M和一个非易性电可擦除E2RAM组成!E2RAM存储高低温触发器TH、TL和配置寄存器。暂存存储器的头2个字节为测得温度信息的低位和高位字节:第3、4字节是TH和TL的易失性COPY,在每一次上电复位时都会被刷新!第5字节是配置寄存器的易失性COPY,上电复位也会被刷新!
暂存寄存器:
MSB LSB
0 R1 RO 1 1 1 1 1
0 0 9位 0.5℃ 93.75MS
0 1 10位 0.25℃ 187.50MS
1 0 11位 0.125℃ 375MS
1 1 12位 0.0625℃ 750MS(出厂默认)
温度传感器:
低位字节:
MSB LSB
8 4 2 1 1/2 1/4 1/8 1/16
高位字节
MSB LSB
S S S S S 64 32 16
S=1 表明温度为-
S=0 温度为+
如125℃ 可表示为 00000111 10110000 0X07DOH
如-125℃ 可表示为 11111111 10110000 0XFFDOH
硬件原理为STC89C54RD+的P3.7接DQ,采用20M晶震倍频为40M!DQ接4.7K电阻上拉至正电源!
DS18B20的1-WIRE协议和命令:
初始化:主机通过拉低单线480US以上,产生复位脉冲,然后释放该线,进入Rx接受模式。主机释放总线时,会产生一个上升沿,DS18B20检测到该上升沿后,延时15 —60US,通过拉低总线60—240US来产生应答脉冲。主机收到从机的应答脉冲后,说明有单线器件在线。