【场效应管】之【场效应管型号技术参数】

最新推荐文章于 2023-12-27 09:38:40 发布
最新推荐文章于 2023-12-27 09:38:40 发布
阅读量1.5w 收藏 23
点赞数 4
分类专栏： |-- 电子元件基础 ==== 知识库 ==== 文章标签： ssh signal 360 xp c
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/ConanYang/article/details/7536530
版权
本文详细介绍了场效应管的多个型号，如SI230x和AO34xx系列，以及它们在电源管理、电池保护和负载开关等领域的应用。此外，还列举了其他型号如2N7002、4N60、09N03等的技术参数，涵盖不同电流、电压等级和封装类型。
摘要由CSDN通过智能技术生成

场效应管型号技术参数

SI230x系列说明： 贴片高频MOS管

SI2300 SOT-23 2.3A/20V，RDS(on)=70mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等 （VGS=10V，ID=3.0A） 用途。
SI2301 SOT-23 -2.2A/-20V,RDS(on)<130mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等 （VGS=-4.5V，ID=-2.8A） 用途。
SI2302 SOT-23 2.3A/20V,，RDS(on)<85mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等 （VGS=4.5V,ID=3.6A） 用途。
SI2305 SOT-23 -2.2A/-20V,RDS(on)<85mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等 （VGS=-4.5V，ID=-2.8A） 用途。
SI2312 SOT-23 4.9A/20V,RDS(ON)<31mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等 (VGS=4.5V,ID=5.0A) 用途。
XP152A12COMR SOT-23 -2.2A/-20V,RDS(on)<130mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等 （VGS=-4.5V，ID=-2.8A） 用途。
XP151A13COMR SOT-23 2.3A/20V,，RDS(on)<85mΩ 可作电源管理、电池保护，负载开关等 （VGS=4.5V,ID=3.6A） 用途。

AO34xx系列：

AO3410 - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V 5.8A

AO3413 - P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 20V 3A

AO3414 - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 20V 4A

AO3415 - P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 20V 4A

AO3416 - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 20V 6.5A

AO3418 - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V 3.8A

AO3419 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 20V 3.5A


2N7002

2N7002  - Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23

4N60 - 4 Amps, 600 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

09N03 - 25V 30A N-Channel Enhancement Mode MOSFET
09N03型号名称释义:

09N03: 09是代表D极耐流值为9A，N是代表N沟道（在主板上很少看到P沟道场管），03代表D－S耐压为30V，依次类推75N02，55N03，15N03，50N03等型号的管子，都是这样的定义。


其他型号：


型号      参数      封装
2N7000 60V,0.115A TO-92
2N7002 60V,0.2A SOT-23
IRF510A 100V,5.6A TO-220
IRF520A 100V,9.2A TO-220
IRF530A 100V,14A TO-220
IRF540A 100V,28A TO-220
IRF610A 200V,3.3A TO-220
IRF620A 200V,5A TO-220
IRF630A 200V,9A TO-220
IRF634A 250V,8.1A TO-220
IRF640A 200V,18A TO-220
IRF644A 250V,14A TO-220
IRF650A 200V,28A TO-220
IRF654A 250V,21A TO-220
IRF720A 400V,3.3A TO-220
IRF730A 400V,5.5A TO-220
IRF740A 400V,10A TO-220
IRF750A 400V,15A TO-220
IRF820A 500V,2.5A TO-220
IRF830A 500V,4.5A TO-220
IRF840A 500V,8A TO-220
IRF9520 TO-220
IRF9540 TO-220
IRF9610 TO-220
IRF9620 TO-220
IRFP150A 100V,43A TO-3P
IRFP250A 200V,32A TO-3P
IRFP450A 500V,14A TO-3P
IRFR024A 60V,15A D-PAK
IRFR120A 100V,8.4A D-PAK
IRFR214A 250V,2.2A D-PAK
IRFR220A 200V,4.6A D-PAK
IRFR224A 250V,3.8A D-PAK
IRFR310A 400V,1.7A D-PAK
IRFR9020TF D-PAK
IRFS540A 100V,17A TO-220F
IRFS630A 200V,6.5A TO-220F
IRFS634A 250V,5.8A TO-220F
IRFS640A 200V,9.8A TO-220F
IRFS644A 250V,7.9A TO-220F
IRFS730A 400V,3.9A TO-220F
IRFS740A 400V,5.7A TO-220F
IRFS830A 500V,3.1A TO-220F
IRFS840A 500V,4.6A TO-220F
IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F
IRFSZ24A 60V,14A TO-220F
IRFSZ34A 60V,20A TO-220F
IRFU110A 100V,4.7A I-PAK
IRFU120A 100V,8.4A I-PAK
IRFU220A 200V,4.6A I-PAK
IRFU230A 200V,7.5A I-PAK
IRFU410A 500V I-PAK
IRFU420A 500V,2.3A I-PAK
IRFZ20A TO-220
IRFZ24A 60V,17A TO-220
IRFZ30 TO-220
IRFZ34A 60V,30A TO-220
IRFZ40 TO-220
IRFZ44A 60V,50A TO-220
IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F
IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F
IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220
IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220
SFP36N03 30V,36A TO-220
SFP65N06 60V,65A TO-220
SFP9540 -100V,17A TO-220
SFP9634 -250V,5A TO-220
SFP9644 -250V,8.6A TO-220
SFP9Z34 -60V,18A TO-220
SFR9214 -250V,1.53A D-PAK
SFR9224 -250V,2.5A D-PAK
SFR9310 -400V,1.5A D-PAK
SFS9630 -200V,4.4A TO-220F
SFS9634 -250V,3.4A TO-220F
SFU9220 -200V,3.1A I-PAK
SSD2002 25V N/P Dual 8SOP
SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP
SSD2101 30V N-ch Single 8SOP
SSH10N80A 800V,10A TO-3P
SSH10N90A 900V,10A TO-3P
SSH5N90A 900V,5A TO-3P
SSH60N10 TO-3P
SSH6N80A 800V,6A TO-3P
SSH70N10A 100V,70A TO-3P
SSH7N90A 900V,7A TO-3P
SSH9N80A 800V,9A TO-3P
SSP10N60A 600V,9A TO-220
SSP1N60A 600V,1A TO-220
SSP2N90A 900V,2A TO-220
SSP35N03 30V,35A TO-220
SSP3N90A 900V,3A TO-220
SSP4N60A 600V,4A TO-220
SSP4N60AS 600V,4A TO-220
SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220
SSP5N90A 900V,5A TO-220
SSP60N06 60V,60A TO-220
SSP6N60A 600V,6A TO-220
SSP70N10A 100V,55A TO-220
SSP7N60A 600V,7A TO-220
SSP7N80A 800V,7A TO-220
SSP80N06A 60V,80A TO-220
SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK
SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK
SSR3055A 60V,8A D-PAK
SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F
SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F
SSS3N80A 800V,2A TO-220F
SSS3N90A 900V,2A TO-220F
SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P)
SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P)
SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F
SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F
SSS5N80A 800V,3A TO-220F
SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)

