IGBT导通损耗和开关损耗

最新推荐文章于 2024-06-06 15:02:31 发布
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分类专栏： 功率器件
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从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受：导通损耗60W,开关损耗251。大概是1:4.5

下面是英飞凌的一个例子：可知，六个管子的总功耗是714W,这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。 导通损耗和开关损耗大概1:2

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matlab igbt开关损耗,IGBT模块开关损耗计算方法综述
weixin_34260787的博客
03-17 5406
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英飞凌IGBT功率损耗计算方法：电力电子工程师的必备工具
gitblog_06638的博客
09-26 851
英飞凌IGBT功率损耗计算方法：电力电子工程师的必备工具 【下载地址】英飞凌IGBT功率损耗计算方法介绍 本资源文件详细介绍了英飞凌IGBT功率器件的功率损耗计算方法。内容涵盖了英飞凌官方提供的计算方法，旨在帮助初学者理解和掌握IGBT功率损耗的计算过程。无论你是电子工程专业的学生，还是从事电力电子行业的工程师，这份文档...
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08-19
描述IGBT损耗产生机理及计算方法的文章
开关管的导通损耗和开关损耗及MOS管驱动
qq_51920808的博客
06-06 1604
开关管的损耗带来的问题★使得开关管发热，为了降低温度，需要增大散热面积，从而增大了体积和成本。★降低了开关电源的效率。开关管的损耗分为和★导通损耗：在开关管导通时候，开关管的功耗。★开关损耗：开关管从关断到导通，或者从导通到关断过程中产生的功耗。
Mosfet管开关管损耗、导通损耗、驱动损耗-计算方法公式及解释
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08-25 6万+
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IGBT损耗计算及散热设计方法
小幽余生不加糖
10-16 1万+
一般情况下，虽然如前面所述，从平均产生的损耗考虑导通的 Tj已经足够，但实际上每次反复开关产生的损耗是脉冲状态的，因此形成了如图 6-10(a)所示的温度脉动。这种情况下，将产生的损耗看作一定周期与一定的峰值形成的连续矩形脉冲波，使用规格书中记录的如图 6-9 所示的瞬态热阻曲线，能够近似计算出温度脉动的峰值(Tjp)。对于损耗比较大的 IGBT 模块，需要比较大的散热面积。选定散热器，决定了 IGBT 模块的安装位置后，请测量各部分的温度，确认 IGBT 模块的结温(Tj)不超出额定值或设计值。
IGBT模块开关损耗计算方法综述
10-17
开关损耗主要包括开通损耗（Pon）和关断损耗（Poff），与IGBT的集-射极间电压（Vce）和集电极电流（Ic）密切相关。计算公式如下： Pon = ∫(vce * ic)dt (在ton时间内) Poff = ∫(vce * ic)dt (在toff时间内) 开关...
如何计算IGBT的损耗和结温?
01-20
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如何根据IGBT的工作条件和器件参数，准确计算其导通损耗和开关损耗？
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10-28
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04-22
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06-21
一种新的IGBT损耗计算方法，准确性高，可参考性强。
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06-23
英飞凌功率损耗计算方法介绍，英飞凌功率器件的功率损耗计算方法，官网计算。。提供给初学者，谢谢。。。。。。。
IGBT数据手册中，开关损耗图表的理解
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g
开关电源的八大损耗
学海无涯的专栏
11-30 2302
开关电源的八大损耗_沙漠的甲壳虫的博客-CSDN博客 开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管)，另外小部分损耗来自电感和电容。但是，如果使用非常廉价的电感和电容(具有较高电阻)，将会导致损耗明显增大。选择IC 时，需要考虑控制器的架构和内部元件，以期获得高效指标。例如，图1 采用了多种方法来降低损耗，其中包括：同步整流，芯片内部集成低导通电阻的MOSFET，低静态电流和跳脉冲控制模式。 二极管传导损耗通常比MOSFET 损耗更大，二极管损耗与正向电流、VF 和导通时间成正比 mosf.
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大不列颠小小咸鱼
07-04 1万+
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IGBT知识
yuanmeixiang的专栏
06-16 9953
数据以英飞凌IGBT模块FF450R17ME3 为例 一、电流参数 1. 额定电流（IC nom） 大功率IGBT模块一般是由内部并联若干IGBT芯片构成，FF450R17ME3内部是3个150A芯片并联，所以标称值为450A 额定电流可以用以下公式估算： Tjmax–TC= VCEsat·IC nom·RthJC VCEsat 是IC no
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