教材知识概述
存储器系统是一个具有不同容量、成本和访问时间的存储设备的层次结构。
6.1 存储技术
1.随机访问存储器(RAM)分为两类:静态的(SRAM)比动态的(DRAM)快,但也贵得多
静态RAM(SRAM)将每个位存储在一个双稳态的存储器单元里。它可以无限期地保持在两个不同的状态或电压配置之一。
动态RAM(DRAM)将每个位存储为对一个电容的充电。它可以制造的非常密集,但对干扰非常敏感。
传统的DRAM芯片中的单元被分成d个超单元,每个超单元都由w个DRAM单元组成。一个d*w的DRAM总共存储了dw位信息。超单元被组织成一个r行c列的长方形阵列,这里rc=d。每个超单元有形如(i,j)的地址。
每个DRAM芯片被连接到存储控制器。它可以一次传送w位到每个DRAM芯片或一次从每个DRAM芯片传出w位。行地址i称为RAS请求,列地址则为CAS。两者共享相同的DRAM地址引脚。
存储器模块用来包装DRAM芯片,常见的有双列直插存储器模块(128引脚)与单列直插存储器模块(72引脚)
增强的DRAM:有快页模式、扩展数据输出、同步、双倍数据速率同步、视频RAM等
非易失性存储器:断电会导致SRAM、DRAM丢失信息,即为“易失的”。而“只读存储器”则不同
PROM(只可编写一次)
可擦写可编程ROM
闪存,固态硬盘基于此
访问主存:数据流通过总线在处理器与DRAM主存中来回,每次传送数据的步奏被称为总线事务。主存到CPU为读事务,CPU到主存为写事务。
2.磁盘存储:
构造:
盘片:两表面、主轴、旋转速率(5400~15000)
磁道:扇区、间隔
旋转磁盘=磁盘=磁盘驱动器
容量:
记录密度*磁道密度=面密度
容量=字节数/扇区*平均扇区数/磁道*磁道数/表面*表面数/盘片*盘片数/磁盘
磁盘操作:
读写头-传动臂-寻道(读写碰撞)
访问时间:寻道时间、旋转时间、传送时间
逻辑磁盘块:磁盘控制器
连接设备:通用串行总线、图形卡、主机总线适配器
访问磁盘:存储器映射、直接存储器访问
3.固态磁盘
闪存翻译层
6.2 局部性
局部性原理、时间局部性与空间局部性:有良好局部性的程序比局部性差的程序运行的快
1.对程序引用的局部性
2.取指令的局部性
6.3 存储器层次结构
缓存:使用高速缓存的过程
缓存命中、缓存不命中(替换)-冷不命中、冲突不命中、容量不命中
利用两种局部性
GIT的上传
在之前的几周,我都有编写代码,但就是传不上去……不过经过了一个晚上的奋斗,总算是把之前因为种种原因传不上去的代码传上去了
本周代码因为各科学习任务都比较重,所以还没有编写,但我周末会努力的。