，过滤输出纹波/噪声需要两种完全不同的技术，因为纹波是不均匀（差模）的干扰，而噪声（共模）是均匀的干扰。

原创 DC-DC电源芯片规格书上的各种参数详解

如果测量时设定电流是80%最大电流，那么负载调节率可以通过三种方法测得到： 测量最小负载和半载（ 半载是指最小负载和满载的平均值，LOADHALF = (ML+FL)/2）的输出电压，测量满载和半载时的输出电压，或者测量最小负载和满载时的输出电压，三种方法测得的结果几乎是一样的。举例来说，如果一个1W转换器的电流上限为150%额定电流，那么转换器必须能够在过载或短路的情况下承受500mW的额外功耗，但是对于一个50W的转换器必须承受25W的额外功耗。用类似的方法还可以测得其他温度下的输出电压。

原创 正确认识DC-DC电源纹波及其一些测量注意事项

一个示波器如果没有20MHz带宽的限制，那么由于额外的共模干扰，读数总是偏高。对于DC-DC电源纹波的测量，如果不清楚干扰源以及他们之间的相互影响，仅仅用一个示波器的标准探头连接到转换器上，然后从显示屏上读取数据，这么做往往是不可靠的。需要注意的是，测量得到的波形被两个50欧姆电阻组成的分压器减半，所以示波器的显示波形应该有2倍的幅值增益。一个简单的示波器探头极大地忽略了差模干扰，因为差模干扰同时出现在两个连接点上并且是均匀的。如果探针的连线不可能很短，那么可以参考使用图3.3中所示的接线方法。

原创 DC-DC电源设计中电感选型详解

/有一MCU使用 Buck型DC-DC，其输入为电池 Vinmax= =4.2V，开关频率Fsw=1.2MHZ，输出电流 Irate=500mA，输出电源 Vout=1.2V。2， 根据电感的精度， 计算出有一定裕量的电感值例如： 对于 20%精度的电感， 考虑到 5%的设计裕量。距离 3.57uH 最近的一个标称电感为 4.7uH，所以 DC-DC外部电感选用4.7uH 电感。1， 根据 DC-DC 的输入输出特性计算所需的最小电感量。3， 确定我们所需的电感为比计算出的电感 L 稍大的标称电感。

原创 MOSFET与IBGT详细对比分析

原创 WIFI详解及周边拓展

通常Wifi模块拥有较高的带宽是以提高功耗为代价的，因此便携WIFI装置需要较高的电能储备，另外WiFi传输的数据质量有待改进，这限制了工业场合的推广。蓝牙模块的工作标准基于IEEE 802．15．1协议，工作频段在2．4GHz，信道带宽1MHz，异步非对称连接最高数据速率732．2kbps（蓝牙2．0版支持10Mbps以上的速率），连接距离小于10m，使用高增益天线可是通信范围扩展到100m，由于蓝牙的上述特性使它可以应用于许多无线设备如图像处理设备、智能卡、身份识别设备等。二、WiFi协议的工作原理。

原创 辐射之CE和FCC标准的具体分析

这里有轻微的差异，但一般来说，如果设备能满足CE的限值要求，那么在230~960MHz的频率范围内，它也能够满足FCC的要求。这意味着，如果一个设备能满足CE的限值要求，那么在88~216MHz的频率范围内，它也能够满足FCC的要求。在216-230MHz的频率范围内，FCC要求的限值是46dB，CE要求的限值是40dB。同样的，如果一个设备能满足CE的限值要求，那么在216~230MHz的频率范围内，它也能够满足FCC的要求。在这个频率范围内，如果设备能满足CE的限值要求，那么它也能够满足FCC的要求。

原创 PCIE协议版--M.2接口规范V1.0中文版1——电气规格篇

3.电气规范3.1 Connectivity Socket 1 系统接口信号表15适用于Socket 1-SD和Socket 1-DP输出版本。3.1.1.补充NFC信号当一个SIM设备被用作安全元素时，NFC解决方案可以与表16中列出的附加信号相结合。3.1.2.电源和地PCI Express M.2 Socket 1使用一个3.3 V电源。电压源，+3.3 V，预计在系统的备用/暂停状态期间可用，以支持通信卡上的唤醒事件处理。一些较高频率的信号需要与周围的信号进行额外的隔离，使用交