型      号

材料

管脚

用    途

参          数

3DJ6

NJ

 

低频放大

20V0.35MA0.1W

4405/R9524

 

 

 

 

2E3C

NMOS

GDS

开    关

600V11A150W0.36

2SJ118

PMOS

GDS

高速功放开关

140V8A100W50/70nS0.5

2SJ122

PMOS

GDS

高速功放开关

60V10A50W60/100nS0.15

2SJ136

PMOS

GDS

高速功放开关

60V12A40W 70/165nS0.3

2SJ143

PMOS

GDS

功放开关

-60V16A35W90/180nS0.03
最低0.47元/天 解锁文章
conanyang
关注
专栏目录
三极管,场效应管参数大全
09-15
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 2、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 3、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。 关于“材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) ft(MHz)”给你解释一下 如：SI-NPN 0.1 20 45 >100 意为三极管为硅材料、NPN结、标称功率为0.1W、工作电流为20mA、耐压45V、工作频率大于100MHz。
常用场效应管型号及厂家
#*一生有你*#
12-19 5708
ID 型号 厂家 用途1 2SJ11 东芝 DC, LF A, Chop2 2SJ12 东芝 DC, LF  A, Chop3 2SJ13 东芝 DC, LF A, Chop4 2SJ15 富士通 DC, LF A5 2SJ16 富士通 DC, LF A6 2SJ17  C-MIC7 2SJ18  LF PA8 2SJ19 NEC LF D9 2SJ20 NEC LF PA10 2SJ22  C-
场效应管的分类及型号命名方法
weixin_43769740的博客
03-25 1万+
　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 　　 　　按沟道半导体材料的不...
场效应管大全
02-25
这是维修电子配件的型号名称，对一些想维修电子的人有一定的帮助。
2N7002E-VB场效应管一款N沟道SOT23封装的晶体管
最新发布
VBsemi_MOSFET的博客
12-27 493
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 2800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1.6V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压。2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。4. **LED驱动:** 可用于LED驱动电路中，提供对LED的精确控制。
SI2302CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-13 277
SI2302CDS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。应用简介：SI2302CDS-T1-GE3适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。
SI2302-ASEMI低压MOS管SI2302
qyx3868的博客
03-14 3771
SI2302在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为72mΩ，是一款N沟道低压MOS管。SI2302的最大脉冲正向电流ISM为10A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SI2302的电性参数是：正向电流(Io)为3A，漏极-源极击穿电压为20V，二极管正向电压(VSD)为1.2V，其中有3条引线。它的本体长度为1.7mm，加引脚长度为2.95mm，宽度为3.1mm，高度为0.5mm，脚间距为1.9mm。正向电流(Io)：3A。
场效应管的主要参数
07-17
### 场效应管的主要参数详解 ...无论是直流参数、交流参数还是极限参数，它们都是选择合适场效应管型号、优化电路性能的关键依据。希望本文能够帮助读者更好地掌握这些基础知识，为实际应用提供有力支持。
场效应管和IGBT的区别，IGBT所有型号大全-综合文档
05-22
场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）与绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是两种在电力电子领域广泛应用的半导体器件，它们各自具有独特的特性和应用场景。 场效应管是一...
毕业设计作品_常用三极管、场效应管参数.rar
04-30
此外，熟悉不同型号三极管和场效应管的参数，能够帮助我们进行元器件选型。例如，对于高功率放大电路，可能需要选择集电极电流大的三极管；而对于低功耗、高速应用，可能会选择高跨导的MOSFET。 在实际操作中，设计...
