Exynos 4412的启动过程分析

最新推荐文章于 2024-07-20 17:12:48 发布

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文章标签： python

原文链接：https://my.oschina.net/cht2000/blog/1622230

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一、Exynos 4412 启动过程

做实验时我们是把bin文件烧入SD 卡。是谁把这些指令从SD卡读出来执行？是固化在芯片内部ROM上
的代码──它被称为iROM， iROM是厂家事先烧写在芯片上的，无源码。

iROM把启动设备上特定位置处的程序读入片内内存(iRAM)，并执行它。这个程序被称为BL1(Bootloader
1)， BL1是三星公司提供的，无源码。

BL1又把启动设备上另一个特定位置处的程序读入片内内存，并执行它。这个程序被称为BL2(Bootloader
2)，是我们编写的源码。

iROM、 BL1更细致的启动过程如下：
(1) iROM：下图是iROM启动流程图。

简单地说，就是先设置程序运行环境(比如关看门狗、关中断、关 MMU、设置栈、启动 PLL 等等)；然后
根据OM引脚确定启动设备(NAND Flash/SD 卡/其他)，把BL1从里面读出存入iRAM；最后启动BL1。

(2) BL1：下图是BL1的启动过程。

简单地说，也是设置程序运行环境(初始化中断、设置栈等等)；然后从启动设备上把BL2读入iRAM；最
后启动它。
有几个问题需要解决：

在启动设备上哪个位置存放 BL1、BL2？
把 BL1、BL2 读到 iRAM 那个位置？
BL1、BL2 大小是？
怎么保证 BL1、BL2 程序的完整性(即读出程序时没有错误)？

假设启动设备为SD卡，如下图图所示：

图: BL1/BL2在SD卡上的存储位置

图: BL1/BL2在iRAM中的存储位置
BL1位于SD卡偏移地址512字节处， iROM从这个位置读入8K字节的数据，存在iRAM地址0x02021400位置处。所以BL1不能大于8K。
BL2位于SD卡偏移地址(512+8K)字节处，BL1从这个位置读入14K字节的数据，存在iRAM地址0x02023400处。 BL2不能大于(14K – 4)字节，最后4字节用于存放较验码。
如果我们的程序大于(14K – 4)字节，那么需要截取前面(14K – 4)字节用来制作BL2并烧入SD卡偏移
地址16K字节处。当BL2启动后，由它来将存放在SD卡另外位置的、完整的程序读入内存。
对于其他启动设备，可以参《Android_Exynos4412_iROM_Secure_Booting_Guide_Ver.1.00.00.pdf》。
板子一上电，首先执行iROM， iROM依次尝试从第1个SD 卡、 NAND Flash、第2个SD 卡、 SPI Nor Flash上把程序读入内存中，一旦从某个设备上成功读出程序就会去启动它。
在前面的实验过程中，我们都是通过sd_fusing.sh这个脚本文件，一键烧写程序到SD卡中。我们解读该脚本程序，发现其核心命令就3条：

dd iflag=dsync oflag=dsync if=/work/tiny4412/sd_fuse/tiny4412/E4412_N.bl1.bin of=$1 seek=$signed_bl1_position
dd iflag=dsync oflag=dsync if=./bl2.bin of=$1 seek=$bl2_position
sync