原创 工频磁场抗扰度概述及相关注意事项

它可用于评价处于工频( 连续和短时) 磁场中的家用、商用和工业用电气和电子设备的性能，尤其适合于计算机监视器、电度表等一类对磁场敏感设备的磁场抗扰度试验。（在有电流流过的地方都会伴生磁场，为了检查设备或系统在附近有工频磁场的情况下，对磁场骚扰的抵抗能力。工频磁场是由导体中的工频电流产生的，或少量的由附近的其他装置（如变压器的漏磁通）所产生。II、故障条件下的电流，能产生幅值较高、但持续时间较短的磁场，直到保护装置动作为止。I、正常运行条件下的电流， 产生稳定的磁场，幅值较小；：有电子束敏感装置使用的环境。

原创 辐射GB4824--Class A & Class B区分以及国标、美标、欧标对比拓展

I、在开阔试验场地（OATS）和半电波暗室（SAC）测量时，A类设备可在3m、10m、或30m标准距离下测量；而如果放入全电波暗室（FAR）的有效测试区域中，则B类设备可以在FAR的3m标准距离下进行测试；电磁辐射测试要看测试距离，上表这里FCC测试距离是10m情况下，对比国标GB4824在10m的测试标准会发现，其实是一致的。所以看限值，30~230MHz，230MHz ~1GHz，这个限值就是国标和欧盟的；实际中，国标和欧盟的是一样的，就是国标和CE是一样的，FCC和CE差了一点，但差的并不多；

原创 硬盘供电及功耗问题概述

启动时只需要+12V的供电，其他诸如空闲、读写、待机、休眠时除+12V以外还需+5V供电，但这些状态所需电流都较启动电流要小好多；以下是希捷不同容量硬盘功耗情况，可以看出：硬盘功耗一般随着容量的增加会略微增加一些，但基本也都差不多，有些甚至反而更低一些。硬件设计中经常接触的必不可少的就是硬盘了，但是对于硬盘的供电及功耗问题，大家经常感到有些迷茫，今天就一起学习一下。然而实际使用过程中，硬盘在不同工作状态对电源需求是不同的。但实际的硬盘功耗，特别是启动瞬间的功耗不止于此；启动时+12V所需电流是2A；

原创 CAM350开短路检查操作

使用CAM350进行开短路检查，实际就是从Gerber文件中提取网表与从Allegro中产生的IPC-D-356A格式网表进行比较。这里将板卡的各层标注出来，内层统一设置为Internal（如果存在负片的时候，同样要设置负片为Neg Plane）注意：如果导入的时候这里忘记设置，在CAM350中通过Tables–>Layers同样可以进行设置！如果没有，则该步骤直接跳过；6.Cam350中导入刚刚生成的.ipc文件，弹出对话框，直接点击OK即可；这里参数设置不需要勾选，直接点击OK即可，提取网表。

原创 可靠性设计中的DFMEA、FET、FMEDA、PFMEA等分析模式详解

转载 影响DDR5稳定性的RAS功能

随着DDR5信号速率的增加和芯片生产工艺难度的加大，DRAM内存出现单位错误的风险也随之增加，为进一步改善内存信道，纠正DRAM芯片中可能出现的位错误，DDR5引入了片上ECC技术，将ECC集成到DDR5芯片内部，提高可靠性并降低风险，同时还能降低缺陷率。CRC保证了数据传输的正确性。对于数据信号，随着速率的进一步提升，DDR5采用了之前在高速串行信号中才会使用的反馈判决均衡技术（DFE），以减少信号衰减和码间干扰（ISI）的负面影响，增加了信号眼图的优化手段，为数据信号的高速传输提供了保障。

原创 PCIE协议版--M.2接口规范V1.0中文版1——物理规格篇

5.1.3.双模块键模块：同时支持Socket1-DP、Socket1-SD。2.4.7.3.3.双面模块（使用H2.8、H3.2、H4.2连接器）6.5.8.2.5.热设计功率响应-带有风扇类别的薄平台笔记本电脑。2.3.7.1. Socket1&2射频连接器PIN-OUT。5.2.2.Socket2 PIN-OUT（机械KEY B）3.2.10.1.3.极薄的笔记本电脑的电源开关顺序的例子。5.1.1.Socket1-DP（机械KEY A）5.1.2.Socket1-SD（机械KEY E）

