AO3400的参数

最新推荐文章于 2025-02-12 01:17:13 发布
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AO3400是一款高性能N型MOS管，适合用作负载开关或PWM应用。其关键参数包括：Vds=30V，Id(10V)=5.8A，Rds(ON)最低可达28mΩ。理解MOS管的输出特性曲线，是通过控制栅源电压UGS来改变沟道电阻，进而调整流过电流ID。详细规格可在官方手册中查看。

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AO3400是N型MOS管，AO3401是P型MOS管
简要介绍：
AO3400结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装提供极低的RDS(上)，适合作为
负载开关或在PWM应用。

手册上的产品总要：

  • Vds 30V
  • Id（Vgs=10v情况下） 5.8A
  • Rds(ON) (Vgs=10v情况下) <28mΩ
  • Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) <33mΩ
  • Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) <52mΩ

绝对最大额定参数

参数 最大值
Drain-Source Voltage （漏源电压Vds） 30v
Gate-Source Voltage （栅源电压Vgs） ±12v
Continuous Drain Current （漏极电流Id 25℃） 5.8A
Continuous Drain Current （漏极电流Id 70℃） 4.9A
Power Dissipation （功率损耗 25℃） 1.4W
Power Dissipation （功率损耗 70℃） 0.9W
Junction and Storage Temperature Range （温度范围） -55~150℃
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使用AO3400MOS管的电机驱动电路 使用AO3400驱动如下图所示的减速直流小电机。 电路图 比较经典的电机驱动电路了，AO3400是做为开关使用，SS14是续流二极管保护MOS管，R6为VGS提供偏置电压，说偏置其实不太合适，应是开启电压，还起到泄放电阻的作用，为什么要泄放？因为栅极下面的一层二氧化硅很薄，GS两端有等效电容，少量的静电就可以产生很高的电压，不把这些静电泄放容易把栅极击穿。IN1接单片机IO口，IO输出不同占空比的PWM，就能控制电机的不同速度的旋转。 程序 程序没什么好说的，就是
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在进行MOS管的选型时，需要注意芯片手册中的哪几个参数才能保证设计的可行性，本文章为您解答。
用esp32如何控制空心杯马达的快慢？
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一些项目要控制空心杯马达（通常指无刷直流电动机，BLDC）或直流电动机的快慢，您可以使用 ESP32 通过 PWM（脉宽调制）信号来实现速度调节。以下是一个详细的实现步骤和代码示例，供您参考。
AO3400A-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析
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11-22 802
AO3400A-VB的特点使其成为用于控制电流和电压的重要元件，特别是在电源管理和电流控制方面。1. **电源开关：** AO3400A-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。4. **电池保护：** 在锂电池保护电路中，AO3400A-VB可用于实现电池的充电和放电控制，以确保电池的安全运行。3. **电子开关：** 适用于各种电子开关应用，如开关电源、电源分配单元和电源管理模块。2. **电流控制：** 这种N沟道FET可以用于电流控制应用，如电流限制器和电流源。- 沟道类型: N沟道。
ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线
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编辑-Z AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线。 AO3400概述 30V N沟道MOSFET Vds 30V Id（Vgs=10v情况下） 5.8A Rds(ON) (Vgs=10v情况下) <28mΩ Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) <33mΩ Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) <
AO3400-ASEMI高效mos管AO3400
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编辑-Z AO3400在SOT-23封装里引出3个引脚，是一款高效mos管。AO3400的脉冲漏极电流(IDM)为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。AO3400的电性参数是：持续漏极电流(ID)为5.8A，漏源电压(VDS)为30V，栅极阈值电压(VGS)为1.4V。 AO3400参数描述 型号：AO3400 封装：SOT-23 特性：高效mos管 电性参数：5.8A 30V 持续漏极电流(
AO3400 datasheet
03-12
The AO3400 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3400 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3400L is a Green Product ordering option. AO3400 and AO3400L are electrically identical.
AO3400A N沟道30V5.7A贴片
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不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：26.5 毫欧 @ 5.7A，10V。不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V。不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V。不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA。驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V。封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3。电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta）功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
AO3400宽体.pdf
01-22
AO3400宽体.pdf规格书下载
