AO3442规格参数
一般说明
AO3442结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于消费类,电信,工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
产品摘要
VDS 100V
ID(VGS = 10V) 1A
RDS(ON)(VGS = 10V) <630m 2
RDS(ON)(VGS = 4.5V) <720m 2
A.使用安装在lin2FR4板上的器件以2oz测量RBA的值。铜,在空气环境中,TA = 259℃。任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。
B.功耗FD基于TJ(MAX)= 150℃,使用≤10s结至环境热电阻。
C.重复额定值,脉冲宽度受结温T(MAX)= 150℃的限制。评级基于低频和负载yps来指定initialT2s
D. ReJA是从结到引线ReJL的热阻抗,并导致环境温度。
E.使用<300us脉冲,占空比最大0.5%获得图1至6中的静态特性。
F.这些曲线基于结至环境的热阻抗,该阻抗是使用安装在1英寸FR-4板上的装置测量的,具有2盎司。铜,假设最高结温T(MAX)= 150℃。 sOA曲线提供单脉冲评级。
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