功率和evm的关系_精确控频的高功率窄线宽硅光可调激光器 （2）

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第三节    激光性能特征

A.波长调谐和输出功率

SiPh激光封装中的TEC用于将设备保持在30°C的恒定工作温度下。增益芯片的注入电流固定为200 mA。可以改变SOA电流来调整激光器的输出功率。图5(a)显示了在65 nm范围内调谐的27个波长通道的叠加光谱。如此大的调谐范围确保了整个C波段的覆盖范围。如果通过集成的微型加热器同时控制两个环形滤波器，则可以在整个调谐范围内连续调节激光波长。在此测量中，SOA的注入电流设置为900 mA，并且在整个C波段上测得的光纤耦合激光器的输出功率范围为21.5 dBm至21.9 dBm，如图5中的红点所示(b)。在这里，在增益芯片上使用了200 mA的注入电流，以确保SOA在深饱和状态下工作。通过SOA的电流调整和监控光电二极管的校准，可以在整个波长通道上实现对激光输出功率的精确控制。所展示的高激光输出功率最好用于补偿使用高级高阶调制格式的较大调制器损耗。由于大于3 dB的大滤波器峰值反射差异，在所有波长通道上也已获得超过50 dB的SMSR，如图5(b)中的蓝点所示。

图6进一步显示了在1547.0 nm处测得的光纤耦合激光器输出功率与SOA电流的关系。当SOA注入电流小于500mA时，观察到的LI(光电流)曲线的斜率效率约为0.2 W /A。当电流进一步增加到超过700 mA时，输出功率开始逐渐饱和。在950 mA的SOA注入电流下，最大激光输出功率达到150 m