常用全系列场效应管\_MOS管型号参数封装资料.pdf
09-13
场效应管（FET），特别是金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET），是现代电子系统中不可或缺的组件，尤其是在开关电源、逆变电源和数字电路中。本文件包含了众多MOSFET的型号和封装参数，以及一些三极管型号的简要...
常用场效应管及晶体管参数表.pdf
09-17
1. 场效应管和晶体管型号：文档中列举了多种型号的晶体管和场效应管，如IRFPF460、IRFU02、IRFPG42、IRFP9240、IRFP9140等，以及2SC系列的晶体管如2SC458、2SC45175、2SC4429等。这些型号代表了不同规格的半导体器件...
SI2305ADS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-13 88
SI2305ADS-T1-GE3 (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；应用简介：SI2305ADS-T1-GE3是一款中功率P沟道MOSFET，适用于功率开关、逆变器和电源管理等应用。其能够处理适中的功率需求。
单N沟道低压MOS场效应管
深圳市泛海微电子有限公司
10-31 3021
单N沟道低压MOS场效应管 型号 沟道 VDS (Max) VGS VTH (Typ) ID (Max) IDM RDS(on) (Max) 封装 直接替代型号 HM2302/A N沟道 20V 10V 0.7V 3A 10A 30mΩ SOT23 SOT23-3L Si2302/AP2302/XP151A APM2314/IRLML2...
SI2300DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-12 261
SI2300DS-T1-GE3 参数：N沟道, 20V, 6A, RDS(ON) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V, 8Vgs(±V), 0.45~1Vth(V), SOT23。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；适用模块：SI2300DS-T1-GE3适用于移动设备和低电压应用的控制模块，如手机、平板电脑等。优势：适用于低电压逻辑驱动：低阈值电压特性适合低电压逻辑控制。适用于移动设备：适用于移动设备、低电压应用等领域。
增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件
Acelpoetry的专栏
06-25 1万+
增强型N沟道mos管（如si2300）开关条件 增强型N沟道mos管的S（source源极） 和 D（drain漏极）导通条件取决与Vgs，即漏极和源极间的电压压差。 只有当 Vgs > 2.5V ，也就是 Vg（G极电压） — Vs（S极电压） > 2.5V，D极和 S极之间导通。 例如：        G极为3.3V， S极为0.1V， Vgs = 3.3 - 0.
AO3400的参数
阿兰你在哪
06-12 1万+
AO3400是N型MOS管，AO3401是P型MOS管 简要介绍： AO3400结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装提供极低的RDS(上)，适合作为 负载开关或在PWM应用。 手册上的产品总要： Vds 30V Id（Vgs=10v情况下） 5.8A Rds(ON) (Vgs=10v情况下) <28mΩ Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) <33mΩ Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) <5
ASEMI低压MOS管AO3415参数，AO3415图片，AO3415大小
qyx3868的博客
03-15 1068
储存温度（Tstg）：-55 to 150℃。静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：55mΩ。RDS（ON）Ω @VGS=-2.5伏。RDS（ON）Ω @VGS=-4.5伏。二极管正向电压（VSD）：1.2V。漏极-源极电压（VDS）：20V。输入电容（Ciss）：950pF。ESD额定值：2500V HBM。开启上升时间（tr）：10nS。栅源电压（VGS）：8V。漏极电流（ID）：4A。功耗（PD）：1.4W。总长度：2.95mm。本体长度：1.7mm。高功率和电流处理能力。
二极管知识 之 IN4148 IN4007 IN5819的区别
热门推荐
软件开发、电子设计
10-11 1万+
1N4148： 电流容量小，速度快，反向耐压不错，正向压降适中，在小信号领域中使用最广泛。 1N4007：特点是反向耐压高，其它参数普通，一般用做整流桥电路。、 1N5819：速度快，正向压降小，但反向耐压小，漏电大，一般用做续流二极管。 更多二极管参数见另一篇文章： 《二极管资料大全》http://blog.csdn.net/conanyang/article/details/68616
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值