matlab igbt开关损耗,IGBT模块开关损耗计算方法综述

0 引言

绝缘栅型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由MOSFET和功率双极型晶体管复合而成的一种器件。IGBT既具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性，又有功率双极型晶体管(BJT)的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力，在工业、能源、交通等场合越来越不可取代[1]。虽然在电力电子电路中，IGBT主要工作在开关状态，但是IGBT仍然是功耗较大的电子器件，随着开关频率的增高，开关损耗会随之增大而成为器件功耗的主要因素[2]。

IGBT模块的性能与其开关特性密切相关，器件的开关特性直接决定其开关损耗，开关损耗制约着器件的工作效率的提高。而且功率器件IGBT的开关损耗可能会产生很高的热量，引起过大的温升，对器件的可靠性影响很大。因此，IGBT模块的开关损耗问题一直是各国学者研究的热点，其中如何准确估算IGBT模块的开关损耗是研究的重点内容之一。损耗计算对系统设计、寿命预测、选择合适的散热系统、提高系统的可靠性很重要[3-6]。

目前，国内外有关IGBT开关损耗研究的文献很多，这些文献归纳总结可以看出：IGBT模块开关损耗的计算方法主要分为基于物理方法的损耗计算法和基于数学方法的损耗计算法两种。本文对近年来各国学者们对IGBT模块开关损耗的计算方法进行讨论，并给出其相应的应用范围。

1 开关损耗定义

IGBT模块的开关瞬态电压、电流波形及开关损耗如图1所示。

IGBT模块的开关损耗由IGBT的开关特性决定，与其集-射极间电压Vce及集电极电流Ic有关。损耗计算公式如下所示[7]：

其中：Pon为开通损耗，Poff为关断损耗，ton为开通时间，toff为关断时间，vce为集-射极间电压，ic为集电极电流。

2 基于物理方法的开关损耗计算

基于物理方法的IGBT模块开关损耗计算方法是采用仿真软件，使用电源、电容、电阻、电感及晶闸管等一些相对简单的元件搭建器件物理模型来仿真IGBT模块的动态特性，得到IGBT模块的开关瞬态电流、电压的波形，从而计算开关损耗。Hefner、Kraus、Sheng等分别建立物理模型，采用该方法详细描述了损耗计算过程，并不断改进。该方法的开关损耗计算流程图如图2所示。

这种计算方法的准确程度主要取决于IGBT损耗模型的精确度和模型参数的准确度，采用的物理模型越接近IGBT实际器件，模型参数越接近实际大小，仿真计算IGBT损耗值才能越接近实际损耗值。

目前，常用的用于IGBT模块动态仿真的软件主要有三种：Saber、Pspice、Matlab。

其中Saber提供的是包括Hefner模型在内的5个通用模型和各种精确的具体型号器件的专用模型[8-9]，Pspice中提供详细的器件仿真模型[10-11]，这些模型基于IGBT物理结构包含了其重要的物理特征，可以描述IGBT在各种外部电路条件下的稳态和动态特性，具有很好的动态精确性。但是这些模型中多种参数值的确定对仿真影响较大，而且对一般的使用器件的用户来说，模型参数值的确定是比较复杂和困难的。而Matlab仅提供理想的器件模型，模型通用性较好，但其可设置IGBT参数较少，在开关动态过程的精确描述方面存在很大欠缺[9，11]。

Hefner首先提出了“非准静态近似理论”[13-17]，传统的“准静态近似理论”忽略了电子和空穴电流相互耦合会造成集电极电流的变化，以及由于基区的快速变化造成有效输出电容的数量级的改变，而这些对IGBT模块物理模型相当重要，进而会影响到IGBT模块开关损耗值，因此准静态近似理论不再适用于对IGBT等具有电导调制效应的功率器件进行瞬态分析。Hefner模型是第一个完整的一维分析、电荷控制模型，被广泛应用于电路仿真中，模型中包含了IGBT模块的重要物理特征，可以描述IGBT模块在各种外电路条件下的稳态特性，采用非线性电容，也能很好地表现器件的动态特性，与实验结果相比，具有较准确的结果。一般可在Saber和Pspice软件中实现。

Kraus采用一个多项式来逼近动态过剩载流子浓度分布[18-2