原创 M.2 SSD接口详解

一开始，B key的只能插在b key（Socket 2）的接口中，m key的只能插在m key(Socket 3)的接口中，但是随着m key接口的普及，越来越多电脑主板只有m key 接口，b key的ssd根本插不上去，于是厂商们又设计了一个b&m key接口的ssd。常见的M.2接口为Key A、Key B、Key E和Key M. 不同的key类型表示此m2接口支持的信号，见下表。Key B、Key M多用于硬盘，Key A、Key E多用于无线网卡，当然也有各种转接模块。

原创 Sigrity仿真之S参数介绍及提取

全称为Scatter 参数，即散射参数，是在传输线两端有终端的条件下定义出来的，一般是50Ω。通过S参数，我们能看到传输通道的几乎全部特性，例如信号的反射，串扰，损耗，都可以从S参数中找到有用的信息。，表示有多少能量传送到目的端（port2），当然S21越大越好，理想为1即0dB；，即有多少能量被反射到源端（port1），S11这个值越小越好，反射回来的能量越小则被目的端接收的越多，损耗越小；阻抗和导纳矩阵反应了端口的总电压和电流的关系，而散射矩阵是反映端口的入射电压和反射电压的关系；

原创 Sigrity仿真之如何使用Speed200仿真EMI

因此，如果想在未放置的设备pin上进行探测，需要添加设备模型或在探测点上放置一个较大的电阻。（2）选中DQ0-DQ7, DQ0R- DQ7R, DQS0+, DQS0R+, DQS0-, and DQS0R-，所有连接到U0和U8的DQ和DQS信号网均使能。本节定义了基于IBIS模型的控制器和内存设备模型，该设计被设置为写模式，即，控制器正在写入以DDR3-1333速度运行的存储器。然后即可看到，DQ0的激励已经创建好，然后给DQ1-DQ7均选用data_in，用data_in分配信号DQ0~DQ7。

原创 Sigrity仿真之Power SI走线阻抗及耦合(串扰)分析

（2）点击 coupling summary table，查看耦合分析表格，报告内容包括网路序号、网络名称、最大干扰源、最大耦合系数、最大耦合系数所占走线长度的百分比、耦合系数大于0.05的走线长度百分比、耦合系数在0.01-0.05的走线长度百分比、总的耦合参考数值等内容。报告内容包括在网络的序号、网络的名称、无参考平面走线数目、回流不连续走线的数目、过孔的数量、最大阻抗、最小阻抗、主导阻抗、主导阻抗走线百分比、走线的总长度、走线的信号延迟等内容。若网络有错误，可通过鼠标右键选择修改网络的属性。

原创 Orcad原理图打印的时候如何调整打印页码顺序

我们通过Orcad软件绘制完成原理图以后，会进行检查或者是发给别的工程师进行检查，这是需要将原理图文件打印成pdf文件，在打印的时候，我们发现一个问题，就是有时候输出的pdf的排序并不是按照我们原理图的排序，而是乱的。这时候就会有这样的一个疑问，我们输出的pdf文件的页码顺序是怎么决定的呢，应该怎么排，我们输出的pdf文件的页码顺序才是按照原理图的来的呢？实际打印的时候，PDF显示的顺序是按照这里的顺序来排布的，而并非是根据原理图页码来排布的。所以只有修改这里的页码顺序才可以。

原创 RJ45网口座子上的LED接法详解

它的LED部分，每个接口内部都是并联了正向、反向两个不同的绿色、黄色LED，所以汉仁的这款RJ45的LED引脚无论是LED+接3.3V还是接GND，都可以点亮；唯一需要注意的就是，两个LED点亮的时候注意避免点亮同一颜色的LED，也就是说，在原理图上设计的时候，这款RJ45的两个LED处，有一个LED+接的是3.3V，另一个LED+接的就是GND了。这种形式的RJ45，内部的LED结构就是标准的串联了一个LED，所以接法就是常规的LED+接3.3V，LED-接GND了。

