1. 韧致辐射分裂
1. UBS 分裂数为常数。
2. SBS 分裂数在一个范围内变化，取决于电子的能量和方向。
3. DBS 分裂数为常数，但是排除了那些没有对准用户定义的分裂范围的光子。
以上分裂方式的效率依次升高。
* DBS
分裂范围定义在SSD处，在射野范围内才进行分裂，超出射野的会进行所谓Russian转盘进行简化处理。
这个范围的半径要足够大，能够包括整个治疗射野，且包括对中心轴有剂量贡献的地方，半径大会降低效率。对于10*10的野，半径为10cm是足够的。
一般对于边长为a的方野，分裂半径也取a。
分裂范围定义在SSD处，每次改变了SSD，都得回来DBS这里把它这个SSD相应地改了，如果想偷懒这个事情就把分裂半径写大一点，当然模拟会慢一点。
分列数1000就可以了。
标准DBS分裂时，极少带电粒子能都到达加速器底部，除非胖粒子（高权重）——这是因为为了在追踪带电粒子上节省时间，只有在赌盘中存活下来的光子（胖光子，高的权重）才可以处理带电粒子的产生（康普顿，光电，电子对事件）。
如果只是对加速器底部的光子感兴趣，这么做可以节省大量的时间。
但是，如果需要带电粒子的数据，必须用带电粒子分裂：选择一个CM，带电粒子在其中分裂，一般是FF；然后选一个水平面(in the FF)，分裂将在这个平面完成，如果已经定义了FF的几何性质，则这些平面是可访问的（下拉菜单可选），通常选择最后一个平面：
仅是分裂还不能够有效提升带点粒子e-/e+的统计（statistics），所以程序提供了俄罗斯赌盘平面，位于分裂平面的上方。赌盘平面上方进行标准的DBS，下方则允许低权重的带电粒子的产生。赌盘平面相对分裂平面的位置取决于射束的能量及FF的几何性质，不需要很精确。（例如，6MV SL25，0.16cm时效率比较高。）
重新分布分裂的带电粒子使之径向对称，对于径向对称的射束这样可以提高效率（improve statistics）。
如果你在加速器模拟中使用了‘带电粒子射程否决’，在这里可以选中该选项，更有效率。这个选项仅在你DBS使用带电粒子分裂时是可用的。
射程否决的例外是，如果不能到达最近的边界，（不管其能量是否大于ESAVE_GLOBAL），所有的不胖的带电粒子受制于赌盘（存活概率=1/NBRSPL）。
注意这么做并不会影响韧致辐射的产生，因为在赌盘存活下来的粒子有机会产生韧致辐射光子。
只有在使用DBS时是可用的。
对6MV光子束模拟初步表明它可以节省~20%的CPU时间。
2. BCSE：韧致辐射截面改进
BCSE是一种方差减少技术，可以在指定介质中，提高有效的韧致辐射截面。
它设计来提高（包括从韧致辐射靶产生x射线的）模拟效率，它和其他方差减少技术是相容的，当和UBS或者DBS一起使用效率最高。对于x射线管或者医用直加器推荐和DBS一起用。
在典型的模拟中，相比不使用方差减少技术，BCSE可以使模拟效率提高5倍；相比使用优化的UBS或者DBS，则可以提高一个数量级。
选择使用BCSE的时候，你需要指明在哪一种介质内（BCSE_MEDNAME(i)），指明enhancement constant和enhancement power，还可以选择是否打开俄罗斯赌盘。
如果BCSE_POWER <= 0, 那么介质的韧致辐射截面增强为乘以BCSE_CONSTANT；
如果BCSE_POWER > 0, 那么增强因子随入射电子的能力T变化：
enhancement factor = 1 + BCSE_CONSTANT*T^(BCSE_POWER)
BCSE也有自己的俄罗斯赌盘选项，可以单独使用，也可以和UBS一起使用，但是不能和DBS一起使用！如果是和UBS一起使用，the Russian Roulette setting (i.e. on or off) must mirror that for BCSE. 如果你只对光子感兴趣，推荐使用赌盘。
BCSE 和 UBS /DBS的优化细节在BEAM Manual中给出了。
使用BCSE的限制：
1. 如果介质BCSE_MEDNAME存在于多个区域，但是你只想在某一个区域中使用BCSE，那么你需要修改PEGS4文件，对该介质拷一个副本重命名，这个异名必须使用在你不想使用BCSE的区域中。
2. 如果打靶电子有不同的权重，不可以使用BCSE.
3. BCSE 不可以和SBS一起使用.
3. 分裂电子/光子的位置（CM）：
If yes, split photons and electrons a user-specified number of times as soon as they cross the arbitrary splitting plane at the top of this CM.
在所选的部件顶部分裂。不能选第一个部件，慎选靠近加速器顶部的位置以免引进期望之外的修正；分裂数不能为0，也不要太大since it introduces correlations which may not be desireable, while gaining little.
5.
强度为高斯分布的椭圆射束
由强度分布的X、Y方向的标准偏差/半高宽给定，如果输入的是FWHM，程序会将其转成σ（FWHM=22ln2σ）,注意XY分布的σ会被自动限制在第一个CM的边界内。
如果[FWHM/σ]x = 0，射束塌缩为pencil beam，
如果[FWHM/σ]y = 0，射束为圆射束，其强度分布的高斯半径就=[FWHM/σ]x 。
sigma_src19（平均扩散角）：
如果指定了sigma_src19，UVW则取默认值(0,0,1)，射束沿z轴；
如果没有扩散角（没有设置或者设置<=0），则UVW可以指明射束的方向。
指定源射束（打靶电子）的能谱：
打靶粒子能谱文件*.spectrum的格式为
|
SPEC_TITLE NENSRC, ENMIN, IMODE ENSRCD(I), SRCPDF(I) (I = 1 to NENSRC) |
也就是
|
文件标题 数据行数，最低能量，模式 能量，计数/单位能量计数
|
例如
Mohan et al 6 MV spectrum: cts/bin or /MeV
24, 0, 1
0.25, .004107824
0.50, .1295177
1.00, .4609022
1.25, .4435880
1.50, .4084962
1.75, .4084962
2.00, .2496504
2.25, .2367691
2.50, .1867142
2.75, .1382681
3.00, .1304545
3.25, .1484442
3.50, .09496227
3.75, .1246583
4.00, 0.09773248
4.25, 0.08891984
4.50, 0.05154921
4.75, 0.04184013
5.00, 0.04803306
5.25, 0.01624749
5.50, 0.02715377
5.75, 0.01199324
6.00, 0.01573713
打靶能谱是每台加速器都不同。理论上要算PDD，profile然后和实验比。一般我们都认为是高斯分布，根据厂家会提供一份做MC使用的机器参数图纸，里面会写平均能量和半高宽，细调
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