【AO3400A-VB】MOSFET参数
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【AO3400A-VB】是一款N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，主要用于DC/DC转换器等应用。该MOSFET具有以下特点： 1. **TrenchFET** 技术：AO3400A-VB采用TrenchFET设计，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上形成深沟槽...
AO3400-VB一种N沟道SOT23封装MOS管
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AO3400-VB MOS管的主要参数包括： * VDS：30V * RDS(on)：6.5Ω（VGS = 10V），4.5nC（VGS = 4.5V） * ID：6.5A（TC = 25°C），5.3A（TC = 70°C） * Qg：33nC（Typ.） AO3400-VB MOS管的绝对最大额定参数包括： ...
AO3400-SOT23-3封装MOSFET参数应用-VBsemi
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【VBsemi AO3400-SOT23-3封装MOSFET】是一款N沟道30V（D-S）MOSFET，具备多种特性。这款MOSFET符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准，采用TrenchFET®技术，确保了其在功率处理方面的高效性能。同时，该器件100%通过...
AO3400_SOT23-3封装MOSFET参数应用-VBsemi
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在10V下的RDS(ON)为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，阈值电压范围为1.2V到2.2V，使得这款MOSFET具有多种用途。总之，VBsemi的AO3400 MOSFET是一款多用途的元件，适用于电源管理、电机控制、LED驱动器、DC-DC变换器和电池保护等领域。电源供应单元（PSUs）：在电源管理中，AO3400可用于电压调节和电流切换，提高电源模块的效率和稳定性。LED驱动模块：在LED驱动电路中，AO3400可用作电流开关，用于控制LED的亮度，确保高效的电源分配。
场效应管AO3400A是什么，在电路中起到什么作用
2201_75797484的博客
09-25 1342
场效应管AO3400A以其卓越的电气性能和技术特点，在现代电子设备的设计和应用中扮演着至关重要的角色。无论是电源管理、电机驱动还是信号放大等领域，AO3400A都能提供高效、稳定的解决方案，助力电子设备的性能提升和可靠性保障。
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AO3400、BOOST电感升压电路及原理
【AO3400-VB】&【DMG1012T-VB】MOS管参数与应用领域对比
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AO3400-VB更适合高压高流应用，而DMG1012T-VB适用于中等压力和较低电流的场景。- DMG1012T-VB采用SC75-3封装，可能对尺寸有更高的要求。- 开通电阻（RDS(ON)）：200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V。- 开通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V，33mΩ@4.5V。- 适用于高电压（30V）和高电流（6.5A）应用。- 适用于中等电压（20V）和较低电流（1A）应用。- 门源电压范围（Vgs）：20V（±）- 门源电压范围（Vgs）：12V（±）
补水雾化器专用MOS管直接替代AO3400节约成本MOSFET SOT23-3
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型号:HC3400M 参数：30V 5.8A 类型：N沟道场效应管 内阻27mR(Vgs=10V) 低结电容635pF 封装：SOT23-3 低开启电压0.7V 广泛用于:电脑主板、蓝牙音响、电子烟、大电流RGB灯带调光、LED车灯、手机无线充、逆变系统。 ...
3400-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
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1. **电源管理模块：** 由于其较低的导通电阻和适中的电流承受能力，3400-VB常用于电源开关模块，提供高效的电源管理。2. **电机驱动器：** 在电机驱动电路中，3400-VB可用于控制电机的启停和速度调节，确保高效能的电机操作。3. **LED驱动：** 作为开关元件，3400-VB可用于LED照明系统中，帮助实现高效的LED驱动控制。4. **汽车电子：** 在汽车电子系统中，它可能用于各种电源管理和驱动应用，如车灯控制、电动窗控制等。3400-VB适用于需要N沟道场效应管的电路和模块。
AO3400 MOS管驱动推拉式电磁铁
07-28
AO3400 MOS管可以用于驱动推拉式电磁铁。推拉式电磁铁是一种常见的电磁装置，通过电流的通断控制来实现铁芯的吸合和释放。使用AO3400作为开关，可以控制电流的通断，从而控制推拉式电磁铁的工作状态。具体的电路连接可以参考引用\[2\]中提供的电路图。在该电路中，AO3400作为开关使用，通过单片机IO口输出不同占空比的PWM信号来控制电机的不同速度的旋转。AO3400具有较低的导通电阻和较高的漏极电流，适合用于驱动推拉式电磁铁。 #### 引用[.reference_title] - *1* [ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线](https://blog.csdn.net/qyx3868/article/details/122111224)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control_2,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *2* [使用AO3400MOS管的电机驱动电路](https://blog.csdn.net/qq_40945081/article/details/107037314)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control_2,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *3* [AO3400-ASEMI高效mos管AO3400](https://blog.csdn.net/qyx3868/article/details/121794776)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^control_2,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] [ .reference_list ]
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