原创 Sigrity仿真之OptimizePI电容优化

在library–>load library file:选择提前找好的电容库索引文件（.xml格式文件，这个一般在Cadence/Sigrity安装目录中都有默认的相应S参数电容库（.s2p文件）及电容库索引文件）下面这一步可以查看电容的势力范围（或者称为去耦半径）；（5）电容的ESR、ESL实际与过孔、焊盘相关，电容的地孔、地线如果不符合要求，则在仿真中会显示出来相应电感的ESR、ESL等参数。第二部分红框标注的就是优化后的方案，C6、C7、C29、C32代表的就是优化后，板卡上这些电容是可以去掉的；

原创 Sigrity仿真之电热混合仿真

1、本次电热混合仿真，是基于上次POWER DC单板直流压降仿真的基础上的，所以直接加载之前的Workspace；在这里可以勾选你认为会发热的IC，并且在Ckt type列有下拉菜单，主要有三种：pcb-comp，BGA和Die。这个数值非常关键，没有厚度是不被判断为发热元件的。当然如果知道详细的芯片的热阻参数，也可以按照如下所示调整：然后输入JB和JC，这个可以参考JESD51-2A等规范文件。7、鼠标放置在Dissipation列，出现E，点击进去，输入功耗：根据Datasheet填写。

原创 Sigrity仿真之POWER DC操作步骤

从上图可以看出，24v的输出直接到一个DC/DC，输出一路5v，并给出了每路的电流。5v的输出有非常多，这里我们就MP9942作为5V的负载端，看看输出在72mA的情况下，到达MP9942的电源压降能有多大。11、还有一个是设置约束的， 如果你知道你要求的过孔电流密度、平面电流密度、走线电流密度以及压降的容差等等，可以在这里设置；2、刚打开板子，默认所有的net都是enable的，可以全都disenable，然后选择自己关注的网络enable即可。首先先查验一下用到的电感L1的详细参数，阻值为68mΩ；

原创 Sigrity PCB PI-SI工具详解

直流电分析 PowerDC-E  3: 电热混合分析 PowerDC-T 交流分析 PowerSI(3DFEM)电容优化 OptimizePI提取电路模型BroadBand SPICE时域分析 SPEED2000高速串行互连分析：Channel DesignerBUS DESIGNER封装模型提取与分析：XtractIM功能介绍

原创 Cadence Sigrity仿真工具简介及案例演示

Cadence电源感知的信号完整性(SI)工具，基于Sigrity技术，为PCB电路板与IC封装提供精确的SI分析。要精确的仿真信号频率高于1GHz的系统SI性能，必须充分考虑高速信号及其回流路径，Cadence的SI仿真工具与Cadence Allegro PCB 及IC封装物理设计工具无缝对接，可实现完整的电源完整性和信号完整性解决方案。PowerSI提供了一个先进的信号完整性、电源完整性和设计阶段EMI仿真的解决方案，支持S参数的模型提取，为整个IC封装和PCB设计提供强大的频域仿真。...

原创 海力士EMMC5.0及5.1系列对比详解

SK hynix e-NAND由NAND flash和MMC控制器组成。e-NAND具有内置的智能控制器，用于管理接口协议、磨损均衡、坏块管理、垃圾收集和ECC。e-NAND保护数据内容免受主机突然断电故障。e-NAND兼容JEDEC标准的eMMC5.1规范。一、概述•总线模式-数据总线宽度：1位（默认），4位，8位-数据总线宽度：1位（默认），4位，8位-MMC开关时钟频率：0~200MHz-MMCI/F启动频率：0~52MHz•电压范围-Vcc(NAND)：2.7V-3.6V-Vc

原创 Xilinx ZYNQ简介之Zynq® UltraScale+™系列

一、Zynq-7000 系列ZYNQ （全称是 Zynq-7000 All Programmable SoC全可编程片上系统APSoC）是赛灵思公司（Xilinx）推出的新一代全可编程片上系统（APSoC），它将处理器的软件可编程性与 FPGA 的硬件可编程性进行完美整合，以提供无与伦比的系统性能、灵活性与可扩展性。与传统 SoC解决方案不同的是，高度灵活的可编程逻辑（FPGA）可以实现系统的优化和差异化，允许添加定制外设与加速器，从而适应各种广泛的应用。ZYNQ 的本质特征，是它组合了一个双核 ARM C

