2453全桥驱动电路_MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理

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本报告对目前较为流行的电路解决方案及其性能进行了分析，包括寄生器件的影响、瞬态和极端工作条件。本文从 MOSFET 技术和开关运行概述入手，按照由易而难的顺序，对各类问题进行了阐述。详细介绍了接 地参考和高侧栅极驱动电路的设计流程，以及交流耦合和变压器隔离解决方案。

1 简介 MOSFET – 是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写词，它是电子行业高频高效开关领域的 关键 组 件。让人称奇的是，FET 技术发明于 1930 年，比双极晶体管要早大约 20 年。第一个信号级 FET 晶体管诞 生于 20 世纪 50 年代末期，而功率 MOSFET 则诞生于 70 年代中期。如今，从微处理器到“分立式”功率晶 体管在内的各种现代电子组件均集成了数以百万计的 MOSFET 晶体管。本报告重点介绍了各种开关模式功率转换应用中功率 MOSFET 的栅极驱动 应用非常重要。 2 MOSFET 技术 双极晶体管和 MOSFET 晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味 着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时，都必须由能够提供足 够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动，以实现控制电荷的快速嵌入和脱出。从这一点来看，在开关期 间，MOSFET 必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动，以实现可媲美的开关速度。从理论上来说，双 极晶体管和 MOSFET 器件的开关速度几乎相同，这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所需的时间。功 率器件的典型值大约为 20 至 200 皮秒，具体取决于器件大小。

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