JEDEC发布UFS 3.1标准，新标准针对高性能移动应用提供写入加速、深度睡眠和性能受限通知等功能。写入加速模仿SLC提升性能，深度睡眠降低功耗，性能受限通知借鉴NVMe。此外，可选补充标准“主机性能增强器”类似NVMe的HMB，通过共享主机DRAM提升随机读写性能。
近日JEDEC宣布了UFS 3.1标准(JESD220E)，新标准针对高性能、低功耗移动应用提供了一系列更新。新标准的UFS闪存或将成为下一代旗舰手机和部分二合一平板电脑的标准配置。
UFS3.1将沿用MIPIM-PHY v4.1物理层规范和MIPIUniPro v1.8传输层规范，理论带宽23.2 Gbps(同UFS3.0相同)。主要改进包括写入加速、深度睡眠和性能受限通知，有助于简化设计、降低系统成本并提高设备性能。
写入加速(Write Booster)提供了一种通过TLC/QLC闪存模拟SLC写入来提高性能的方法。SLC缓存已经广泛应用于SSD固态硬盘及部分SD存储卡、优盘当中，可以提高突发写入性能。USF3.1标准首次在UFS闪存中将其标准化。
深度睡眠(DeepSleep)提供了一种新的低功耗状态，适用于共用UFS稳压器实现其他功能的廉价设备。
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