原创 LDO与三端稳压器详解

一、分类：线性稳压器根据内部电路结构主要分为以下几类：NPN、LDO、准LDO、PMOS、NMOS以下分别是上述几种稳压器的电路原理：（1）NPN架构：（2）LDO架构：（3）准LDO架构：（4）PMOS架构：（5）NMOS架构：我们常用的一般是准LDO和PMOS LDO.二、工作原理：接下来以LDO为例，来说一下线性稳压器工作原理：如上图所示，LDO由串联调整管 VT 、取样电阻 R3 和 R4 、比较放大器 A 组成。取样电压加在比较器 A 的同相输入端，与加在反相

原创 高速电路设计与仿真之仿真设置篇

本篇博文可同时对照博文《PCB SI仿真流程》来学习，主要是对《PCB SI仿真流程》中的一些界面详细功能描述。仿真之前，首先先对需要仿真的PCB进行一些参数设置。1、首先打开PCB SI，打开需要仿真的PCB文件，如下图所示：2、调用并运行设置向导PCB SI在进行拓扑提取和仿真时，对要求仿真的PCB板必须明确以下信息：（1）网表（2）PCB层叠信息：为抽取较精确的传输线模型必须提供的参数；（3）DC电压设置：为了确定在拓扑结构中终端电压值；（4）器件类属性（Device Class）：

转载 PCB SI仿真流程

目录一、 Cadence Allegro PCB SI 简介1、高速 PCB 设计流程二、 Allegro PCB SI 仿真1、准备仿真模型和其他需求1.1 、获取所使用元器件的仿真模型（ 1 ） 通过官网，供应商等渠道获取 IBIS 模型（ 2 ） IBIS 模型转化为 DML 模型（ 3 ） 通过 Allegro 建立简单 DML 模型以及模型分配（ 4 ） 通过 Allegro 建立复杂 DML 模型以及模型分配1.2、了解 PCB 的布线规则以及原理图部分逻辑2、仿真配置2

原创 你真的了解Cadence吗？

大家常用的一般无非是Design Entry CIS、PCB Editor、Pad Designer这三个工具；此外还有一些在仿真中所要掌握的，如下图所示：Design Entry CIS：板级原理图设计工具；Design Entry HDL：通常一些国企、跨国公司喜欢用它来进行原理图设计（芯片开发级设计常用到）；Package Designer：SIP、封装等设计工具；Project Manager：项目管理工具；PSpice AD:原理图，原理功能仿真，或者前仿真；Sigrity Sui

原创 赛灵思FPGA功耗实测与XPE模拟计算对比分析

FPGA选型的时候，除了考虑其性能，硬件上还需要额外关注其功耗，因为这涉及到相应的DCDC的选型，但是如何评估FPGA的功耗呢？今天这里就以一款赛灵思Kintex-7系列的XC7K160T-FFG676芯片为例，其相应的应用资源如下图所示：首先先用赛灵思的专用模拟分析软件XPE进行一下满功耗的模拟分析计算，计算结果如下图所示：模拟在满载的情况下，On-Chip Power功耗为：5.928W；表中其他详细参数信息含义可参考赛灵思FPGA手册。接下来使用实际PCB板卡进行测试，这里板卡实际同样按照

原创 STM32单片机初学者常用函数--I2C配置

I2C的配置必须要按照其时序逻辑，首先先来了解I2C常见的几种工作情况：A、主机向从机发送数据，数据传输方向在整个传输过程中不变：B、主机在第一个字节后，立即从从机读数据：C、在传输过程中，当需要改变传输方向时，起始信号和从机地址都被重复产生一次，但两次读/写方向位正好相反：此外，I2C的时序如下图所示：接下来正式开始进入I2C程序阶段（I2C管脚配置、宏定义等假设已完成）：（1）I2C起始函数（严格按照上图中起始信号的时序逻辑）：void IIC_Start(void){IIC_

原创 如何看懂EMC测试报告

对于EMI，相信搞硬件的同行都可以或多或少的说出许多，但是对于实际的EMI测试结果我们要如何看懂呢，其中有哪些参数是我们要重点关注的呢，如何从中找到我们需要的信息呢？下面就以一个实际测试报告为例，来说一下如何看懂EMI测试报告。如下图所示，一份EMI检测报告中，需要重点关注的有如下五部分：A、此处箭头是IEEE规定的EMI标准线，也就是说如果检测超出这个标准，就视为EMI超标；B、此处绿线要求低于EMI标准线，是不同检测机构、厂家基于EMI实际测试标准下进行更严格的标记；C、这里的“Horizo