脉冲宽度调制pdm_两个相同Vpp驱动的 PAM4 MZ调制器

本文介绍了使用硅PAM4光学Mach-Zehnder调制器,通过两个具有相同峰峰值电压的二进制电信号实现90 Gbps的PAM4光信号。调制器结构、实验设置及在不同波长和调制速率下的眼图分析展示了其在高速数据传输和WDM应用中的潜力。
摘要由CSDN通过智能技术生成

演示了一个硅PAM4光学马赫曾德尔调制器,它由两个具有相同峰峰值电压的二进制电信号驱动。使用该设备,可以呈现90 Gbps的PAM4眼图。(ACP2019)

第2节    设计与制作

硅PAM4光学Mach-Zehnder调制器的结构如图1(a)所示。一个臂的共面波导(CPW)电极长度是调制器另一臂的两倍。

MZ调制与PAM信号生成的原理,见下面链接:

MZM调制与高阶PAM生成

将两个二进制电信号(具有相同的峰峰值电压V0的信号1和信号2)施加到调制器的两个臂上。调制之后,可以实现PAM4光信号。两个热移相器用于补偿调制器两个臂之间的相位差。

157f7c96e672986cdaf7378571b4b091.png

图1.-(a)硅PAM4光学Mach-Zehnder调制器的结构,(b)PN结的横截面,(c)器件的俯视显微图。

PN结的横截面如图1(b)所示。通过深度为150nm的硅蚀刻形成的脊形波导的宽度为400nm,高度为220nm。p掺杂区和n掺杂区的浓度为1 ×10^18/cm^3和8 ×10^17/cm^3,而重p掺杂和n掺杂浓度均为5.5 ×10^20/cm^3。图1(c)是调制器的显微照片,调制器是在8英寸绝缘体上硅(SOI)晶圆上制造的,顶部硅层厚度为220nm,2μm-新加坡IME(现为AMF)的厚二氧化氮埋层。调制器的CPW电极长度为1mm和0.5mm。在电极的末端,集成了终端电阻(33Ω)以吸收电信号

  • 0
    点赞
  • 3
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值