霍尔效应是一种磁电效应，由霍尔于1879年发现，广泛应用于电子设计中。量子霍尔效应和量子反常霍尔效应是其重要发展，其中中国科学家团队在2013年首次观测到量子反常霍尔效应，对低能耗电子器件具有重大意义。霍尔效应的理论和应用研究仍然是现代物理学的热点。
霍尔效应就是将不可捉摸、又难以感知的磁场(就像某些打码的模糊照片)转换为确定的、易于检测的电信号(高清无码，哈哈)。
霍尔传感器小巧精致、灵敏度还高，简直就是电子设计宅男们热爱的小巧(局部)有肉型动漫女主，非接触式、无磨损、便于维护，应用非常广泛，例如：感知位置、检测速度或定向运动。
我们来看看霍尔效应前世今生。霍尔效应作为一种磁电效应，它是1879年由美国物理学家霍尔发现并以此命名的，在其后的2年内又事实上发现了反常霍尔效应。由于半导体材料的霍尔效应比较明显，因此现在有各种各样的用半导体材料制成的霍尔元器件，使得霍尔效应的应用非常广泛。
在近代，由于新型半导体材料(如超宽禁带半导体)和低维物理的发展(如石墨烯技术)、新的极端物理条件(如超低温度和超强磁场等的应用)，使得凝聚态体系(特别是低维凝聚态体系)中的磁现象研究取得了许多突破性的进展。例如德国物理学家冯·克利青在研究硅场效应管霍尔电阻时发现了量子霍尔效应；美籍华裔物理学家崔琦等在研究二维电子系统时发现了分数量子霍尔效应。
2013
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